Плівки сульфіду олова, отримані сульфурізацією прекурсорів з електроосадженного олова
| Автори | Н.П. Клочко1 , О.В. Момотенко1, В.М. Любов1 , Н.Д. Волкова2 , В.Р. Копач1 , Г.С. Хрипунов1 , М.В. Кириченко1 , Р.В. Зайцев1 |
| Приналежність | 1 Національний технічний університет «Харківський політехнічний інститут», вул. Фрунзе, 21, 61002 Харків, Україна 2 Національний аерокосмічний університет «Харківський авіаційний інститут», вул. Чкалова, 17, 61070 Харків, Україна |
| Е-mail | klochko_np@mail.ru |
| Випуск | Том 7, Рік 2015, Номер 1 |
| Дати | Одержано 02.09.2014, опубліковано online - 25.03.2015 |
| Посилання | Н.П. Клочко, О.В. Момотенко, В.М. Любов, та ін., Ж. нано- електрон. фіз. 7 № 1, 01014 (2015) |
| DOI | |
| PACS Number(s) | 68.55.Ag ,81.15.Pq |
| Ключові слова | Сульфід олова SnS, Електрохімічне осадження (2) , Сульфурізація, Прекурсор, Напів-провідник (2) . |
| Анотація | Робота присвячена розробці економічно вигідної і придатної для широкомасштабного виробництва методики отримання тонких плівок сульфіду олова SnS фотовольтаїчного призначення. Шляхом сульфурізаціі в парах сірки плівок олова, електроосаджених зі стандартного розчину лудіння, були синтезовані тонкі плівки SnS з орторомбічної структурою герценбергіта. Синтезований полікристалічний матеріал SnS є електронним напівпровідником з оптимальними для використання в сонячних елементах шириною забороненої зони і коефіцієнтом оптичного поглинання. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Effect of Electron Beam Irradiation on Structural, Electrical and Thermo-electric Power of La0.8Sr0.2MnO3 [01001-1-01001-5]2) Projected Range, Straggling and Sputtering Yield of the Ion-Impingement of Inert Gases in Group IV, InP and GaAs Semiconductors [01002-1-01002-6]
3) Modeling of Etching Nano-surfaces of Indium Phosphide [01003-1-01003-3]
4) Analysis of Voltage Transfer Characteristics of Nano-scale SOI CMOS Inverter with Variable Channel Length and Doping Concentration [01004-1-01004-4]
5) Structural and Mechanical Properties of Fluorinated SWCNTs: a DFT Study [01005-1-01005-4]
6) Confined Energy State Based Hypothetical Observations about Device Parameters of AlGaN / GaN HEMT [01006-1-01006-3]
7) Linewidth of Cyclotron Absorption in Band-Gap Graphene: Relaxation Time Approximation vs. Monte Carlo Method [01007-1-01007-5]
8) Deposition of Cadmium Sulphide Thin Films by Photochemical Deposition and Characterization [01008-1-01008-3]
9) Silicon Photodetectors Matrix Coordinate Bipolar Functionally Integrated Structures [01009-1-01009-3]
10) Two Approaches in Computer Simulation of the MFM-images [01010-1-01010-3]
11) Investigation of the Irradiation Influence with High-energy Electronson the Electrical Parameters of the IGBT-transistors [01011-1-01011-3]
12) Charge States of Bare Silicon Clusters up to Si8 by Non-Conventional Tight-Binding Method [01012-1-01012-7]
13) Film Growth Based on an Organic Basis for Photovoltaic p-Cells [01013-1-01013-4]
14) Негативний фотодіелектричний ефект у структурах плівка фулерену-плівка сегнетоелектричного рідкого кристалу [01015-1-01015-5]
15) Вплив нанорозмірного прошарку оксиду олова на ефективність фотоелектричних процесів у плівкових сонячних елементах на основі телуриду кадмію [01016-1-01016-6]
16) Теоретичне дослідження енергетичних характеристик штучного рецептора на меламін у предполімерізаціонной фазі [01017-1-01017-5]
17) Нанокомпозити на основі полібутилентерефталату, синтезованого з циклічних олігомерів бутилентерефталату та мультистінних вуглецевих нанотрубок [01018-1-01018-6]
18) Електрохімічні властивості гібридних суперконденсаторів, сформованих на основі нанорозмірної шпінелі LiMn1.5Fe0.5O4 [01019-1-01019-4]
19) Спінові хвилі у феромагнітній плівці з періодичною системою антиточок [01020-1-01020-5]
20) Використання поруватих з'єднань А3В5 для обкладинок суперконденсатора [01021-1-01021-4]
21) Плівкові композиційні матеріали на основі гідроксилапатиту і полівінілового спирту [01022-1-01022-5]
22) Синтез та вивчення властивостей наноферитів, отриманих методом золь-гель за участі автогоріння [01023-1-01023-9]
23) Морфологія острівцевих систем, що формуються при плавленні суцільних плівок Bi на Ge та SiO2 підкладках [01024-1-01024-4]
24) Діагностика реконструкції поверхні золота методами багатокутові еліпсометрії [01025-1-01025-6]
25) Закономірності формування структури покриттів CrN, отриманих вакуумно-дуговим випаровуванням в атмосфері азоту [01026-1-01026-4]
26) Феромагнетизм при кімнатній температурі в шаруватих напівпровідникових кристалах InTe, інтеркальованих кобальтом [01027-1-01027-5]
27) Вплив гідротермальної обробки на фазовий склад діоксиду титану, отриманого методом гідролізу Ti(OC4H9)4 [01028-1-01028-5]
28) Особливості напруженого стану германієвих нанокристалів в матриці SiOx [01029-1-01029-5]
29) FLUX – програмний пакет для обчислення характеристик синхротронного випромінювання [01030-1-01030-6]
30) Вплив розмірів наповнювача на перколяційну поведінку системи поліетиленгліколь / вуглецеві нанотрубки [01031-1-01031-6]
31) Ріст нанокристалів золота у суміші первинних спиртів [01032-1-01032-10]
32) Вплив лазерного відпалювання на морфологію поверхні та оптичні характеристики нанокремнієвих плівок [01033-1-01033-5]
33) Структурна інженерія багатошарової системи TiN / CrN, отриманої вакуумно-дуговим випаровуванням [01034-1-01034-6]
34) Окислення цирконію після опромінення іонами аргону [01035-1-01035-4]
35) Особливості кінетики спаду фото-ЕРС в кристалах кремнію, які використовуються в сонячній енергетиці, обумовлені дією слабкого стаціонарного магнітного поля [01036-1-01036-4]
36) Віріальні коефіцієнти для термодинамічних систем з псевдопотенціалом Хіла [01037-1-01037-6]
37) Розробка фізичних основ ємнісного акустичного методу дефектоскопії металів [01038-1-01038-5]
38) Вплив зовнішньої періодичної дії на кінетику фрагментації металівпри інтенсивній пластичній деформації [01039-1-01039-11]
39) Вплив іонної імплатнації Au– на мікроструктуру аморфно-нанокристалічного AlN-TiB2-TiSi2 [01040-1-01040-5]
40) Триботехнічні характеристики багатоелементних покриттів на основі нітридів Ti, Zr, Cr, Nb, Si, отриманих за допомогою вакуумно-дугових методів осадження [01041-1-01041-5]
