Особливості кінетики спаду фото-ЕРС в кристалах кремнію, які використовуються в сонячній енергетиці, обумовлені дією слабкого стаціонарного магнітного поля

Автори Л.П. Стебленко1 , О.О. Коротченков1 , А.О. Подолян1 , Д.В. Калініченко1 , А.М. Курилюк1 , Ю.Л. Кобзар1 , О.М. Кріт2, С.М. Науменко1
Приналежність

1 Київський національний університет імені Тараса Шевченка, фізичний факультет,кафедра фізики металі, вул. Володимирська, 64/13, 01601 Київ, Україна

2 Навчально-науковий центр «Фізико-хімічне матеріалознавство» Київського національного університету імені Тараса Шевченка, 01601 Київ, Україна

Е-mail
Випуск Том 7, Рік 2015, Номер 1
Дати Одержано 12.09.2014, у відредагованій формі - 17.02.2015, опубліковано online - 25.03.2015
Посилання Л.П. Стебленко, О.О. Коротченков, А.О. Подолян, та ін., Ж. нано- електрон. фіз. 7 № 1, 01036 (2015)
DOI
PACS Number(s) 68.35.bg, 61.43.Dq, 61.72.Hh, 73.40.Qv
Ключові слова Solar-Si (2) , Час життя носіїв (2) , Магнітне поле (31) , Заряджені домішки.
Анотація Вивчено вплив слабкого стаціонарного магнітного поля на кінетику спаду фото-ЕРС в кристалах solar-Si. Встановлені особливості в поведінці електрофізичних параметрів показали, що короткотривала і довготривала компоненти спаду фото-ЕРС визначаються тривалістю магнітної обробки. Короткий час магнітної обробки призводить до збільшення, а тривала магнітна обробка викликає зменшення обох компонент спаду фото-ЕРС в порівнянні з контрольними кристалами. Виявлено, що характер магнітостимульованої зміни кінетики фото-ЕРС корелює з зарядовим станом поверхні.

Перелік посилань