Автори | V.N. Murashev , M.P. Konovalov, S.A. Legotin , S.I. Didenko , O.I. Rabinovich , A.A. Krasnov , K.A. Кuzmina |
Афіліація | National University of Science and Technology 'MISiS' “Moscow Institute of Steel and Alloys”, 4, Leninskiy prosp., 119040 Moscow, Russian Federation |
Е-mail | |
Випуск | Том 7, Рік 2015, Номер 1 |
Дати | Одержано 15.10.2014, у відредагованій формі - 16.01.2015, опубліковано online - 25.03.2015 |
Цитування | V.N. Murashev, M.P. Konovalov, S.A. Legotin, et al., J. Nano- Electron. Phys. 7 No 1, 01011 (2015) |
DOI | |
PACS Number(s) | 00.05.Tp, 85.60.Jb |
Ключові слова | IGBT-transistors, Irradiation (10) , Systems (5) , Radioisotope (4) . |
Анотація | The results of studies of the effectiveness of the radiation method for control the characteristics of the IGBT transistors are shown. Experimental results on the effect of irradiation with high-energy electrons with an energy of 6 MeV for dynamic and static parameters of the IGBT transistors of company International Rectifier IRGB14C40L are discussed. |
Перелік посилань |