Investigation of the Irradiation Influence with High-energy Electronson the Electrical Parameters of the IGBT-transistors

Автори V.N. Murashev , M.P. Konovalov, S.A. Legotin , S.I. Didenko , O.I. Rabinovich , A.A. Krasnov , K.A. Кuzmina
Приналежність

National University of Science and Technology 'MISiS'  “Moscow Institute of Steel and Alloys”, 4, Leninskiy prosp., 119040 Moscow, Russian Federation

Е-mail
Випуск Том 7, Рік 2015, Номер 1
Дати Одержано 15.10.2014, у відредагованій формі - 16.01.2015, опубліковано online - 25.03.2015
Посилання V.N. Murashev, M.P. Konovalov, S.A. Legotin, et al., J. Nano- Electron. Phys. 7 No 1, 01011 (2015)
DOI
PACS Number(s) 00.05.Tp, 85.60.Jb
Ключові слова IGBT-transistors, Irradiation (10) , Systems (5) , Radioisotope (4) .
Анотація The results of studies of the effectiveness of the radiation method for control the characteristics of the IGBT transistors are shown. Experimental results on the effect of irradiation with high-energy electrons with an energy of 6 MeV for dynamic and static parameters of the IGBT transistors of company International Rectifier IRGB14C40L are discussed.

Перелік посилань