Film Growth Based on an Organic Basis for Photovoltaic p-Cells
| Автори | M.N. Orlova1 , S.I. Didenko1 , O.I. Rabinovich1 , V.A. Kolesnikov2, A.V. Desyatov2, D.S. Saranin2 |
| Приналежність | 1 NIST “Moscow Institute of Steel and Alloys”, 4, Leninskiy Prosp., 119040 Moscow, Russian Federation 2 Mendeleyev University of Chemical Technology of Russia, 9, Miusskaya Sq., 125047 Moscow, Russian Federation |
| Е-mail | xomnx@mail.ru, rawork2008@mail.ru |
| Випуск | Том 7, Рік 2015, Номер 1 |
| Дати | Одержано 15.11.2014, у відредагованій формі - 09.03.2015, опубліковано online - 25.03.2015 |
| Посилання | M.N. Orlova, S.I. Didenko, O.I. Rabinovich, et al., J. Nano- Electron. Phys. 7 No 1, 01013 (2015) |
| DOI | |
| PACS Number(s) | 00.05.Tp, 85.60.Jb |
| Ключові слова | Solar cells (17) , Polymer photovoltaic cells. |
| Анотація | The main issue is to determine the allowable concentration of the polymer and the acceptor, allowing to obtain a film having a desired density and at the same time, the thickness, the optimum from the point of view of the diffusion length and the probability of dissociation of the intermediate particles with the formation of free charge carriers. From a comparison of the synthesized samples micrographs it can be concluded that the polymer concentration of 12.5 g/l gives a sufficiently dense and relatively uniform film without substantial amounts of undissolved polymer. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Effect of Electron Beam Irradiation on Structural, Electrical and Thermo-electric Power of La0.8Sr0.2MnO3 [01001-1-01001-5]2) Projected Range, Straggling and Sputtering Yield of the Ion-Impingement of Inert Gases in Group IV, InP and GaAs Semiconductors [01002-1-01002-6]
3) Modeling of Etching Nano-surfaces of Indium Phosphide [01003-1-01003-3]
4) Analysis of Voltage Transfer Characteristics of Nano-scale SOI CMOS Inverter with Variable Channel Length and Doping Concentration [01004-1-01004-4]
5) Structural and Mechanical Properties of Fluorinated SWCNTs: a DFT Study [01005-1-01005-4]
6) Confined Energy State Based Hypothetical Observations about Device Parameters of AlGaN / GaN HEMT [01006-1-01006-3]
7) Linewidth of Cyclotron Absorption in Band-Gap Graphene: Relaxation Time Approximation vs. Monte Carlo Method [01007-1-01007-5]
8) Deposition of Cadmium Sulphide Thin Films by Photochemical Deposition and Characterization [01008-1-01008-3]
9) Silicon Photodetectors Matrix Coordinate Bipolar Functionally Integrated Structures [01009-1-01009-3]
10) Two Approaches in Computer Simulation of the MFM-images [01010-1-01010-3]
11) Investigation of the Irradiation Influence with High-energy Electronson the Electrical Parameters of the IGBT-transistors [01011-1-01011-3]
12) Charge States of Bare Silicon Clusters up to Si8 by Non-Conventional Tight-Binding Method [01012-1-01012-7]
13) Плівки сульфіду олова, отримані сульфурізацією прекурсорів з електроосадженного олова [01014-1-01014-9]
14) Негативний фотодіелектричний ефект у структурах плівка фулерену-плівка сегнетоелектричного рідкого кристалу [01015-1-01015-5]
15) Вплив нанорозмірного прошарку оксиду олова на ефективність фотоелектричних процесів у плівкових сонячних елементах на основі телуриду кадмію [01016-1-01016-6]
16) Теоретичне дослідження енергетичних характеристик штучного рецептора на меламін у предполімерізаціонной фазі [01017-1-01017-5]
17) Нанокомпозити на основі полібутилентерефталату, синтезованого з циклічних олігомерів бутилентерефталату та мультистінних вуглецевих нанотрубок [01018-1-01018-6]
18) Електрохімічні властивості гібридних суперконденсаторів, сформованих на основі нанорозмірної шпінелі LiMn1.5Fe0.5O4 [01019-1-01019-4]
19) Спінові хвилі у феромагнітній плівці з періодичною системою антиточок [01020-1-01020-5]
20) Використання поруватих з'єднань А3В5 для обкладинок суперконденсатора [01021-1-01021-4]
21) Плівкові композиційні матеріали на основі гідроксилапатиту і полівінілового спирту [01022-1-01022-5]
22) Синтез та вивчення властивостей наноферитів, отриманих методом золь-гель за участі автогоріння [01023-1-01023-9]
23) Морфологія острівцевих систем, що формуються при плавленні суцільних плівок Bi на Ge та SiO2 підкладках [01024-1-01024-4]
24) Діагностика реконструкції поверхні золота методами багатокутові еліпсометрії [01025-1-01025-6]
25) Закономірності формування структури покриттів CrN, отриманих вакуумно-дуговим випаровуванням в атмосфері азоту [01026-1-01026-4]
26) Феромагнетизм при кімнатній температурі в шаруватих напівпровідникових кристалах InTe, інтеркальованих кобальтом [01027-1-01027-5]
27) Вплив гідротермальної обробки на фазовий склад діоксиду титану, отриманого методом гідролізу Ti(OC4H9)4 [01028-1-01028-5]
28) Особливості напруженого стану германієвих нанокристалів в матриці SiOx [01029-1-01029-5]
29) FLUX – програмний пакет для обчислення характеристик синхротронного випромінювання [01030-1-01030-6]
30) Вплив розмірів наповнювача на перколяційну поведінку системи поліетиленгліколь / вуглецеві нанотрубки [01031-1-01031-6]
31) Ріст нанокристалів золота у суміші первинних спиртів [01032-1-01032-10]
32) Вплив лазерного відпалювання на морфологію поверхні та оптичні характеристики нанокремнієвих плівок [01033-1-01033-5]
33) Структурна інженерія багатошарової системи TiN / CrN, отриманої вакуумно-дуговим випаровуванням [01034-1-01034-6]
34) Окислення цирконію після опромінення іонами аргону [01035-1-01035-4]
35) Особливості кінетики спаду фото-ЕРС в кристалах кремнію, які використовуються в сонячній енергетиці, обумовлені дією слабкого стаціонарного магнітного поля [01036-1-01036-4]
36) Віріальні коефіцієнти для термодинамічних систем з псевдопотенціалом Хіла [01037-1-01037-6]
37) Розробка фізичних основ ємнісного акустичного методу дефектоскопії металів [01038-1-01038-5]
38) Вплив зовнішньої періодичної дії на кінетику фрагментації металівпри інтенсивній пластичній деформації [01039-1-01039-11]
39) Вплив іонної імплатнації Au– на мікроструктуру аморфно-нанокристалічного AlN-TiB2-TiSi2 [01040-1-01040-5]
40) Триботехнічні характеристики багатоелементних покриттів на основі нітридів Ti, Zr, Cr, Nb, Si, отриманих за допомогою вакуумно-дугових методів осадження [01041-1-01041-5]
