Back

Results (21):

Назва Молекулярний транзистор на основі замісників дифенілу
Автори А.Г. Малашенко, П.О. Кондратенко, Ю.М. Лопаткін, А.Й. Дерев’янчук
Випуск Том 8, Рік 2016, Номер 4
Сторінки 04034-1 - 04034-5
Назва Полімерні матеріали, модифіковані напівпровідниковими речовинами, у вузлах тертя гальмівних пристроїв
Автори М.В. Кіндрачук, О.І. Вольченко, Д.О. Вольченко, М.О. Вольченко, П.О. Поляков, А.О. Корнієнко, А.О. Юрчук
Випуск Том 11, Рік 2019, Номер 3
Сторінки 03014-1 - 03014-8
Назва Моделювання нанотранзисторів: будова MOSFET
Автори Ю.О. Кругляк, П.О. Кондратенко, Ю.М. Лопаткін
Випуск Том 10, Рік 2018, Номер 6
Сторінки 06034-1 - 06034-6
Назва Моделювання біосенсора у вигляді циліндричного кремнієвого нанодроту на основі польового транзистора: вплив довжини і радіусу нанодроту
Автори A.V. Pawar, S.S. Kanapally, A.P. Chougule, P.P. Waifalkar, K.V. More, R.K. Kamat, T.D. Dongale
Випуск Том 11, Рік 2019, Номер 1
Сторінки 01005-1 - 01005-5
Назва Аналоговий мультиплікатор з використанням технології CNTFET
Автори Seyedehsomayeh Hatefinasab
Випуск Том 11, Рік 2019, Номер 4
Сторінки 04022-1 - 04022-5
Назва Одноелектронний транзистор на основі металофулеренів Me@C60 (Me = Li, Na, K)
Автори D. Sergeyev
Випуск Том 12, Рік 2020, Номер 3
Сторінки 03017-1 - 03017-5
Назва Модель тунельного струму у тунельному польовому транзисторі на базі двошарової графенової нанострічки за допомогою методу матриці переносу
Автори E. Suhendi, M.F. Fadhillah, I. Anjaningsih, S.D. Ulhaq, A. Fadhillah, D. Rusdiana
Випуск Том 12, Рік 2020, Номер 3
Сторінки 03036-1 - 03036-5
Назва Оперативний розрахунок напруги проколу бази дрейфових n-p-n транзисторів в інверсному режимі роботи
Автори А.Н. Фролов, А.Н. Філіпщук, В.А. Надточій, А.В. Надточий
Випуск Том 12, Рік 2020, Номер 6
Сторінки 06021-1 - 06021-4
Назва Математична модель радіовимірювального частотного перетворювача оптичного випромінювання на основі МДН-транзисторної структури з від’ємним диференційним опором
Автори О.В. Осадчук, Я.О. Осадчук, А.О. Семенов
Випуск Том 13, Рік 2021, Номер 4
Сторінки 04001-1 - 04001-6
Назва Вплив іонізуючого опромінення на характеристики магніточутливих транзисторних структур
Автори Я.І. Лепіх, М.А. Глауберман
Випуск Том 13, Рік 2021, Номер 4
Сторінки 04009-1 - 04009-4
Назва Чисельне моделювання польового транзистора з каналом у вигляді нанородроту
Автори І.П. Бурик, А.О. Головня, І.М. Мартиненко, О.П. Ткач, Л.В. Однодворець
Випуск Том 13, Рік 2021, Номер 4
Сторінки 04030-1 - 04030-4
Назва Оцінка виготовлення пристроїв від FET до CFET: огляд
Автори J. Lakshmi Prasanna, M. Ravi Kumar, Ch. Priyanka, Chella Santhosh
Випуск Том 13, Рік 2021, Номер 6
Сторінки 06030-1 - 06030-8
Назва Оцінка продуктивності модифікованого безперехідного багатозатворного транзистора із вбудованим каналом
Автори K. Kalai Selvi, K.S. Dhanalakshmi, Kalaivani Kanagarajan
Випуск Том 14, Рік 2022, Номер 1
Сторінки 01008-1 - 01008-5
Назва Дослідження гетеродіелектричного заглибленого оксиду та TFETs з гетеропереходом із подвійним матеріалом
Автори P. Vimala, Bhoomi Reddy Venkata Sravanthi Reddy, Shreyas Yadav V.R, Suprith C.
Випуск Том 14, Рік 2022, Номер 4
Сторінки 04009-1 - 04009-4
Назва Реалізація та аналіз L-подібного тунельного польового транзистора з використанням затвора та оксидної інженерії
Автори R. Dhanush, S. Ashok Kumar, V. Logisvary
Випуск Том 14, Рік 2022, Номер 5
Сторінки 05015-1 - 05015-4
Назва Характеристики комбінованого (Si та Ge) інвертора FinFET-CMOS на основі співвідношення транзисторів навантаження до драйверу
Автори Yasir Hashim, Safwan Mawlood Hussein
Випуск Том 14, Рік 2022, Номер 5
Сторінки 05003-1 - 05003-6
Назва Реалізація VTFET із лінійно градуйованою роботою виходу бінарного металевого затвору з повітряною кишенею
Автори K. Kalai Selvi, K.S. Dhanalakshmi
Випуск Том 14, Рік 2022, Номер 6
Сторінки 06014-1 - 06014-6
Назва Органічний польовий транзистор на основі адаптивної системи з нейро-нечітким виводом
Автори Imad Benacer, Fateh Moulahcene, Fateh Bouguerra, Ammar Merazga
Випуск Том 15, Рік 2023, Номер 2
Сторінки 02001-1 - 02001-9
Назва Аналіз продуктивності включення прихованого металевого шару в безперехідний багатоканальний польовий транзистор
Автори S. Ashok Kumar, A. Roshan Solomon, T. Thirumurugan, S. Dhanraj
Випуск Том 15, Рік 2023, Номер 2
Сторінки 02007-1 - 02007-4
Назва Низьковольтний симетричний двозатворний органічний польовий транзистор
Автори Imad Benacer, Fateh Moulahcene, Fateh Bouguerra, Ammar Merazga
Випуск Том 15, Рік 2023, Номер 2
Сторінки 02012-1 - 02012-6
Назва Органічний польовий транзистор на основі полі-3-гексилтіофену як датчик парів аміаку
Автори Akhiruddin Maddu, Andri Gunawan, Irmansyah Irmansyah
Випуск Том 15, Рік 2023, Номер 6
Сторінки 06020-1 - 06020-6