Оцінка продуктивності модифікованого безперехідного багатозатворного транзистора із вбудованим каналом
| Автори | K. Kalai Selvi1 , K.S. Dhanalakshmi2 , Kalaivani Kanagarajan3 |
| Приналежність |
1Government College of Engineering, Tirunelveli, Tamil Nadu, India 2Kalasalingam Academy of Research and Education, Virudhunagar, Tamil Nadu, India 3Nxp Semiconductors, Bangalore, India |
| Е-mail | kalaiselvi20142@gmail.com |
| Випуск | Том 14, Рік 2022, Номер 1 |
| Дати | Одержано 29 серпня 2021; у відредагованій формі 20 лютого 2022; опубліковано online 28 лютого 2022 |
| Посилання | K. Kalai Selvi, K.S. Dhanalakshmi, Kalaivani Kanagarajan, Ж. нано- електрон. фіз. 14 № 1, 01008 (2022) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.14(1).01008 |
| PACS Number(s) | 85.30.Tv |
| Ключові слова | Безперехідний польовий транзистор (JLFET), Робота виходу (WF), Модифікований JLFET із вбудованим каналом, Підпорогове коливання (SS) (3) , Товщина оксиду на краях затвора, Зменшена ширина каналу, HfO2 (3) . |
| Анотація |
Масштабування відіграло важливу роль у покращенні швидкості та енергоспоживання. Закон Мура наполягає на постійному періодичному зменшенні розмірів пристроїв. Інженерія затворних діелектриків є одним із засобів зменшення розмірів пристроїв. У роботі описується моделювання електричних характеристик зменшеної ширини каналу та збільшеної товщини діелектрика на краях затвора безперехідного багатозатворного транзистора. Новизна роботи полягає у збільшеній товщині оксиду затвора по краях, що зменшує струм витоку. HfO2 використовується як діелектричний матеріал, оскільки тонкий шар SiO2 викликає виток через оксид затвора в канал. Відмінною властивістю HfO2 є його висока діелектрична проникність (20-25), яка в 4-6 разів перевищує проникність SiO2. У роботі були досліджені параметри продуктивності двозатворного безперехідного FET, а саме порогова напруга (Vth), струм вимкнення (IOFF), струм увімкнення (ION), відношення струму увімкнення до струму вимкнення (ION/IOFF) та підпорогове коливання (SS) для вікна роботи виходу затвора від 4,6 до 5,0 еВ. У вікні роботи виходу було знайдено оптимальну продуктивність для роботи виходу затвора 4,9 еВ. Запропонований пристрій має низький струм вимкнення та підпорогове коливання порівняно зі звичайним безперехідним FET. У роботі представлено моделювання безперехідного транзистора за допомогою інструменту Atlas Silvaco TCAD. Пристрій показує струм вимкнення порядку 10 – 16 А/мкм, відношення струму увімкнення до струму вимкнення порядку 1011 і підпорогове коливання 59,78 мВ/дек. Пристрій демонструє постійне підпорогове коливання для діапазону робот виходу від 4,6 до 5,0 еВ. Результати моделювання показують, що пропонований пристрій підходить для малопотужних застосувань. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Вплив дози імплантованих іонів дейтерію на мікроструктуру і наномеханічні властивості кремнію [01001-1-01001-6]2) Супрамолекулярний клатрат GaSe(β-CD(J2)) ієрархічної архітектури: властивості та застосування [01002-1-01002-5]
3) Дослідження структурних та електронних властивостей фази вюрциту з використанням теорії функціоналу щільності [01003-1-01003-5]
4) Турбідиметричний моніторинг розділення фаз у водних розчинах термореактивних полімерів [01004-1-01004-4]
5) Застосування гармонічного аналізу та методу головних компонент до розрізнення адсорбатів за допомогою газочутливої гетероструктури ITO/наноструктурований TiO2 [01005-1-01005-5]
6) Компактна конструкція несиметричної UWB антени з двома режекторними смугами для додатків WiMAX [01006-1-01006-5]
7) Майже ідеальний метаматеріальний поглинач з TE поляризацією, що заряджається трикутними розрізними кільцевими резонаторами для додатків і операцій X-діапазону [01007-1-01007-5]
8) Структурна, механічна та корозійна поведінка композитних покриттів: вплив густини струму [01009-1-01009-5]
9) Результати перерахунку ефективної рентгенівської характеристичної температури в її дійсне значення [01010-1-01010-5]
10) Розмірні ефекти в магніторезистивних властивостях у тришарових плівках [01011-1-01011-5]
11) Визначення показника заломлення та безмаркерне детектування з використанням структурованого плазмонного датчика з овальним резонатором [01012-1-01012-5]
12) Випробування твердості за Віккерсом сталевих труб, зварених високочастотною індукцією [01013-1-01013-4]
13) Взаємодія важких дірок з власними акцепторними дефектами в CdTe: ab initio розрахунок [01014-1-01014-5]
14) Проектування та аналіз нової фрактальної компактної антени для надширокосмугових застосувань [01015-1-01015-5]
15) Мікрохвильові електродинамічні характеристики керамічних матеріалів [01016-1-01016-4]
16) Кристалічна структура нанокристалів ZnxCd1-xS, отриманих шляхом саморозповсюджуваного високотемпературного синтезу [01017-1-01017-5]
17) Розширене дослідження позиційно-залежного багатоканального GAA MOSFET та його впливу на характеристики пристрою [01018-1-01018-4]
18) Мікросмужкова антена з трьома режекторними смугами з використанням планарного масиву послідовних елементів 2x2 для системи зв'язку 5G [01019-1-01019-5]
19) Електрохімічні властивості гібридних суперконденсаторів, сформованих на основі вуглецю та перовскітних матеріалів типу ABO3 [01020-1-01020-6]
20) Осадження наночастинок платини на поверхню кремнію гальванічним заміщенням в середовищі DMSO [01021-1-01021-5]
21) Поширення ультракоротких оптичних імпульсів в анізотропному оптичному середовищі з вуглецевими нанотрубками за наявності змінного електричного поля [01022-1-01022-4]
22) p-i-n фотодіод на довжині хвилі 1064 нм із низьким рівнем впливу периферії на темнові струми [01023-1-01023-4]
23) Електричні та температурні характеристики транзисторів з каналом у вигляді вуглецевої нанотрубки [01024-1-01024-5]
24) Експерименти із молекулярним механізмом та структурою інтерфейсу чистих і легованих полімерних нанокомпозитів, що використовуються в мікроелектроніці [01025-1-01025-5]
25) Порівняльний -дифракційний аналіз напруженого стану вольфрамової тонкої стрічки та магнетронно напилених вольфрамових покриттів [01026-1-01026-5]
26) Покращений діод Ганна мікронних розмірів на основі варізонного GaPAs – GaInAs [01027-1-01027-5]
27) Структурні, оптичні та електричні властивості нанопорошку rGO@SnO2,отриманого методом хімічного співосадження [01028-1-01028-4]
28) Особливості генерації шуму в діодах на основі нітридних сполук з варізонним шаром [01029-1-01029-5]
29) Механічно активований політетрафторетилен: морфологія та супрамолекулярна структура [01030-1-01030-5]
30) Застосування ефекту Комптона для вирішення задач фізики конденсованого стану [01031-1-01031-7]
31) Використання ортогональних поліномів Лежандра для фільтрації зашумлених сигналів на обмеженому інтервалі в просторі координат [01032-1-01032-5]
32) Порівняння впливу ZnO та TiO2 на характеристики перовскітних сонячних елементів за допомогою програмного пакету SCAPS-1D [01033-1-01033-5]
33) Ab Initio дослідження електронних та оптичних властивостей ZnO та BeO: розрахунки з перших принципів [01034-1-01034-4]
34) Метод часткових областей в задачі прийому звуку резонатором Гельмгольця [01035-1-01035-7]
