Органічний польовий транзистор на основі адаптивної системи з нейро-нечітким виводом
| Автори | Imad Benacer1, Fateh Moulahcene1, Fateh Bouguerra2, Ammar Merazga1 |
| Приналежність |
1Department of Telecommunication and Networking, University of Oum El-Bouaghi, Aïn M’lila, Algeria 2Department of Electronics, University of Batan 2, Batna, Algeria |
| Е-mail | benacerimad@univ-oeb.dz |
| Випуск | Том 15, Рік 2023, Номер 2 |
| Дати | Одержано 05 грудня 2022; у відредагованій формі 20 квітня 2023; опубліковано online 27 квітня 2023 |
| Посилання | Imad Benacer, Fateh Moulahcene, Fateh Bouguerra, Ammar Merazga, Ж. нано- електрон. фіз. 15 № 2, 02001 (2023) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.15(2).02001 |
| PACS Number(s) | 85.30.Tv |
| Ключові слова | Oрганічні польові транзистори (OFET), Механізм Пула-Френкеля, Адаптивна нейро-нечітка система логічного виводу (ANFIS), PSPICE (5) . |
| Анотація |
Органічні польові транзистори (OFET) останнім часом викликають великий науковий інтерес, а їх функціональність зростає. Моделювання пристрою було виконано з використанням кінцевого елементу двовимірного моделювання дифузійного дрейфу, отримані результати порівнюються з експериментальними даними, і між ними спостерігається хороша відповідність. У даній роботі представлено метод моделювання транзисторів OFET на основі підходу адаптивної мережевої системи нечіткого висновку (ANFIS). Вихідні дані для навчання ANFIS були отримані за допомогою симулятора пристроїв Atlas 2D. Автори імпортували модель ANFIS у симулятор схеми PSPICE, результати моделювання розробленої підсхеми ANFIS показали, що запропонована модель підходу на основі нечіткої логіки підходить для включення в PSPICE-подібні інструменти для моделювання схем транзисторів OFET. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Термодинамічне дослідження портландцементу, що містить багатостінні вуглецеві нанотрубки [02002-1-02002-6]2) Синтез і характеристика кількашарового відновленого та модифікованого методом Хаммера нанолиста оксиду графену [02003-1-02003-3]
3) Розробка оптимізованого поглинаючого шару Cu2ZnSnS4, створеного SILAR методом [02004-1-02004-5]
4) Вивчення впливу високої температури на статичні характеристики 14 нм TG SOI N FinFET [02005-1-02005-5]
5) Поверхнево-бар’єрні CdTe діоди для фотовольтаїки [02006-1-02006-5]
6) Аналіз продуктивності включення прихованого металевого шару в безперехідний багатоканальний польовий транзистор [02007-1-02007-4]
7) Прецизійна хаотична лазерна генерація [02008-1-02008-5]
8) Хімічне осадження плівок CdS з водного розчину, що містить триетаноламін [02009-1-02009-5]
9) Вимірювання високої та низької перехресної поляризації в мініатюрній надширокосмуговій компактній антенній решітці для багатоцільових РЛС [02010-1-02010-5]
10) Вплив дробової похідної за часом на профілі зовнішньої дифузії під час дегазації тонкої пластини у вакуумі [02011-1-02011-4]
11) Низьковольтний симетричний двозатворний органічний польовий транзистор [02012-1-02012-6]
12) Воднева обробка поверхневого шару золотої плівки на склі [02013-1-02013-5]
13) Ab initio дослідження пружних властивостей твердого розчину CdSe1 – xSx [02014-1-02014-7]
14) Дослідження та проектування патч-антени 5G міліметрового діапазону з резонансною частотою 60 ГГц [02015-1-02015-6]
15) Обчислювання фотоелектричних характеристик сонячних елементів CdS/Si: ефект антиблікових шарів [02016-1-02016-4]
16) Наночастинки ZnO, синтезовані за допомогою екстракту з листя Terminalia catappa та його характеристики [02017-1-02017-3]
17) Структурні та оптичні властивості тонких плівок Ba(Zr0.3Ti0.7)O3 та Ba(Zr0.5Ti0.5)O3, отриманих золь-гель методом [02018-1-02018-4]
18) Характеристики Suns-Voc кремнієвої сонячної батареї: експериментальне та симуляційне дослідження [02019-1-02019-5]
19) Дослідження Li-Al феритів методами ядерного магнітного резонансу, UV спектроскопії і мессбауерівської спектроскопії [02020-1-02020-9]
20) Комплексне дослідження оптичних і магнітних властивостей нанопорошків (In1 – xDyx)2O3, отриманих методом твердофазної реакції [02021-1-02021-7]
21) Фотоелектричні властивості гетеропереходу Mn2O3/n-InSe [02022-1-02022-5]
22) New Fractional Wavelet with Compact Support and Its Application to Signal Denoising [02023-1-02023-5]
23) The Charge Transfer for Nb(V)/Nb(IV) and Ta(V)/Ta(IV) Redox Couple in Electrode Surface: Experimental and Calculation Methods [02024-1-02024-3]
24) Покращена продуктивність зі зниженням токсичності сонячної батареї CIGS із використанням ультратонкого шару BaSi2 BSF [02025-1-02025-5]
25) Impact of Annealing Temperature on Surface Reactivity of ZnO Nanostructured Thin Films Deposited on Aluminum Substrate [02026-1-02026-4]
26) Ультразвуковий метод визначення швидкості кровотоку: фізичні основи та векторна візуалізація [02027-1-02027-4]
27) Мас-спектрометричне дослідження хімічного складу газового середовища у зоні проведення електроіскрового легування [02028-1-02028-4]
28) Дифракція природного світла на безмежній ґратці металевих стрічок [02029-1-02029-3]
29) Атомістичне декорування Ti2C максену срібними наночастинками [02030-1-02030-7]
30) Фізичні та технологічні принципи обробки сталі лазерним випромінюванням УФ-діапазону [02031-1-02031-4]
