Оперативний розрахунок напруги проколу бази дрейфових n-p-n транзисторів в інверсному режимі роботи

Автори А.Н. Фролов, А.Н. Філіпщук, В.А. Надточій, А.В. Надточий
Приналежність

Національний університет кораблебудування імені Адмірала Макарова, Херсонська філія, пр. Ушакова, 44, 73022 Херсон, Україна

Е-mail
Випуск Том 12, Рік 2020, Номер 6
Дати Одержано 27 червня 2020; у відредагованій формі 18 грудня 2020; опубліковано online 25 грудня 2020
Посилання А.Н. Фролов, А.Н. Філіпщук, В.А. Надточій, А.В. Надточий, Ж. нано- електрон. фіз. 12 № 6, 06021 (2020)
DOI https://doi.org/10.21272/jnep.12(6).06021
PACS Number(s) 73.40.Kp
Ключові слова Дрейфовий транзистор, Інверсний режим, Напруга проколу бази.
Анотація

ЛУ статті розглянуті питання оперативного розрахунку напруги пробою дрейфових n-p-n транзисторів в інверсному режимі роботи при розрахунку параметрів їх структури по заданих електричних параметрах і характеристиках. При оперативному розрахунку параметрів структури біполярного дрейфового транзистора визначаються концентрації на p-n переходах колектор-база (NCB) і емітер-база (NEB) по заданій напрузі лавинного пробою. Обмеження на мінімальну товщину бази (WB.min) визначається по заданій величині напруги проколу бази транзистора і за деякою розрахунковою концентрацією домішки між концентраціями NCB і NEB. Розрахункові концентрації домішки в базі дрейфового транзистора в прямому і інверсному режимах роботи значно відрізняються. Технологічний експеримент проводився на кремнієвих пластинах з двома різними концентраціями домішки в епітаксійних структурах і з різною товщиною бази, на що вказували різні значення коефіцієнтів посилення по струму як в прямому, так і в інверсному включенні. Величини концентрацій NCB і NEB визначалися розрахунковим шляхом за відомим режимом дифузії бору для формування областей бази транзистора. Глибини p-n переходів визначалися методом куль-шліфа. Електричні параметри транзисторів в прямому і інверсному вмиканні вимірювалися на вимірнику параметрів напівпровідникових приладів Л2-56. На основі експериментальних даних розрахункова концентрація домішки в базі дрейфового транзистора визначається за значеннями NCB і NEB. Отриманий вираз розрахунку також може бути використано для розрахунку напружень проколу бази дрейфових n-p-n транзисторів в інверсному режимі роботи, напруги проколу бази перемикаючих транзисторів в елементах ИЛ, а також для розрахунку області зворотного градієнта надрізьких варікапів.

Перелік посилань