Моделювання нанотранзисторів: будова MOSFET

Автори Ю.О. Кругляк1 , П.О. Кондратенко2 , Ю.М. Лопаткін3
Приналежність

1Одеський державний екологічний університет, вул. Львівська, 15, 65016 Одеса, Україна

2Національний авіаційний університет, пр.Космонавта Комарова, 1, 03058 Київ, Україна

3Сумський державний, вул. Римського-Корсакова, 2, 40007 Суми, Україна

Е-mail
Випуск Том 10, Рік 2018, Номер 6
Дати Одержано 01.10.2018; у відредагованій формі – 07.12.2018; опубліковано online 18.12.2018
Посилання Ю.О. Кругляк, П.О. Кондратенко, Ю.М. Лопаткін, Ж. нано- електрон. фіз. 10 № 6, 06034 (2018)
DOI https://doi.org/10.21272/jnep.10(6).06034
PACS Number(s) 72.80.Ey, 85.30. − z, 85.30.De, 85.30.Tv, 85.40. − e
Ключові слова Наноелектроніка (10) , Польовий транзистор (11) , Вольт-амперні характеристики (11) .
Анотація

Пропонується огляд, який складається з декількох частин з даної тематики і завданням якого є обговорення фізичних моделей і принципів, що лежать в основі функціонування нанорозмірних MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor – МОП / МДП-транзистор з ізольованим затвором)  і засновані як на звичному традиційному підході «зверху – вниз», так і на більш сучасному підході, що бере свій початок ще в роботах Рольфа Ландауера, який запропонував модель пружного резистора задовго до її експериментального підтвердження в нанопровідниках, а також Супріе Датта і Марка Лундстрома, які переосмислили цю модель і  надали їй нинішнього звучання і довели застосовність її до електронних пристроїв як наноскопічних, так і мікро- і макроскопічних довільної розмірності 1D, 2D і 3D і працюючих в балістичному, квазібалістичному і дифузійному режимах. Перша частина присвячена фізичній структурі і вольт-амперним характеристикам MOSFET.

Перелік посилань

English version of article