Реалізація VTFET із лінійно градуйованою роботою виходу бінарного металевого затвору з повітряною кишенею
| Автори | K. Kalai Selvi1 , K.S. Dhanalakshmi2 |
| Приналежність |
1Government College of Engineering, Tirunelveli, Tamil Nadu, India 2Kalasalingam Academy of Research and Education, Virudhunagar, Tamil Nadu, India |
| Е-mail | kalaiselvi20142@gmail.com |
| Випуск | Том 14, Рік 2022, Номер 6 |
| Дати | Одержано 20 вересня 2022; у відредагованій формі 20 грудня 2022; опубліковано online 27 грудня 2022 |
| Посилання | K. Kalai Selvi, K.S. Dhanalakshmi, Ж. нано- електрон. фіз. 14 № 6, 06014 (2022) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.14(6).06014 |
| PACS Number(s) | 85.30.Tv |
| Ключові слова | Тунельний польовий транзистор (FET), Лінійно-градуйована структура, Підпорогове коливання (SS) (3) , Вертикальний TFET, Ефективність генерації міжелектродної провідності. |
| Анотація |
У статті досліджено лінійно градуйовані характеристики роботи виходу (LG-W) за допомогою композиції затворного електрода із бінарного металевого сплаву aσb1 – σ у стеку high-k затворів із діелектричною кишенею у вертикально орієнтованому FET (VTFET). Пристрій VTFET побудовано з використанням затворного електрода з бінарного металевого сплаву з лінійно градуйованою роботою виходу та повітряною кишенею. Пропоновані показники ефективності конструкції оцінюються та порівнюються з сучасними аналогами. Інтеграція LG-W з VTFET із стеком затворів разом із повітряною кишенею (SG-LG-VTFET із повітряною кишенею) показує покращення продуктивності за допомогою таких показників, як струм увімкнення пристрою (ION), підпорогове коливання (SS), міжелектродна провідність (gm), а також ефективність генерації міжелектродної провідності (TGE). SG-LG-VTFET з повітряною кишенею генерує SS, рівний 13,92 мВ/дек. Крім того пристрій демонструє вищий ION (3,6x10 – 5 А/мкм) із співвідношенням ION/IOFF, що складає 1012. Завдяки включенню LG-W і повітряної кишені спостерігається вузький вигин смуги, що призводить до більш високого тунелювання та крутішого SS. Багатошаровий high-k діелектричний матеріал підсилює ємнісний зв’язок. Продуктивність пристрою порівнюється з продуктивністю пристрою VTFET за відсутності діелектричної кишені. Діелектрична кишеня збільшує електричне поле, що є бажаним явищем для збільшення струму ION. Для майбутніх застосувань можливе масштабування SS, що може збільшити швидкість тунелювання електронів. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Механізми генерації струму в діодах Шотткі графен/p-CdTe [06001-1-06001-5]2) Тонкі плівки на основі MWCNT, отримані методом CVD, та деякі їх застосування [06002-1-06002-4]
3) Реологічний аналіз нанобурового розчину на основі TiO2 [06003-1-06003-5]
4) Дизайн і концепція платформи, яка дозволяє з’єднувати різні сонячні панелі та навантаження через понижуючий перетворювач DC-DC [06004-1-06004-6]
5) Швидкість осадження та електрохімічна корозійна поведінка композитних покриттів на основі нікелю [06005-1-06005-5]
6) Послідовна реологічна поведінка рідини на основі форміату при бурінні та капітальному ремонті свердловин [06006-1-06006-4]
7) Безсвинцеві п’єзоелектричні матеріали для медичної роботи [06007-1-06007-4]
8) Вплив тепловідводу на механічні, металургійні та мікроструктурні характеристики різнорідних з’єднань Al6061 та Al5052, виготовлених точковим зварюванням тертям із перемішуванням [06008-1-06008-5]
9) Вплив наночастинок у технології підвищення вилучення нафти на основі полімерів [06009-1-06009-4]
10) Стиснення MHD потоку разом із теплопередачею між паралельними пластинами за допомогою методу диференціального перетворення [06010-1-06010-5]
11) Калібрування мікроскопічної вимірювальної системи методом проекцій закодованих періодичних шаблонів [06011-1-06011-5]
12) Особливості сегрегації включень та мікроструктура зливків кремнію, отриманих електронно-променевим рафінуванням металургійного кремнію [06012-1-06012-5]
13) Компактна та мініатюрна дводіапазонна антена-мітка на основі метаматеріалу для IoT, технології RFID та додатків лікарняних послуг [06013-1-06013-6]
14) Параметричний аналіз шляхом моделювання брегівських ґраток та їх застосування як датчика [06015-1-06015-5]
15) Чисельне моделювання росту тонких плівок шляхом випадкового осадження з випаровуванням частинок [06016-1-06016-6]
16) Структурні та оптичні властивості нанокристалічних порошків оксиду міді індію, отриманих методом твердофазної реакції [06017-1-06017-5]
17) Новий підхід до проектування дводіапазонного смугового мікрохвильового фільтра (DBBPF) на основі квадратних симетричних резонаторів з метаматеріалу (SSRR) для додатків X- та Ku- діапазонів [06018-1-06018-5]
18) Дослідження фотолюмінесценції та термолюмінесценції нанолюмінофору алюмінату цинку, легованого диспрозієм (Dy3+) (Zn0.97Al2O4:0.03Dy) [06019-1-06019-6]
19) Релаксація електронного збудження молекули на шляху спіропіран ↔ мероціанін [06020-1-06020-7]
20) Покращена 4-портова MIMO антена на основі зменшення електромагнітного взаємного зв'язку з використанням CSRRs з метаматеріалу для додатків Sub-6 ГГц 5G [06021-1-06021-5]
21) Дослідження впливу оптимального складу електроліту на зародження та ріст тонких плівок сплаву Ni-Fe [06022-1-06022-5]
22) Вплив товщини плівки на властивості тонких плівок Co-ZnO, отриманих золь-гель методом [06023-1-06023-6]
23) Аналіз тертя, зношування та в’язкості мастила понгамієвої олії на основі наночастинок Fe3O4 [06024-1-06024-4]
24) Точково-контактна спектроскопія Mo/Si надґраток [06025-1-06025-4]
25) Сенсорні методи виявлення поліциклічних ароматичних вуглеводнів (PAHs) у промислових стічних водах [06026-1-06026-5]
26) Останні досягнення в електрохімічному перетворенні вуглекислого газу [06027-1-06027-5]
27) Поведінка міді CAD 110 (матеріал радіатора) як фрактальної структурованої антени RFID під час експлуатації при високій температурі [06028-1-06028-5]
28) Механічна спектроскопія і внутрішнє тертя в SiO2/Si [06029-1-06029-7]
29) Вплив нанорозмірних активних частинок розплаву та поверхні електрода на процеси перенесення заряду на межі розділу електрод/розплав [06030-1-06030-3]
30) Концентраційна залежність термодинамічних і динамічних параметрів високоентропійних сплавів [06031-1-06031-4]
31) Моделювання анормальної поведінки діода Шотткі на основі 6H-SiC за допомогою функції Ламберта [06032-1-06032-4]
32) Моделювання тандемного сонячного елементу CZTS/CZTSe за допомогою програмного забезпечення SCAPS-1D [06033-1-06033-10]
33) Про одне вдосконалення методу апроксимуючих функцій для задач з нелінійними середовищами [06034-1-06034-6]
