Розробка та впровадження безлегуючого MBCFET на основі зарядової плазми з використанням надтонкого Ge для низькопотужних застосувань
| Автори | S. Ashok Kumar, U. Girish, S.V. Gokul, K. Guna Prasath |
| Афіліація | 1Department of Electronics and Communication Engineering, Karpagam Academy of Higher Education, Coimbatore, TamilNadu, India |
| Е-mail | 6691ashok@gmail.com |
| Випуск | Том 17, Рік 2025, Номер 4 |
| Дати | Одержано 15 травня 2025; у відредагованій формі 21 серпня 2025; опубліковано online 29 серпня 2025 |
| Цитування | S. Ashok Kumar, U. Girish, S.V. Gokul, K. Guna Prasath, Ж. нано- електрон. фіз. 17 № 4, 04035 (2025) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.17(4).04035 |
| PACS Number(s) | 82.33.Xj, 85.40. – e |
| Ключові слова | Плазмовий заряд, MBCFET (2) , SRAM (5) , Інвертор (7) . |
| Анотація | У цій роботі представлено нову стратегію підвищення рухливості електронів шляхом використання надтонкої чистої підкладки Si/Ge/Si в багатомостовому канальному MOSFET-транзистори на основі зарядової плазми без легування. Завдяки інтеграції надтонких шарів чистого Ge з багатомостовою архітектурою каналів, керованою зарядовою плазмою, запропонований підхід максимізує ефективність транспортування носіїв заряду. Використовуючи концепцію зарядової плазми, труднощі хімічного легування зменшуються для субнанометрових пристроїв. Конструкція пристрою включає пряме осадження надтонких шарів кристалів Ge на об'ємну кремнієву пластину, інтегровану з кількома мостовими каналами для покращення продуктивності MOSFET. Результати дослідження підкреслюють помітні покращення, включаючи покращену рухливість електронів, мінімізований гістерезис та чудові вольт-амперні характеристики. Ця інтегрована методологія забезпечує точне керування затвором, оптимізовану динаміку носіїв та загальну покращену продуктивність транзисторів, прокладаючи шлях для досягнень наступного покоління напівпровідникових технологій. Враховуючи, що транзистори є основою напівпровідникової технології, їх еволюція значно сприяла мініатюризації та ефективності сучасних електронних систем. Було проведено комплексний аналіз динаміки носіїв заряду з використанням моделі рухливості Ломбарді, доповненої механізмами рекомбінації Шоклі-Ріда-Холла (SRH) та Оже-рекомбінації для врахування рекомбінації неосновних носіїв. Було проведено аналіз інверторної та 6T SRAM. Результати порівняння інверторної, читальної та записуючої пам'яті показують кращу продуктивність, коли Ge включено між кремнієвим матеріалом. |
|
Перелік посилань English version of article |
Інші статті цього номера
1) Моделювання пробою p-n переходу на основі GaAs з використанням методу молекулярної динаміки [04001-1-04001-6]2) Роль зернограничного зміцнення в збільшенні мікротвердості алюмінієвих сплавів, опромінених сильнострумовим імпульсним пучком електронів [04002-1-04002-6]
3) Теоретичне та експериментальне дослідження імплантату внутрішнього вуха людини з ультразвуковою лінією зв’язку [04003-1-04003-8]
4) Морфологічні та оптичні властивості кремнієвих мікронаноструктур, індукованих коронним розрядом постійного струму за атмосферного тиску [04004-1-04004-7]
5) Похиле падіння E-поляризованих фотонів на нескінченну періодичну ґратку металевих стрічок [04005-1-04005-5]
6) Мікрохвильовий фотомодуляційний метод для неінвазивного аналізу профілів легування в неоднорідних напівпровідникових структурах [04006-1-04006-6]
7) Про підвищення чутливості резонаторного зонда з осьовою симетрією в локальній мік-рохвильовій діагностиці нанорозмірних об'єктів [04007-1-04007-7]
8) Фізична електроніка систем п’єзокерамічних перетворювачів і її залежність від характеру електричного збудження систем [04008-1-04008-1]
9) Покращення здатності датчика на основі ZnO до виявлення газу: вплив статичного потенціалу [04009-1-04009-7]
10) Близькоповерхнева надпровідність у топологічних ниткоподібних кристалах GaSb і Bi2Se3 [04010-1-04010-1]
11) Прогнозування споживання електроенергії за допомогою моделі ARIMA-LSTM [04011-1-04011-4]
12) Вплив електромагнітного та оптичного випромінювання на фізичні та біологічні системи [04012-1-04012-5]
13) Виготовлення біополімерних нанокомпозитних екранів електромагнітних перешкод на основі багаси з цукрової тростини та PVA/PANI/MWCNT, а також оцінка ефективності екранування залежно від різного складу [04013-1-04013-6]
14) Нано-вдосконалені IoT-датчики та гібридні алгоритми планування для розумного сільського господарства: багаторівнева структура для сталого розвитку [04014-1-04014-6]
15) Стабілізація невизначених систем із затримкою у скінченному часі з використанням нового підходу інтегральної нерівності [04015-1-04015-6]
16) Інфляційні космологічні моделі з використанням типів Б’янкі II-IX: математичний підхід [04016-1-04016-5]
17) Сольвотермічний синтез та комплексна характеристика високоякісного оксиду графену [04017-1-04017-5]
18) Портативна антена з пазами та прорізами для медичних застосувань [04018-1-04018-5]
19) Високоізольована компактна чотирипелюсткова UWB MIMO-антена з шестигранним слотом для розширених застосувань 5G та промислового інтернету речей [04019-1-04019-5]
20) Компактна широкосмугова мікросмужкова патч-антена для 5G-зв’язку [04020-1-04020-5]
21) Покращення продуктивності мікросмужкової круглої кільцевої дводіапазонної патч-антени з мінімальним відбиттям для ефективних застосувань бездротового зв’язку [04021-1-04021-5]
22) Ефективна мініатюрна патч-антена для бездротового зв’язку малої дальності [04022-1-04022-5]
23) Y-подібні патчі масивної MIMO-антени для вимірювання продуктивності при застосуванні 6G [04023-1-04023-5]
24) Гібридна мініатюрна надширокосмугова мікросмужкова антена для 5G застосувань та дистанційного зондування [04024-1-04024-5]
25) Покращення продуктивності за допомогою 2 2 одноелементної масивної MIMO-антени у 6G пристроях [04025-1-04025-5]
26) Гнучка широкосмугова антена для застосувань у C-діапазоні та X-діапазонах [04026-1-04026-5]
27) Інтелектуальний підхід до аналізу заборонених зон у напівпровідникових наноматеріалах [04027-1-04027-5]
28) Оптимізація виявлення дефектів в атомних матеріалах з використанням графенового шару [04028-1-04028-5]
29) Підхід до прогнозування ефективності фільтрації в нанокомпозитних мембранах з використанням 2D-матеріалів [04029-1-04029-6]
30) Метод оптимізації для оцінки параметрів сонячних фотоелектричних систем з використанням наноматеріалів [04030-1-04030-5]
31) [04030-1-04030-6]
32) Покращення рентгенотерапії: дослідження наноматеріалів на основі сульфіду вісмуту методом Монте-Карло [04032-1-04032-5]
33) Наномодифікований бетон для екстремальних умов: підвищення довговічності за допомогою нанодобавок та цементної нанотехнології [04034-1-04034-5]
34) Наночастинки гадолінію: перспективний агент для посилення радіотерапії при низьких концентраціях [04036-1-04036-6]
35) Мікрохвильові поглинальні властивості композитного матеріалу на основі полівінілхлориду та ітрієвого гранату [04037-1-04037-7]
