Автори | С. Бабиченко, О. Бабиченко, О. Галат |
Афіліація |
Харківський національний університет радіоелектроніки, кафедра мікроелектроніки, електронних приладів та пристроїв, Харків, Україна |
Е-mail | serhii.babychenko@nure.ua |
Випуск | Том 17, Рік 2025, Номер 4 |
Дати | Одержано 03 травня 2025; у відредагованій формі 18 серпня 2025; опубліковано online 29 серпня 2025 |
Цитування | С. Бабиченко, О. Бабиченко, О. Галат, Ж. нано- електрон. фіз. 17 № 4, 04006 (2025) |
DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.17(4).04006 |
PACS Number(s) | 81.70.Eх, 84.40. – х |
Ключові слова | Мікрохвильова діагностика (2) , Неруйнівний контроль (2) , Напівпровідникові структури, Неоднорідне легування, Профіль питомої провідності, Добротність (7) , Оптичне опромінення, Резонатор (25) , Коефіцієнт поглинання (3) . |
Анотація |
Представлено неруйнівний мікрохвильовий метод контролю неоднорідно легованих напівпровідникових структур, який дає змогу з високою точністю відновлювати довільний профіль розподілу питомої електропровідності вздовж товщини зразка. Метод ґрунтується на аналізі змін добротності мікрохвильового резонатора під час опромінення зразка світлом змінної довжини хвилі. Запропоновано математичну модель, що включає дискретизацію зразка за товщиною, розв’язання рівняння неперервності для носіїв заряду та характеристичного рівняння резонансної системи. Показано, що глибина зондованого шару визначається коефіцієнтом поглинання, який залежить від довжини хвилі падаючого оптичного випромінювання. Розроблений підхід забезпечує високу просторову роздільну здатність і точність вимірювань, що робить його ефективним інструментом для контролю якості матеріалів у сучасних мікроелектронних технологіях. |
Перелік посилань |