Дослідження впливу high-k діелектриків затвору та хіральності на характеристики нанорозмірного CNTFET

Автори L. Renuka Devi1, N. Arumugam1 , J.E. Jayanthi1, T.S. Arun Samuel1 , T. Ananth Kumar2
Приналежність

1Department of ECE, National Engineering College, Kovilpatti, India

2Department of ECE, IFET College of Engineering, Villupuram, India

Е-mail ramyalingaraj9715@gmail.com
Випуск Том 13, Рік 2021, Номер 2
Дати Одержано 12 лютого 2021; у відредагованій формі 15 квітня 2021; опубліковано online 20 квітня 2021
Посилання L. Renuka Devi, N. Arumugam, J.E. Jayanthi, та ін., Ж. нано- електрон. фіз. 13 № 2, 02026 (2021)
DOI https://doi.org/10.21272/jnep.13(2).02026
PACS Number(s) 61.48.De, 61.46. + w
Ключові слова CNTFET (9) , Площинний (2) , Коаксіальний (5) , Хіральність (3) .
Анотація

Польові транзистори з вуглецевих нанотрубок (CNTFETs) мають особливі властивості, такі як над-висока теплопровідність, балістичний транспорт, найвища густина струму та надзвичайно висока меха-нічна міцність. Завдяки цим чудовим характеристикам очікувалося, що вони будуть використовуватися як матеріал для кабелів та як альтернативний матеріал каналів для розширення характеристик CMOS структур. У роботі обговорюються площинна та коаксіальна геометрії з різними значеннями хі-ральності, аналізуються різноманітні параметри з різними діелектричними матеріалами, такими як SiO2, HfO2 та Y2O3 для поліпшення струму Ion, а також підпорогових коливань. Це покращило такі ха-рактеристики пристрою, як робоча напруга та відношення Ion/Ioff, густина/діаметр, потенціал/діаметр, енергія/DOS. Запропонований підхід забезпечує корисний та інтегративний метод виготовлення елек-тронних пристроїв з нанорозмірних електронних матеріалів.

Перелік посилань