Автори | L. Renuka Devi1, N. Arumugam1 , J.E. Jayanthi1, T.S. Arun Samuel1 , T. Ananth Kumar2 |
Афіліація |
1Department of ECE, National Engineering College, Kovilpatti, India 2Department of ECE, IFET College of Engineering, Villupuram, India |
Е-mail | ramyalingaraj9715@gmail.com |
Випуск | Том 13, Рік 2021, Номер 2 |
Дати | Одержано 12 лютого 2021; у відредагованій формі 15 квітня 2021; опубліковано online 20 квітня 2021 |
Цитування | L. Renuka Devi, N. Arumugam, J.E. Jayanthi, та ін., Ж. нано- електрон. фіз. 13 № 2, 02026 (2021) |
DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.13(2).02026 |
PACS Number(s) | 61.48.De, 61.46. + w |
Ключові слова | CNTFET (9) , Площинний (2) , Коаксіальний (5) , Хіральність (3) . |
Анотація |
Польові транзистори з вуглецевих нанотрубок (CNTFETs) мають особливі властивості, такі як над-висока теплопровідність, балістичний транспорт, найвища густина струму та надзвичайно висока меха-нічна міцність. Завдяки цим чудовим характеристикам очікувалося, що вони будуть використовуватися як матеріал для кабелів та як альтернативний матеріал каналів для розширення характеристик CMOS структур. У роботі обговорюються площинна та коаксіальна геометрії з різними значеннями хі-ральності, аналізуються різноманітні параметри з різними діелектричними матеріалами, такими як SiO2, HfO2 та Y2O3 для поліпшення струму Ion, а також підпорогових коливань. Це покращило такі ха-рактеристики пристрою, як робоча напруга та відношення Ion/Ioff, густина/діаметр, потенціал/діаметр, енергія/DOS. Запропонований підхід забезпечує корисний та інтегративний метод виготовлення елек-тронних пристроїв з нанорозмірних електронних матеріалів. |
Перелік посилань |