Морфологічні та електричні характеристики SiNWs, синтезованих методом безелектричного хімічного травлення за допомогою металів

Автори Rabina Bhujel1, Sadhna Rai1, Utpal Deka2, Joydeep Biswas3, Bibhu Prasad Swain4
Приналежність

1Centre for Materials Science and Nanotechnology, Sikkim Manipal Institute of Technology, Sikkim Manipal University, Majhitar, Rangpo-737136, East Sikkim, India

2Department of Physics, Sikkim Manipal Institute of Technology, Sikkim Manipal University, Majhitar, Rangpo-737136, East Sikkim, India

3Department of Chemistry, Sikkim Manipal Institute of Technology, Sikkim Manipal University, Majhitar, Rangpo-737136, East Sikkim, India

4Department of Physics, National Institute of Technology, Manipur, Langol-795004, India

Е-mail bibhuprasad.swain@gmail.com
Випуск Том 13, Рік 2021, Номер 2
Дати Одержано 10 січня 2021; у відредагованій формі 25 березня 2021; опубліковано online 09 квітня 2021
Посилання Rabina Bhujel, Sadhna Rai, Utpal Deka, та ін., Ж. нано- електрон. фіз. 13 № 2, 02003 (2021)
DOI https://doi.org/10.21272/jnep.13(2).02003
PACS Number(s) 81.16.Be
Ключові слова SiNWs (2) , EMACE, SEM (112) , Вольт-амперні характеристики (11) .
Анотація

Кремнієві нанодроти (SiNWs) синтезували, застосовуючи двоступеневий метод безелектричного хімічного травлення за допомогою металів (EMACE), беручи срібло як металевий каталізатор. Вплив концентрації AgNO3 на ріст SiNWs вивчали з використанням скануючих електронно-мікроскопічних зображень SiNWs. Підтвердження кремнієвого матеріалу було здійснено за допомогою рентгенівської дифракції (XRD) та енергодисперсійного рентгенівського (EDS) спектра SiNWs. Як було виявлено, оптимальна концентрація, необхідна для росту SiNWs, становила 20 і 25 мМ розчину AgNO3. Як очікувалося, вольт-амперні характеристичні криві для SiNWs показують діодні характеристики з утворенням випрямляючого переходу. Струм, отриманий в області зворотного зміщення, є дуже низьким, порядку 10 – 7, для SiNWs, синтезованих з використанням 20 мМ AgNO3 порівняно з використанням 25 мМ AgNO3, що пояснює його перевагу в застосуванні фотодіодів надмалих розмірів з високою чутливістю. Тому дана дослідницька робота показує різноманітність застосувань SiNWs в електротехніці, оптоелектроніці, а також в датчиках завдяки дуже хорошій електропровідності та діодним характеристикам.

Перелік посилань