Автори | Rabina Bhujel1, Sadhna Rai1, Utpal Deka2, Joydeep Biswas3, Bibhu Prasad Swain4 |
Афіліація |
1Centre for Materials Science and Nanotechnology, Sikkim Manipal Institute of Technology, Sikkim Manipal University, Majhitar, Rangpo-737136, East Sikkim, India 2Department of Physics, Sikkim Manipal Institute of Technology, Sikkim Manipal University, Majhitar, Rangpo-737136, East Sikkim, India 3Department of Chemistry, Sikkim Manipal Institute of Technology, Sikkim Manipal University, Majhitar, Rangpo-737136, East Sikkim, India 4Department of Physics, National Institute of Technology, Manipur, Langol-795004, India |
Е-mail | bibhuprasad.swain@gmail.com |
Випуск | Том 13, Рік 2021, Номер 2 |
Дати | Одержано 10 січня 2021; у відредагованій формі 25 березня 2021; опубліковано online 09 квітня 2021 |
Цитування | Rabina Bhujel, Sadhna Rai, Utpal Deka, та ін., Ж. нано- електрон. фіз. 13 № 2, 02003 (2021) |
DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.13(2).02003 |
PACS Number(s) | 81.16.Be |
Ключові слова | SiNWs (2) , EMACE, SEM (118) , Вольт-амперні характеристики (14) . |
Анотація |
Кремнієві нанодроти (SiNWs) синтезували, застосовуючи двоступеневий метод безелектричного хімічного травлення за допомогою металів (EMACE), беручи срібло як металевий каталізатор. Вплив концентрації AgNO3 на ріст SiNWs вивчали з використанням скануючих електронно-мікроскопічних зображень SiNWs. Підтвердження кремнієвого матеріалу було здійснено за допомогою рентгенівської дифракції (XRD) та енергодисперсійного рентгенівського (EDS) спектра SiNWs. Як було виявлено, оптимальна концентрація, необхідна для росту SiNWs, становила 20 і 25 мМ розчину AgNO3. Як очікувалося, вольт-амперні характеристичні криві для SiNWs показують діодні характеристики з утворенням випрямляючого переходу. Струм, отриманий в області зворотного зміщення, є дуже низьким, порядку 10 – 7, для SiNWs, синтезованих з використанням 20 мМ AgNO3 порівняно з використанням 25 мМ AgNO3, що пояснює його перевагу в застосуванні фотодіодів надмалих розмірів з високою чутливістю. Тому дана дослідницька робота показує різноманітність застосувань SiNWs в електротехніці, оптоелектроніці, а також в датчиках завдяки дуже хорошій електропровідності та діодним характеристикам. |
Перелік посилань |