Автори | С.М. Дуванов1 , А.Г. Балог2 |
Афіліація | 1 Інститут прикладної фізики, Національна академія наук України, вул. Петропавлівська, 58, 40030 Суми, Україна 2 Інститут матеріалознавства, Дармштадській технічній університет, вул. Петерзен, 23, 64287 Дармштадт, Німеччина |
Е-mail | smduvanov@ukr.net |
Випуск | Том 7, Рік 2015, Номер 2 |
Дати | Одержано 14.04.2015, опубліковано online - 10.06.2015 |
Цитування | С.М. Дуванов, А.Г. Балог, Ж. нано- електрон. фіз. 7 № 2, 02028 (2015) |
DOI | |
PACS Number(s) | 68.55, 68.55. – a, 66.30.Pa |
Ключові слова | Сплав Ti-6Al-4V (2) , Іонна імплантація (6) , Термічний відпал (5) , Окислення (13) , Дифузія (34) , Наночастка (2) . |
Анотація | У даній роботі спостерєжено формування приповерхневої бар’єрної композитної окисної плівки та швидка дифузія імплантованих ізотопів 18O в модифікованих шарах сплаву Ti-6Al-4V. Друга стадія дифузії протікає у швидкому та надшвидкому режимах. Модифікація зразків була виконана з використанням іонної імплантації та наступного термічного відпалу. Параметри іонної імплантації: енергія іонів 18O+ 30 кеВ; флюенс 3 × 1017 іонів/см2; температура RT. Після імплантаційній відпал був реалізований при температурах у діапазоні 100…800 °C з відстанню у 100 °C. Вторинна іонна мас-спетрометрія (ВІМС-SIMS) та скануюча електронна мікроскопія (СЕМ-SEM) виконані для дослідження зразків. З ВІМС-профілів була витягнута залежність величин ефективних коефіцієнтів дифузії (ЕКД) імпланту 18O від температури у ареніусових координатах. Ареніусова крива ЕКД показує, що у сплаві Ti-6Al-4V дифузія 18O-імпланту протікає у дві стадії: i) атермічної, радіаційно-прискореної дифузії при температурах у діапазоні 100-400 °C та ii) швидкої, термічно-активованої при 500-700 °C. Надшвидкий режим дифузії спостерігається при температурі 800 °C та вище. Захисна композитна окисна плівка була утворена в приповерхневих шарах сплаву після відпалу при температурах у діапазоні 400-600 °С. Розчинення цієї плівки виявлено при 700-800 °С. Міграція 18O-імпланту протікає на тлі утворення наступних діелектричних включень нової фази, стабільних аж до відпалу при 800 °С: часток з середнім розміром 30 нм; і стовпчатих нанокристалів, орієнтованих перпендикулярно поверхні зразків. Обговорюються подробиці та можливий механізм міграції 18O-імпланту, утворення поверхневої окисної плівки та диелектрічних нановключень, їх термічна стабільність. |
Перелік посилань |