Застосування обробки в магнітному полі для низькозатратного підвищення ККД кремнієвих фотоелектричних перетворювачів

Автори Р.В. Зайцев
Приналежність

Національний технічний університет «Харківський політехнічний інститут», вул. Фрунзе, 21, 61002 Харків, Україна

Е-mail
Випуск Том 7, Рік 2015, Номер 2
Дати Одержано 14.04.2015, опубліковано online - 10.06.2015
Посилання Р.В. Зайцев, Ж. нано- електрон. фіз. 7 № 2, 02024 (2015)
DOI
PACS Number(s) 84.60.Jt
Ключові слова Монокристалічний кремнієвий фотоелектричний перетворювач, Магнітне поле (30) , Магнітний вініл.
Анотація Експериментально встановлено, що ККД одноперехідних (ОП) монокристалічних кремнієвих фотоелектричних перетворювачів (Si-ФЕП) із горизонтальною діодною n+-p-p+ структурою може зростати приблизно у 1,1 рази після їх обробки при кімнатній температурі на протязі 7 діб перпендикулярно орієнтованим стаціонарним магнітним полем (СМП) з індукцією 0,2 Тл. Це пояснюється зниженням числа рекомбінаційних центрів у базових кристалах ОП Si-ФЕП, на що вказує збільшення часу життя неосновних носіїв заряду у кремнії під впливом СМП. Показано можливість наступної стабілізації досягнутого позитивного ефекту за рахунок пристикування до ОП Si-ФЕП з боку тилового електроду тонкого шару магнітного вінілу, що створює у базовому кристалі магнітне поле з індукцією не більше 0,05 Тл.

Перелік посилань