Автори | Р.В. Зайцев |
Афіліація | Національний технічний університет «Харківський політехнічний інститут», вул. Фрунзе, 21, 61002 Харків, Україна |
Е-mail | |
Випуск | Том 7, Рік 2015, Номер 2 |
Дати | Одержано 14.04.2015, опубліковано online - 10.06.2015 |
Цитування | Р.В. Зайцев, Ж. нано- електрон. фіз. 7 № 2, 02024 (2015) |
DOI | |
PACS Number(s) | 84.60.Jt |
Ключові слова | Монокристалічний кремнієвий фотоелектричний перетворювач, Магнітне поле (31) , Магнітний вініл. |
Анотація | Експериментально встановлено, що ККД одноперехідних (ОП) монокристалічних кремнієвих фотоелектричних перетворювачів (Si-ФЕП) із горизонтальною діодною n+-p-p+ структурою може зростати приблизно у 1,1 рази після їх обробки при кімнатній температурі на протязі 7 діб перпендикулярно орієнтованим стаціонарним магнітним полем (СМП) з індукцією 0,2 Тл. Це пояснюється зниженням числа рекомбінаційних центрів у базових кристалах ОП Si-ФЕП, на що вказує збільшення часу життя неосновних носіїв заряду у кремнії під впливом СМП. Показано можливість наступної стабілізації досягнутого позитивного ефекту за рахунок пристикування до ОП Si-ФЕП з боку тилового електроду тонкого шару магнітного вінілу, що створює у базовому кристалі магнітне поле з індукцією не більше 0,05 Тл. |
Перелік посилань |