Optimization of Band Gap and Thickness for the Development of Efficient n-i-p+ Solar Cell
| Автори | A. Belfar , B. Amiri , H. Aït-kaci |
| Приналежність | Laboratory of plasma physics, Conductor Materials and their Applications, Faculty of Physics, Oran University of Sciences and Technology Mohamed Boudiaf USTO-MB, BP1505 Oran, Algeria |
| Е-mail | a_belfar@hotmail.com |
| Випуск | Том 7, Рік 2015, Номер 2 |
| Дати | Одержано 05.02.2015, у відредагованій формі - 05.06.2015, опубліковано online - 10.06.2015 |
| Посилання | A. Belfar, B. Amiri, H. Aït-kaci, J. Nano- Electron. Phys. 7 No 2, 02007 (2015) |
| DOI | |
| PACS Number(s) | 73.40.Lq, 78.20.Bh |
| Ключові слова | Solar cells (17) , a-Si , H (2) , Thickness (13) , Window layer, nc-SiOx , H; Simulation, AMPS-1D (10) . |
| Анотація | By using an electrical-optical AMPS-1D program (One Dimensional Analysis of Microelectronic and Photonic structures), a n-i-p type solar cell, based on hydrogenated amorphous silicon (a-Si : H) and hydrogenated nanocrystalline silicon oxide (nc-SiOx : H) has been investigated and simulated. The numerical analysis describes the modeling of the external cell performances, like, the short-circuit current (JSC), the open circuit voltage (VOC), the fill factor (FF) and efficiency (Eff) with the oxygen content in the p-nc-SiOx : H window layer by varying its mobility band gap (Eg) associated simultaneously to the effect of the absorber layer (i-a-Si : H) thickness. Also, the i-a-Si : H absorber layer band gap was optimized. The simulation result shows that the VOC depend strongly on the band offset (ΔEV) in valence band of p-side. But, VOC does not depend on the thickness of the intrinsic layer. However, VOC increases when the energy band gap of the intrinsic layer is higher. It is demonstrated that the highest efficiency of 10.44 % (JSC = 11.67 mA/cm2; FF = 0.829; VOC = 1070 mV) has been obtained when values of p-nc-SiOx : H window layer band gap, i-a-Si : H absorber layer band gap and i-a-Si : H absorber layer thickness are 2.10 eV, 1.86 eV, and 550 nm, respectively. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) AC Impedance Analysis of the Al/ZnO/p-Si/Al Schottky Diode: C-V Plots and Extraction of Parameters [02001-1-02001-4]2) Surface Potential and Threshold Voltage Model of Fully Depleted Narrow Channel SOI MOSFET Using Analytical Solution of 3D Poisson’s Equation [02002-1-02002-5]
3) Deformed Quantum Energy Spectra with Mixed Harmonic Potential for Nonrelativistic Schrödinger Equation [02003-1-02003-6]
4) Overview of Nanotechnology in Road Engineering [02004-1-02004-6]
5) Вплив типу розподілу міжатомних відстаней на функцію радіального розподілу аморфних речовин [02005-1-02005-5]
6) Design and Modeling of an Integrated Inductor in a Buck Converter DC-DC [02006-1-02006-6]
7) Вплив температури відновлення оксида графена на низькотемпературну сорбцію водню [02008-1-02008-4]
8) Порівняння способів одержання сферичних наночастинок магнетитув полісахаридних оболонках [02009-1-02009-6]
9) Дослідження польових та температурних залежностей опору нанокарбонів, модифікованих нікелем та кобальтом [02010-1-02010-6]
10) Електрохімічні властивості легованих азотом наноструктурних алмазних покриттів, що синтезовані в плазмі тліючого розряду постійного струму [02011-1-02011-5]
11) Літієвий ферит у ролі катоду хімічних джерел струму: перспективи застосування золь-гель методу синтезу [02012-1-02012-7]
12) Структура і елементний склад плівок Pb1 – xSnxS [02013-1-02013-7]
13) Електронні властивості кристалу цирконію з вакансіями та динаміка вакансій: ab-initio розрахунки та молекулярна динаміка [02014-1-02014-7]
14) Модернізований метод усереднених характеристик для розв’язування задач мультигармонічних резонансних взаємодій у пристроях сильнострумової електроніки [02015-1-02015-8]
15) Отримання плівок карбіду кремнію методом магнетронного розпилення складового вуглець-кремнієвої мішені [02016-1-02016-5]
16) Пористий вуглецевий матеріал з рослинної сировини як поляризаційна складова електродів суперконденсаторів [02017-1-02017-3]
17) Енергетичні характеристики металевої наноплівки в діелектричному оточенні [02018-1-02018-5]
18) Про моделювання умов збудження черенковського та дифракційного випромінювань на періодичних металодіелектричних структурах [02019-1-02019-9]
19) Кристалографічний та орієнтаційний характер нанокристалітів у тонкоплівкових конденсатах PbTe-Bi2Te3 на ситалі [02020-1-02020-8]
20) Високочастотна провідність вуглецевих нанотрубок zigzag-конфігурації [02021-1-02021-6]
21) Структуровані нанооб'єкти політетрафторетиленових композитів [02022-1-02022-9]
22) Analysis of the p-i-n-structures Electrophysical Characteristics Influence on the Spectral Characteristics Sensitivity [02023-1-02023-5]
23) Застосування обробки в магнітному полі для низькозатратного підвищення ККД кремнієвих фотоелектричних перетворювачів [02024-1-02024-4]
24) Вплив нанонаповнених полімерних покриттів і магнітного поля на кінетику спаду фото-ЕРС в кристалах кремнію, що використовуються в сонячній енергетиці [02025-1-02025-5]
25) Fabrication and Characterization of ZnSCubic : P3HT, ZnSHexa : P3HT and ZnSHexa : P3HT:PVA-Ag Bulk Heterojunction Solar Cells [02026-1-02026-6]
26) Енергетичний метод пошуку констант розподілу вектора антиферомагнетизму для системи антиточок у двопідгратковому антиферомагнетику [02027-1-02027-9]
27) Окислення поверхні та швидка дифузія 18O-імпланту в наноструктурованих шарах сплаву Ti-6Al-4V [02028-1-02028-5]
28) Extracted Electronic Parameters of a Novel Ag/SnO2:In/Si/Au Schottky Diode for Solar Cell Application [02029-1-02029-4]
29) Текстурування кремнієвої підкладки нанопорами та нанонитками Si для антивідбивних поверхонь сонячних елементів [02030-1-02030-6]
30) Наноелектроніка: ефект Хола і вимірювання електрохімічних потенціалів в концепції «знизу-вгору» [02031-1-02031-15]
31) Fe-doped SnO2: A Quantum-chemical Approach [02032-1-02032-3]
32) Внутрішній розмірний ефект у полікристалічних плівках легкоплавких металів [02033-1-02033-6]
33) Формування багатокомпонентних захисних покриттів на нікелі: структура, фазоутворення, фізико-хімічні властивості [02034-1-02034-7]
34) Вплив потенціалу зміщення на фазовий склад, структуру, субструктуру і механічні характеристики багатошарової системи TiN / ZrN, отриманої вакуумно-дуговим випаровуванням [02035-1-02035-6]
35) Напівпровідникові наноматеріали і нанокристали [02036-1-02036-12]
36) Моделювання робочих характеристик сонячного елементу зі структурою p+-CuO / p-ZnTe / n-CdSe / n-MoSe2 / Mo [02037-1-02037-5]
37) Вплив експериментального зневоднення організму на структурні характеристики мінералу губчастої кісткової тканини [02038-1-02038-5]
38) Slab Waveguide Sensor with Left-handed Material Core Layer for Detection an Adlayer Thickness and Index [02039-1-02039-6]
39) Адгезійна міцність багатоелементних покриттів системи (TiNbCrZrSi)N [02040-1-02040-5]
40) Вплив іонів Ce3 + на інфрачервоне випромінювання Ca3Sc2Si3O12, легованого іонами Eu2 + [02041-1-02041-5]
41) Вплив високовольтного імпульсного потенціалу, що подається на підкладку, на фазовий склад і структуру вакуумно-дугових покриттів TiN [02042-1-02042-5]
42) Conduction Mechanisms in Polypyrrole-Copper Nanocomposites [02043-1-02043-4]
43) Тунельна провідність надпровідного індію в пористому склі [02044-1-02044-4]
