Моделювання робочих характеристик сонячного елементу зі структурою p+-CuO / p-ZnTe / n-CdSe / n-MoSe2 / Mo

Автори А.С. Опанасюк1 , М.М. Іващенко2, І.П. Бурик2, В.А. Мороз2
Приналежність

1 Сумський державний університет, вул. Римського-Корсакова, 2, 40007 Суми, Україна

2 Конотопський інститут Сумського державного університету, пр. Миру, 24, 41600 Конотоп, Україна

Е-mail
Випуск Том 7, Рік 2015, Номер 2
Дати Одержано 05.03.2015, опубліковано online - 10.06.2015
Посилання А.С. Опанасюк, М.М. Іващенко, І.П. Бурик, В.А. Мороз, Ж. нано- електрон. фіз. 7 № 2, 02037 (2015)
DOI
PACS Number(s) 85.60.Bt, 78.20.Bh, 73.61.Ga
Ключові слова Сонячний елемент (32) , Гетероперехід р-ZnTe/n-CdSe, Моделювання (75) , Фактор заповнення (3) , Коефіцієнт корисної дії.
Анотація У роботі проведено моделювання основних експлуатаційних характеристик (світлові вольт-амперні характеристики, спектральні залежності квантового виходу) сонячного елементу (СЕ) CuO / ZnTe / CdSe / MoSe2 / Mo. В результаті визначені напруга холостого ходу UOC, густина струму короткого замикання JSC, фактор заповнення FF, коефіцієнт корисної дії приладу в залежності від його конструктивних особливостей (товщини віконного, поглинального та приконтактного шарів) та робочої температури. Встановлені параметри СЕ з максимальною ефективністю.

Перелік посилань