Автори | А.С. Опанасюк1 , М.М. Іващенко2, І.П. Бурик2, В.А. Мороз2 |
Афіліація | 1 Сумський державний університет, вул. Римського-Корсакова, 2, 40007 Суми, Україна 2 Конотопський інститут Сумського державного університету, пр. Миру, 24, 41600 Конотоп, Україна |
Е-mail | |
Випуск | Том 7, Рік 2015, Номер 2 |
Дати | Одержано 05.03.2015, опубліковано online - 10.06.2015 |
Цитування | А.С. Опанасюк, М.М. Іващенко, І.П. Бурик, В.А. Мороз, Ж. нано- електрон. фіз. 7 № 2, 02037 (2015) |
DOI | |
PACS Number(s) | 85.60.Bt, 78.20.Bh, 73.61.Ga |
Ключові слова | Сонячний елемент (34) , Гетероперехід р-ZnTe/n-CdSe, Моделювання (81) , Фактор заповнення (3) , Коефіцієнт корисної дії. |
Анотація | У роботі проведено моделювання основних експлуатаційних характеристик (світлові вольт-амперні характеристики, спектральні залежності квантового виходу) сонячного елементу (СЕ) CuO / ZnTe / CdSe / MoSe2 / Mo. В результаті визначені напруга холостого ходу UOC, густина струму короткого замикання JSC, фактор заповнення FF, коефіцієнт корисної дії приладу в залежності від його конструктивних особливостей (товщини віконного, поглинального та приконтактного шарів) та робочої температури. Встановлені параметри СЕ з максимальною ефективністю. |
Перелік посилань |