Вплив високовольтного імпульсного потенціалу, що подається на підкладку, на фазовий склад і структуру вакуумно-дугових покриттів TiN

Автори О.В. Соболь1 , Н.В. Пінчук1 , A.A. Aндреев2
Приналежність

1 Національний технічний університет «Харківський Політехнічний Інститут», вул. Фрунзе, 21, Харків, Україна

2 Національний науковий центр, Харківський фізико - технічний інститут, вул. Академічна, 1, Харків, Україна

Е-mail sool@kpi.kharkov.ua
Випуск Том 7, Рік 2015, Номер 2
Дати Одержано 15.05.2015, опубліковано online - 10.06.2015
Посилання О.В. Соболь, Н.В. Пінчук, A.A. Aндреев, Ж. нано- електрон. фіз. 7 № 2, 02042 (2015)
DOI
PACS Number(s) 52.77.Dq, 81.07.Bc, 61.05.cp, 61.82.Rx, 68.55.jm
Ключові слова TiN (97) , Покриття (77) , Імпульсний вплив, Потенціал зсуву (7) , Тривалість (4) , Радіаційний фактор, Текстура (11) , Деформація (35) .
Анотація Проаналізовано вплив подачі високовольтного потенціалу в імпульсній формі різної тривалості на формування переважно орієнтованих кристалітів і напружено-деформований стан TiN вакуумно-дугових покриттів. Показано, що осадження покриттів в умовах високовольного каскадоутворюючого впливу призводить до зростання кристалітів з віссю текстури [110] і до зміни напружено-деформованого стану: посилення деформації в групі кристаллитів з віссю [110] і зменшенню деформації в групі кристаллитов з віссю [111]. Отримані результати пояснені збільшенням рухливості атомів і процесами упорядкування в області каскадів зміщення, що утворюються під дією бомбардуючих високоенергетичних іонів, прискорених у полі високовольного імпульсного потенціалу. Побудовано узагальнену залежность типу текстури від величини імпульсного потенціалу та впливу частки тривалості імпульсу, що подається на підкладку, від загального часу осадження.

Перелік посилань