Автори | Н.В. Стецик1, В.Г. Антонюк1 , М.М. Рудка2 |
Афіліація | 1 Львівський національний університет імені Івана Франка, вул. Драгоманова, 50, 79005 Львів, Україна 2 Національий університет “Львівська політехніка”, вул. Ст. Бандери, 12, 79013 Львів, Україна |
Е-mail | stetsyck_natali@ukr.net |
Випуск | Том 7, Рік 2015, Номер 2 |
Дати | Одержано 27.10.2014, опубліковано online - 10.06.2015 |
Цитування | Н.В. Стецик, В.Г. Антонюк, М.М. Рудка, Ж. нано- електрон. фіз. 7 № 2, 02036 (2015) |
DOI | |
PACS Number(s) | 73.21.La, 78.40.Fy, 78.67.Bf |
Ключові слова | Нанокристали (18) , Нанотехнології (8) , Домішки (18) , Легування (29) , Легуючі добавки, Наночастинки (83) , Квантовий ефект (3) . |
Анотація | Дана стаття присвячена огляду нових методів синтезу та легування нанокристалів і спрямована на розширення фундаментального розуміння переносу заряду в цих легованих нанокристаллічних структурах. Список напівпровідникових нанокристалів, які можуть бути легованими є досить великим, тому якщо об'єднати отримані раніше результати, можна згенерувати набір матеріалів з цікавими властивостями. Окрім легування, ще одним перспективним шляхом для збільшення провідності в нанокристалічних структурах є використання нанокристалів з високою іонною провідністю. Стаття також розглядає цю можливість, вивчаючи нові фази змішаних іонних і електронних провідників на нанорівні. Такий універсальний підхід може відкрити нові шляхи для цікавих фундаментальних досліджень, а також закласти основу для створення нових матеріалів з важливим застосуванням. |
Перелік посилань |