Моделювання вихідних параметрів кремнієвих фотоперетворювачів з базовими кристалами і-типу провідності
| Автори | М.В. Кіріченко |
| Афіліація | Національний технічний університет «Харківський політехнічний інститут», вул. Фрунзе, 21, 61002 Харків, Україна |
| Е-mail | |
| Випуск | Том 6, Рік 2014, Номер 4 |
| Дати | Одержано 04.06.2014, у відредагованій формі - 26.11.2014, опубліковано online - 29.11.2014 |
| Цитування | М.В. Кіріченко, Ж. нано- електрон. фіз. 6 No 4, 04027 (2014) |
| DOI | |
| PACS Number(s) | 89.30.CC, 72.40. + w |
| Ключові слова | Фотоперетворювач (4) , Моделювання (81) , Вихідні параметри (4) . |
| Анотація | Проведено експериментальне дослідження та моделювання із використанням програми PC1D вихідних параметрів лабораторних зразків фотоелектричних перетворювачів на основі монокристалічного кремнію і-типу електропровідності. Встановлено, що використання базових кристалів і-типу електропровідності в умовах опромінення АМ0 дозволяє отримувати рекордно високі значення густини фотоструму, котрі сягають 48,6 мА/см2. Проте їх коефіцієнт корисної дії не перевищує 11,6 %. Для розробки фізично обґрунтованого підходу до оптимізації конструктивно-технологічних рішень проаналізовано електронну модель кремнієвого фотоелектричного перетворювача з p+-i-n+ структурою. В ході апробації моделі було одержано серію діаграм розподілу значень коефіцієнта корисної дії досліджуваних фотоелектричних перетворювачів з p+-i-n+ структурою залежно від значень послідовного і шунтувального опорів при густині діодного струму насичення 10 – 7 А/см2, 10 – 8 А/см2 та 10 – 9 А/см2. Наявність таких діаграм при проведенні розробки високоефективних фотоперетворювачів зазначеного типу дозволить не тільки суттєво зменшити витрати на пошукові дослідження, але й забезпечить досягнення необхідного у кожному конкретному випадку оптимального співвідношення між витратами на покращення діодної структури та підвищеним рівнем коефіцієнта корисної дії таких приладів. |
|
Перелік посилань English version of article |
Інші статті цього номера
1) Simulation of Tunnel Junction in Cascade Solar Cell (GaAs/Ge) Using AMPS-1D [04001-1-04001-3]2) Вплив полімерних покриттів на час життя носіїв в кристалах кремнію, що використовуються в сонячній енергетиці [04002-1-04002-4]
3) Effect of High-frequency Laser Radiation on the Graphene Current-voltage Characteristic [04003-1-04003-4]
4) Sensing Properties of Gas Sensor Based on Adsorption of NO2 with Defect, Pristine, Fe and Si-MoS2 Layer [04004-1-04004-3]
5) Improvement of Front Side Contact by Light Induced Plating of c-Si Solar Cell [04005-1-04005-7]
6) Раманівське розсіювання світла другого і третього порядку в об'ємних та вкраплених у скло нанометричних кристалах CdS1 – xSex [04006-1-04006-5]
7) Influence of Electron Irradiation on Optical Properties of ZnSe Thin Films [04007-1-04007-4]
8) Synthesis and Investigation of Nanoscale Structured Magnetic A II(3)BV(2):Mg Films [04008-1-04008-3]
9) Effect of Metal on Characteristics of MPc Organic Diodes [04009-1-04009-3]
10) Volatile Organic Compounds are Ghosts for Organic Solar Cells [04010-1-04010-2]
11) Tribotechnical Properties of the Coatings (Ti-Zr-Nb)N [04011-1-04011-5]
12) Peculiarities of Betavoltaic Battery Based on Si [04012-1-04012-2]
13) Using a Bias Potential in a Constant and Pulse Modes for Structural Engineering Vacuum Arc Nanocrystalline Coatings of Zirconium Nitride [04013-1-04013-5]
14) Формування нанокристалічного гідроксиапатиту в присутності деяких амінокислот [04014-1-04014-5]
15) Chemical Synthesis and Optical Properties of ZnO Nanoparticles [04015-1-04015-2]
16) Дослідження елементного й структурно-фазового складу багатошарових наноструктурних покриттів TiN/MoN, їх фізико-механічні властивості [04016-1-04016-7]
17) Размерный эффект в температурной зависимости удельного сопротивления металлических пленок [04017-1-04017-5]
18) Мультифрактальне дослідження мікрогеометрії поверхні (Ti-Hf-Zr-V-Nb)N нітридних покриттів [04018-1-04018-4]
19) Модифікація зонної структури деформованих квантових дротів InP [04019-1-04019-3]
20) Топологічні особливості парофазних наноструктур SnTe на поліаміді [04020-1-04020-6]
21) Фізико-хімічні умови процесу модифікування поверхні сталей ванадієм, вуглецем та азотом [04021-1-04021-6]
22) Електричні і фотоелектричні властивості поруватого кремнію, модифікованого наночастинками кобальту [04022-1-04022-4]
23) Отримання та деякі особливості окислення наносистем Zn [04023-1-04023-4]
24) Електроопір та магнітоопір модифікованих вуглецевих нанотрубок [04024-1-04024-5]
25) Зіткнення повільних атомів з краєм двовимірної гексагональної структури [04025-1-04025-4]
26) Визначення твердофазної розчинності компонентів в плівковій системі Ag-Ge [04026-1-04026-4]
27) Вплив спін-орбітальної взаємодії на магніто-оптичні спектри InSb квантових точок [04028-1-04028-6]
28) Електретний стан та радіаційне поглинання полівінілхлоридних металонанокомпозитів [04029-1-04029-4]
29) Управління морфологією і властивостями наноструктур цинк оксиду, які виготовляються методом імпульсного електрохімічного осадження [04030-1-04030-8]
30) Вплив термохімічної обробки вуглецевих матеріалів на їх електрохімічні властивості [04031-1-04031-6]
31) Температурні зміни енергії електрона в наноплівках AlxGa1 – xAs / GaAs / AlxGa1 – xAs різної товщини та складу бар’єрного матеріалу [04032-1-04032-3]
32) Формуванні і оптичні властивості наночастинок Ag в тетраборатних склах CaB4O7-Ag2O і CaB4O7-Gd2O3-Ag2O [04033-1-04033-7]
33) Наночастинки хітозану, модифіковані іонами металів [04034-1-04034-6]
34) Оптичні та рекомбінаційні втрати у тонкоплівкових сонячних елементах на основні гетеропереходів n-ZnS(n-CdS) / p-CdTe із струмознімальними контактами ITO та ZnO [04035-1-04035-8]
35) Плащ невидимості з використанням несингулярної координатної трансформації [04036-1-04036-5]
36) Узагальнення моделі «подовжуваний-неподовжуваниймертвий час» на випадок довільної фази реєстрації імпульсів [04037-1-04037-7]
37) Дослідження електричних властивостей InSe інтеркальованого кобальтом [04038-1-04038-5]
38) Структурні та субструктурні особливості апатит-біополімерних композитів: порівняння даних рентгенівської дифракції та просвічуючої електронної мікроскопії з електронною дифракцією [04039-1-04039-6]
39) Дослідження температурних характеристик твердого тіла на мікрорівні за допомогою методу структурних одиниць [04040-1-04040-4]
40) Квантові властивості Блохівської точки – нанорозмірного солітону в феромагнетиках [04041-1-04041-5]
41) Спінтроніка в концепції «знизу-вгору» [04042-1-04042-16]
42) Низькорозмірні структури GaN [04043-1-04043-3]
43) Особливості спектральної інтенсивності розсіяного світла поблизу точки фазового переходу в кристалах ніобата барію-натрію [04044-1-04044-3]
44) Процеси накопичення заряду в електрохімічних системах, сформованих на основі лазерно-опроміненого композиту TiO2/C [04045-1-04045-4]
45) Магніторезистивні та магнітоопричні властивості фрагментів спін-вентильних структур на основі впорядкованих масивів наночастинок Fe3O4 [04046-1-04046-4]
46) Структурні, механічні і оптичні властивості плазмохімічних Si-C-N плівок [04047-1-04047-5]
