Автори | Л.П. Стебленко1 , А.О. Подолян1 , О.О. Коротченков1 , Л.М. Ященко2 , C.М. Науменко1, Д.В. Калініченко1 , Ю.Л. Кобзар1 , А.М. Курилюк1 , В.М. Кравченко1 |
Афіліація | 1 Київський національний університет імені Тараса Шевченка, фізичний факультет, кафедра фізики металі, вул. Володимирська, 64/13, 01601 Київ, Україна 2 Інститут хімії високомолекулярних сполук НАН України, Харківське шосе, 48, 02160, Київ, Україна |
Е-mail | |
Випуск | Том 6, Рік 2014, Номер 4 |
Дати | Одержано 14.05.2014, опубліковано online - 29.11.2014 |
Цитування | Л.П. Стебленко, А.О. Подолян, О.О. Коротченков, та ін., Ж. нано- електрон. фіз. 6 № 4, 04002 (2014) |
DOI | |
PACS Number(s) | 68.35.bg, 61.43.Dq, 61.72.Hh, 73.40.Qv |
Ключові слова | Solar-Si (2) , Час життя носіїв (2) , Магнітне поле (31) , Рентгенівське випромінювання (5) . |
Анотація | Вивчено вплив полімерних покриттів на кінетику спаду фото-ЕРС в кристалах solar-Si в умовах магнітного та рентгенівського впливів. Встановлені особливості в поведінці електрофізичних параметрів вказують на уповільнення спаду фото-ЕРС при наявності на поверхні solar-Si полімерних покриттів. Ці особливості можуть бути обумовлені впливом полімерних покриттів на зниження концентрації рекомбінаційних центрів в кристалах solar-Si. |
Перелік посилань |