Низькорозмірні структури GaN

Автори А.Ф. Дяденчук , В.В. Кідалов
Приналежність

Бердянський державний педагогічний університет, вул. Шмідта, 4, 71100 Бердянськ, Україна

Е-mail
Випуск Том 6, Рік 2014, Номер 4
Дати Одержано 13.05.2014; опубліковано online - 29.11.2014
Посилання А.Ф. Дяденчук, В.В. Кідалов, Ж. нано- електрон. фіз. 6 № 4, 04043 (2014)
DOI
PACS Number(s) 61.43Gt, 78.30Fs, 78.55m
Ключові слова Метод нітридизації, Квантові точки (12) .
Анотація Вперше досліджено низькорозмірні структури GaN на поверхні поруватого GaAs отримані методом нітридизації поруватих шарів GaAs, розглянуто процес електрохімічного травлення GaAs з подальшою обробкою в атомарному азоті, у результаті чого на поверхні GaAs формуються квантові точки GaN. При осаджені на поверхню GaAs відбувається заміщення атомів As атомами N, яке призводить до формуванння тонкого шару GaN на поверхні GaAs. Досліджено їх фотолюмінесценцію і морфологію поверхні методом скануючої електронної спектроскопії.

Перелік посилань