Дослідження елементного й структурно-фазового складу багатошарових наноструктурних покриттів TiN/MoN, їх фізико-механічні властивості
| Автори | Б.О. Постольний1, П. Конарський1,2, Ф.Ф. Комаров3, О.В , Соболь4 , О.В. Кириченко1, Д.С. Шевчук1 |
| Приналежність | 1 Сумський державний університет, вул. Римського-Корсакова, 2, 40007 Суми, Україна 2 Теле-радіо дослідницький інститут, вул. Ратушова, 11, 03-450 Варшава, Польща 3 Білоруський державний університет, пр. Незалежності, 4, 220001 Мінськ, Республіка Білорусь 4 НТУ "Харківський Політехнічний Інститут", вул. Фрунзе, 21, 61002 Харків, Україна |
| Е-mail | b.postolnyi@gmail.com |
| Випуск | Том 6, Рік 2014, Номер 4 |
| Дати | Одержано 01.09.2014, опубліковано online - 29.11.2014 |
| Посилання | Б.О. Постольний, П. Конарський, Ф.Ф. Комаров, та ін., Ж. нано- електрон. фіз. 6 № 4, 04016 (2014) |
| DOI | |
| PACS Number(s) | 61.46. – w, 62.20. – x, 62.25. – g |
| Ключові слова | Нітриди (7) , Наноструктурні покриття (3) , Багатошаровий (2) , Зносостійкість (8) , Твердість (64) , Модуль пружності (12) , Індекс пластичності (3) . |
| Анотація | Ця стаття представляє результати дослідження багатошарових покриттів TiN/MoN. Покриття були отримані шляхом вакуумно-дугового нанесення. Товщина періоду нанорозмірних шарів у покритті складала λ = 8, 25, 50 і 100 нм. Загальна товщина покриттів складала до 8.4 мкм. Зразки досліджувалися за допомогою РЕМ, ПЕМ, ЕДС, РЗР, РСА, МСВІ та наноіндентування. Фактичні значення товщини зразків виявились дещо більшими за очікувані (у більшості випадків на 25 %). Було виявлено формування двофазної системи: стехіометричного TiN (ГЦК) і кубічного γ-Mo2N (ГЦК). Максимальні значення твердості й модуля пружності були отримані для покриття з λ = 8 нм: H = 47 ГПа, E = 470 ГПа. Були розраховані індекс пластичності та його залежність від періоду шарів (λ). Найбільш пластичним покриттям виявився зразок з H / E = 0.1. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Simulation of Tunnel Junction in Cascade Solar Cell (GaAs/Ge) Using AMPS-1D [04001-1-04001-3]2) Вплив полімерних покриттів на час життя носіїв в кристалах кремнію, що використовуються в сонячній енергетиці [04002-1-04002-4]
3) Effect of High-frequency Laser Radiation on the Graphene Current-voltage Characteristic [04003-1-04003-4]
4) Sensing Properties of Gas Sensor Based on Adsorption of NO2 with Defect, Pristine, Fe and Si-MoS2 Layer [04004-1-04004-3]
5) Improvement of Front Side Contact by Light Induced Plating of c-Si Solar Cell [04005-1-04005-7]
6) Раманівське розсіювання світла другого і третього порядку в об'ємних та вкраплених у скло нанометричних кристалах CdS1 – xSex [04006-1-04006-5]
7) Influence of Electron Irradiation on Optical Properties of ZnSe Thin Films [04007-1-04007-4]
8) Synthesis and Investigation of Nanoscale Structured Magnetic A II(3)BV(2):Mg Films [04008-1-04008-3]
9) Effect of Metal on Characteristics of MPc Organic Diodes [04009-1-04009-3]
10) Volatile Organic Compounds are Ghosts for Organic Solar Cells [04010-1-04010-2]
11) Tribotechnical Properties of the Coatings (Ti-Zr-Nb)N [04011-1-04011-5]
12) Peculiarities of Betavoltaic Battery Based on Si [04012-1-04012-2]
13) Using a Bias Potential in a Constant and Pulse Modes for Structural Engineering Vacuum Arc Nanocrystalline Coatings of Zirconium Nitride [04013-1-04013-5]
14) Формування нанокристалічного гідроксиапатиту в присутності деяких амінокислот [04014-1-04014-5]
15) Chemical Synthesis and Optical Properties of ZnO Nanoparticles [04015-1-04015-2]
16) Размерный эффект в температурной зависимости удельного сопротивления металлических пленок [04017-1-04017-5]
17) Мультифрактальне дослідження мікрогеометрії поверхні (Ti-Hf-Zr-V-Nb)N нітридних покриттів [04018-1-04018-4]
18) Модифікація зонної структури деформованих квантових дротів InP [04019-1-04019-3]
19) Топологічні особливості парофазних наноструктур SnTe на поліаміді [04020-1-04020-6]
20) Фізико-хімічні умови процесу модифікування поверхні сталей ванадієм, вуглецем та азотом [04021-1-04021-6]
21) Електричні і фотоелектричні властивості поруватого кремнію, модифікованого наночастинками кобальту [04022-1-04022-4]
22) Отримання та деякі особливості окислення наносистем Zn [04023-1-04023-4]
23) Електроопір та магнітоопір модифікованих вуглецевих нанотрубок [04024-1-04024-5]
24) Зіткнення повільних атомів з краєм двовимірної гексагональної структури [04025-1-04025-4]
25) Визначення твердофазної розчинності компонентів в плівковій системі Ag-Ge [04026-1-04026-4]
26) Моделювання вихідних параметрів кремнієвих фотоперетворювачів з базовими кристалами і-типу провідності [04027-1-04027-5]
27) Вплив спін-орбітальної взаємодії на магніто-оптичні спектри InSb квантових точок [04028-1-04028-6]
28) Електретний стан та радіаційне поглинання полівінілхлоридних металонанокомпозитів [04029-1-04029-4]
29) Управління морфологією і властивостями наноструктур цинк оксиду, які виготовляються методом імпульсного електрохімічного осадження [04030-1-04030-8]
30) Вплив термохімічної обробки вуглецевих матеріалів на їх електрохімічні властивості [04031-1-04031-6]
31) Температурні зміни енергії електрона в наноплівках AlxGa1 – xAs / GaAs / AlxGa1 – xAs різної товщини та складу бар’єрного матеріалу [04032-1-04032-3]
32) Формуванні і оптичні властивості наночастинок Ag в тетраборатних склах CaB4O7-Ag2O і CaB4O7-Gd2O3-Ag2O [04033-1-04033-7]
33) Наночастинки хітозану, модифіковані іонами металів [04034-1-04034-6]
34) Оптичні та рекомбінаційні втрати у тонкоплівкових сонячних елементах на основні гетеропереходів n-ZnS(n-CdS) / p-CdTe із струмознімальними контактами ITO та ZnO [04035-1-04035-8]
35) Плащ невидимості з використанням несингулярної координатної трансформації [04036-1-04036-5]
36) Узагальнення моделі «подовжуваний-неподовжуваниймертвий час» на випадок довільної фази реєстрації імпульсів [04037-1-04037-7]
37) Дослідження електричних властивостей InSe інтеркальованого кобальтом [04038-1-04038-5]
38) Структурні та субструктурні особливості апатит-біополімерних композитів: порівняння даних рентгенівської дифракції та просвічуючої електронної мікроскопії з електронною дифракцією [04039-1-04039-6]
39) Дослідження температурних характеристик твердого тіла на мікрорівні за допомогою методу структурних одиниць [04040-1-04040-4]
40) Квантові властивості Блохівської точки – нанорозмірного солітону в феромагнетиках [04041-1-04041-5]
41) Спінтроніка в концепції «знизу-вгору» [04042-1-04042-16]
42) Низькорозмірні структури GaN [04043-1-04043-3]
43) Особливості спектральної інтенсивності розсіяного світла поблизу точки фазового переходу в кристалах ніобата барію-натрію [04044-1-04044-3]
44) Процеси накопичення заряду в електрохімічних системах, сформованих на основі лазерно-опроміненого композиту TiO2/C [04045-1-04045-4]
45) Магніторезистивні та магнітоопричні властивості фрагментів спін-вентильних структур на основі впорядкованих масивів наночастинок Fe3O4 [04046-1-04046-4]
46) Структурні, механічні і оптичні властивості плазмохімічних Si-C-N плівок [04047-1-04047-5]
