Температурні зміни енергії електрона в наноплівках AlxGa1 – xAs / GaAs / AlxGa1 – xAs різної товщини та складу бар’єрного матеріалу

Автори Д.В. Кондрюк, В.М. Крамар
Приналежність Чернівецький національний університет ім. Юрія Федьковича, вул. Коцюбинського, 2, 58012 Чернівці, Україна
Е-mail
Випуск Том 6, Рік 2014, Номер 4
Дати Одержано 04.07.2014, у відредагованій формі - 24.11.2014, опубліковано online - 29.11.2014
Посилання Д.В. Кондрюк, В.М. Крамар, Ж. нано- електрон. фіз. 6 No 4, 04032 (2014)
DOI
PACS Number(s) 73.21.Fg
Ключові слова Наногетероструктура (4) , Квантова яма (5) , Електрон (200) , Енергія (58) .
Анотація У рамках моделі прямокутної квантової ями скінченної глибини розраховано температурні залежності енергії дна основної мінізони електрона в наноплівках AlxGa1 – xAs / GaAs / AlxGa1 – xAs різної товщини з різною концентрацією (x) бар’єрного матеріалу. Розрахунки виконані методом функцій Ґріна з використанням наближення ефективних мас для електронної системи та моделі діелектричного континууму – для фононної. Взято до уваги взаємодію з усіма гілками спектра оптичних фононів: обмежених у ямному матеріалі, напівобмежених – у бар’єрному та інтерфейсних. Показано, що зростання температури від 0 до 300 K може викликати збільшення величини довгохвильового зміщення дна основної мінізони електрона приблизно на 25-30 %, залежно від товщини наноплівки та концентрації x.

Перелік посилань