Автори | Д.В. Кондрюк, В.М. Крамар |
Афіліація | Чернівецький національний університет ім. Юрія Федьковича, вул. Коцюбинського, 2, 58012 Чернівці, Україна |
Е-mail | |
Випуск | Том 6, Рік 2014, Номер 4 |
Дати | Одержано 04.07.2014, у відредагованій формі - 24.11.2014, опубліковано online - 29.11.2014 |
Цитування | Д.В. Кондрюк, В.М. Крамар, Ж. нано- електрон. фіз. 6 No 4, 04032 (2014) |
DOI | |
PACS Number(s) | 73.21.Fg |
Ключові слова | Наногетероструктура (4) , Квантова яма (5) , Електрон (215) , Енергія (66) . |
Анотація | У рамках моделі прямокутної квантової ями скінченної глибини розраховано температурні залежності енергії дна основної мінізони електрона в наноплівках AlxGa1 – xAs / GaAs / AlxGa1 – xAs різної товщини з різною концентрацією (x) бар’єрного матеріалу. Розрахунки виконані методом функцій Ґріна з використанням наближення ефективних мас для електронної системи та моделі діелектричного континууму – для фононної. Взято до уваги взаємодію з усіма гілками спектра оптичних фононів: обмежених у ямному матеріалі, напівобмежених – у бар’єрному та інтерфейсних. Показано, що зростання температури від 0 до 300 K може викликати збільшення величини довгохвильового зміщення дна основної мінізони електрона приблизно на 25-30 %, залежно від товщини наноплівки та концентрації x. |
Перелік посилань |