Автори | A.V. Kochura1 , S.F. Marenkin2 , I.V. Fedorchenko2, P.V. Abakumov1 |
Афіліація | 1 South-West State University, 94, 50 Let Octyabrya Str., 305040 Kursk, Russia 2 Institute of General and Inorganic Chemistry of Russian Academy of Sciences, 31, Leninskii Pr., 119991 Moscow, Russia |
Е-mail | akochura@gmail.com |
Випуск | Том 6, Рік 2014, Номер 4 |
Дати | Одержано 17.07.2014, опубліковано online - 29.11.2014 |
Цитування | A.V. Kochura, S.F. Marenkin, I.V. Fedorchenko, P.V. Abakumov, J. Nano- Electron. Phys. 6 No 4, 04008 (2014) |
DOI | |
PACS Number(s) | 81.15.Dj, 68.55. – a, 5.70.Ak |
Ключові слова | Vacuum thermal deposition, Films (85) , Cadmium arsenide (2) , Zinc arsenide, Spintronic materials (5) , Magnetization (18) , nanoparticles (70) . |
Анотація | Semiconductor Zn3As2 and Cd3As2 films doped with manganese were grown by vacuum thermal deposition on sapphire and silicon substrates. Structural and magnetic investigations showed the presence of ferromagnetic semimetal nanoprecipitate MnAs with Curie temperature about 308 К. |
Перелік посилань |