Використання штучного інтелекту для прогнозування електронних структур у наночастинках

Автори Ganesh Punjaba Dawange1 , P. William2 , Prasad M Patare3, Tarun Dhar Diwan4 , Yogeesh N5 , R.A. Kapgate6 , Sharmila7
Афіліація

1Engineering Science and Humanities, Sanjivani College of Engineering, Kopargaon, India

2Department of Information Technology, Sanjivani College of Engineering, Kopargaon, MH, India

3Department of Mechanical Engineering, Sanjivani College of Engineering, Kopargaon, MH, India

4Controller of Examination (COE), Atal Bihari Vajpayee University, Bilaspur, India

5Department of Mathematics, Government First Grade College, Tumkur, Karnataka, India

6Department of Mechatronics Engineering, Sanjivani College of Engineering, Kopargaon, MH, India

7Department of ECE, Raj Kumar Goel Institute of Technology, Ghaziabad, India

Е-mail tarunctech@gmail.com
Випуск Том 17, Рік 2025, Номер 5
Дати Одержано 10 серпня 2025; у відредагованій формі 20 жовтня 2025; опубліковано online 30 жовтня 2025
Цитування Ganesh Punjaba Dawange, P. William, Prasad M Patare, та ін., Ж. нано- електрон. фіз. 17 № 5, 05037 (2025)
DOI https://doi.org/10.21272/jnep.17(5).05037
PACS Number(s) 07.05.Mh, 73.22. – f
Ключові слова Наночастинки (93) , Прогнозування електронної структури, Машинне навчання (9) , Теорія функціоналу густини (4) , Нанотехнології (10) .
Анотація

Застосування методів штучного інтелекту для прогнозування електронних структур наночастинок є складним завданням, яке традиційно залежить від квантово-механічних розрахунків. Унікальні властивості наночастинок, зумовлені ефектами квантового обмеження на нанорівні, мають вирішальне значення в таких галузях, як каталіз, електроніка та медицина. У дослідженні використовуються передові обчислювальні моделі, зокрема адаптивні нейронні мережі з оптимізованим графічним методом адаптивного рою тунікатів (ATSO-GNN), для точного прогнозування електронної густини, енергетичних станів та інших властивостей наночастинок. Підхід включає попередню обробку даних з нормалізацією z-оцінки та вилучення ознак з використанням лінійного дискримінантного аналізу (LDA), який покращує чутливість моделі до незначних електричних коливань. Модель ATSO-GNN, навчена на структурних даних з набору даних про наночастинки, демонструє значні покращення точності та обчислювальної ефективності порівняно з традиційними методами, такими як теорія функціоналу густини (DFT). Результати показують, що цей підхід ефективно фіксує складні атомні взаємодії, що робить його цінним для застосування в матеріалознавстві та нанотехнологіях, де швидкі та точні прогнози електронної структури є важливими. Порівняно зі стандартними методами, модель ATSO-GNN пропонує вищий R2 (0,95), нижчу середню абсолютну похибку (MAE) (0,2) та коротший час обчислення (1,5), що покращує прогнозування. Це дослідження демонструє, як методи на основі штучного інтелекту значно покращують швидкість і точність прогнозування електронної структури.

Перелік посилань