| Автори | A.T. Mamadalimov1, M.Sh. Isaev2, 3 , S.R. Kodirov4, T.U. Atamirzaev5 M.N. Mamatkulov6, U.T. Asatov6 |
| Афіліація |
1Institute of Semiconductor Physics and Microelectronics at the National University of Uzbekistan, 100057 Tashkent, Uzbekistan 2National University of Uzbekistan named after Mirzo Ulugbek, 100174 Tashkent, Uzbekistan 3Cyber University of Uzbekistan, Nurafshan city, Uzbekistan 4Urgench State University, 220100 Urgench city, Uzbekistan 5Namangan State Technical University, Namangan, Uzbekistan 6Tashkent Institute of Chemical-Technology, Tashkent, Uzbekistan |
| Е-mail | isayevmahmud02@gmail.com |
| Випуск | Том 17, Рік 2025, Номер 5 |
| Дати | Одержано 25 липня 2025; у відредагованій формі 23 жовтня 2025; опубліковано online 30 жовтня 2025 |
| Цитування | A.T. Mamadalimov, M.Sh. Isaev та ін., Ж. нано- електрон. фіз. 17 № 5, 05011 (2025) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.17(5).05011 |
| PACS Number(s) | 61.05.cp, 61.82.Fk, 73.43.Qt |
| Ключові слова | Силіцид марганцю, Теплопровідність (18) , Електропровідність (36) , Рухливість (8) , Температурна залежність (6) , Фазовий склад (36) , Ефект Холла (6) , ТермоЕРС (4) . |
| Анотація |
У цій роботі представлено порівняльний аналіз основних фізичних, структурних, термоелектричних та магнітних властивостей різних фаз силіцидів марганцю: моно- (MnSi), ді- (MnSi2) та вищих силіцидів (MnSi1.75), отриманих методом дифузійного легування. Досліджено температурні залежності електропровідності, рухливості, а також термоелектричних властивостей, включаючи коефіцієнт термоЕРС та теплопровідність. Показано, що дисиліцид марганцю є напівпровідником n-типу із шириною забороненої зони ∆Eg 0.35 ÷ 0.45 eВ. Коефіцієнт термоЕРС становить 100 мкМ/К при T ≤ 150 ÷ 200 K. Встановлено, що моносиліцид має n-тип провідності, з концентрацією ~1021 ÷ 1022 см⁻³ та рухливістю 2 ÷ 5 cm2/Вꞏс, дисиліцид має p-тип провідності, з концентрацією 1016 ÷ 1017 см⁻³ та рухливістю 1 см²/Вꞏс, вищий силіцид має n-тип провідності, з концентрацією 5ꞏ1020 ÷ 7ꞏ1020 см⁻³ та рухливістю 0,5 ÷ 2 cм2/Вꞏс. Показано, що кожна з цих фаз має унікальне поєднання кристалографічних форм, електронної структури та технологічних можливостей, що визначає їх застосування в мікро- і наноелектроніці та термоелектричних пристроях. |
|
Перелік посилань |