| Автори | G.H. Mavlonov1 , N.F. Zikrillaev1 , A.A. Usmonov1, G.A. Kushiev1 , Kh.S. Turekeev2 |
| Афіліація |
1Tashkent State Technical University, 100095 Tashkent, Uzbekistan 2Nukus State Pedagogical Institute, Nukus, Republic of Karakalpakstan, Uzbekistan |
| Е-mail | zikrillaev.n@gmail.com |
| Випуск | Том 17, Рік 2025, Номер 5 |
| Дати | Одержано 07 серпня 2025; у відредагованій формі 18 жовтня 2025; опубліковано online 30 жовтня 2025 |
| Цитування | G.H. Mavlonov, N.F. Zikrillaev, A.A. Usmonov, та ін., Ж. нано- електрон. фіз. 17 № 5, 05009 (2025) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.17(5).05009 |
| PACS Number(s) | 61.05.cp, 61.82.Fk, 73.43.Qt |
| Ключові слова | Напівпровідник (58) , Кремній (98) , Бор (71) , Фосфор (5) , Спектр комбінаційного розсіювання, Спектрометр (15) , Лазер (61) , Дифузія (36) . |
| Анотація |
У роботі досліджується взаємодія домішкових атомів фосфору та бору в кремнії за допомогою рентгенівської та раманівської спектроскопії. Було підготовлено дві групи зразків: першу групу спочатку легували атомами фосфору, а потім атомами бору; у другій групі спочатку вводили атоми бору, а потім атоми фосфору. Раманівську спектроскопію використовували для аналізу утворення бінарних сполук атомів фосфору та бору в кремнієвій матриці, а також їх оптичних, фотоелектричних та структурних властивостей. Результати показали, що атоми фосфору та бору як домішки кремнія суттєво змінюють кристалічну структуру та електропровідність. Зразки, леговані фосфором, демонстрували вищу електропровідність та фотоелектричні властивості, тоді як зразки, леговані бором, демонстрували нижчі оптичні та електричні властивості. Дані, отримані за допомогою раманівської спектроскопії, чітко продемонстрували атомні взаємодії та кристалічну структуру. Крім того, мікроструктура зразків вивчали методом скануючої електронної мікроскопії (SEM) та атомно-силової мікроскопії (ASM). SEM-аналіз виявив нерівномірний розподіл атомів бору та фосфору і нанорозмірні структури, тоді як ASM-аналіз – дрібні зміни та структурні дефекти на поверхні легованих кремнієвих матеріалів. Результати цього дослідження розширюють можливості контролю властивостей напівпровідників шляхом легування кремнію домішковими атомами та формування бінарних сполук, сприяючи розробці нових технологічних рішень та матеріалів, особливо в оптоелектроніці та сенсорних технологіях. |
|
Перелік посилань |