| Автори | С.В. Сиротюк1 , А.Й. Наконечний1, M.K. Hussain2 , Ю.В. Клиско1, О.І. Шпак1 |
| Афіліація |
1Національний університет «Львівська політехніка», 79013 Львів, Україна 2Department of Electrical Power Techniques Engineering, AL-Hussain University College, 56001 Kerbala, Iraq |
| Е-mail | stepan.v.syrotiuk@lpnu.ua |
| Випуск | Том 17, Рік 2025, Номер 5 |
| Дати | Одержано 03 серпня 2025; у відредагованій формі 15 жовтня 2025; опубліковано online 30 жовтня 2025 |
| Цитування | С.В. Сиротюк, А.Й. Наконечний, M.K. Hussain, та ін., Ж. нано- електрон. фіз. 17 № 5, 05003 (2025) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.17(5).05003 |
| PACS Number(s) | 71.15.Mb, 71.20.Nr, 71.27. + a |
| Ключові слова | Кубічний кристал ZnS (2) , Домішка Cr (2) , Моновакансія, Бівакансія, Електронна структура (17) , Магнітний момент (10) . |
| Анотація |
Розглядається зміна електронної структури широкозонного напівпровідникового кристала ZnS з домішкою Cr, яка заміщує атом цинку, тобто Cr:ZnS. На основі цього матеріалу побудовані дві моделі реальних кристалів. Перша модель містить вакансію атома сірки, тобто VS. Друга модель місить подвійну вакансію – атомів сірки та цинку, тобто VS, VZn. Дослідження присвячене встановленню змін параметрів електронної структури матеріалу, спричинених впливом вакансій та бівакансій. Електронна структура обидвох матеріалів обчислювалась в рамках теорії функціонала повної електронної густини (DFT) з використанням гібридного обмінно-кореляційного функціонала PBE0. Застосування гібридного функціонала PBE0 зумовлене наявністю вузьких енергетичних зон з великими значеннями густини електронів 3d симетрії атомів Cr, для яких звичайний функціонал PBE-GGA незастосовний. Виявлено суттєві відмінності параметів електронної енергетичної структури, знайдені для матеріалів з вакансіями атома сірки VS та з бівакансіями (VS, VZn). Встановлено, що матеріал з моновакансією є напівпровідником для обидвох спінових поляризацій електронів. Виявлено, що матеріал з бівакансією є напівметалом. Магнітні моменти обидвох надкомірок складають 4 B. |
|
Перелік посилань |