Визначення параметрів контактного поля сонячного елемента з кількома наногетеропереходами
| Автори | E.Z. Imamov1, R.A. Muminov2, M.A. Askarov3, Kh.N. Karimov1 |
| Афіліація |
1Tashkent University of Information Technologies named after Muhammad al-Khwarizmi, 100084 Tashkent, Uzbekistan 2Physical-Technical Institute, Academy of Sciences of the Republic of Uzbekistan, 100084 Tashkent, Uzbekistan 3Tashkent Institute of Chemical Technology, 100011 Tashkent, Uzbekistan |
| Е-mail | asqarovm@list.ru |
| Випуск | Том 17, Рік 2025, Номер 5 |
| Дати | Одержано 15 серпня 2025; у відредагованій формі 21 жовтня 2025; опубліковано online 30 жовтня 2025 |
| Цитування | E.Z. Imamov, R.A. Muminov, M.A. Askarov, Kh.N. Karimov, Ж. нано- електрон. фіз. 17 № 5, 05017 (2025) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.17(5).05017 |
| PACS Number(s) | 73.50.Pz, 73.63.Bd, 84.60.Jt |
| Ключові слова | Сонячний елемент (38) , Кремній (98) , Наногетероперехід Si:PbX, Халькогеніди свинцю (2) , Некристалічний (3) , Ефективність (50) . |
| Анотація |
На основі нестандартного вибору контактних матеріалів: некристалічного кремнію та нанорозмірних кристалічних халькогенідів свинцю (PbX), обґрунтовано можливості підвищення ефективності сонячних елементів шляхом створення сонячного елемента з кількома наногетеропереходами. На основі принципу самоорганізації показано можливості вирощування нанокристалів PbX у вигляді когерент-них наноструктур на поверхні некристалічного кремнію. Визначено залежність ефективності сонячно-го елемента від властивостей матеріалів його компонентів. Показано особливості формування контактного поля сонячного елемента та розраховано його електричні параметри. Параметри контактного поля наногетеропереходу Si:PbX розраховано шляхом розв'язання рівняння Пуассона. Пояснено механізм формування контактного поля шляхом вирівнювання рівнів Фермі та розраховано стан кінцевого рівня Фермі. Для визначення оптимальних параметрів контактного поля наногетеропереходу було розраховано кількість електронів, що переносяться з кремнію на PbX. Розрахунки показують, що параметри контактного поля наногетеропереходу Si:PbX не поступаються аналогічним параметрам звичайних сонячних кремнієвих елементів. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Вплив концентрації NaCl на розмір наночастинок CdS в присутності ПВС [05001-1-05001-6]2) Аналіз вільної вібрації функціонально градуйованої нанопластини (Al2O3/Al): параметричний аналіз [05002-1-05002-5]
3) Електронна структура кристала Cr:ZnS, модифікована моно- та бівакансіями [05003-1-05003-6]
4) Електрофізичні властивості шаруватих структур [Ni80Fe20/SiOx)]n [05004-1-05004-5]
5) Дослідження антифрикційних електроіскрових покриттів на основі MoS2 для елементів торцевих ущільнень АЕС [05005-1-05005-7]
6) Вплив нелокальності та пористості на характеристики частотної вібрації SUS304/Si3N4 функціонально градуйованих нанопластин [05006-1-05006-5]
7) Багатодіапазонна мікросмужкова патч-антена з використанням штучного магнітного провідника зі збільшеною пропускною здатністю та коефіцієнтом підсилення для бездротових застосувань [05007-1-05007-5]
8) Аналітичний метод визначення порогової напруги на безперехідному польовому транзисторі із закритим каналом [05008-1-05008-4]
9) Рентгенівська та раманівська спектроскопія бінарних сполук кремнія (Si2)1 – x(BP)x [05009-1-05009-5]
10) Вплив концентрації нанорідин та профілю потоку на теплопередачу [05010-1-05010-6]
11) Порівняльний аналіз властивостей силіцидів марганцю [05011-1-05011-4]
12) Оптичні та структурні властивості наночастинок ZnSe [05012-1-05012-4]
13) Оптичні та магнітні властивості кремнію з бінарними наносполуками GexSi1 – x [05013-1-05013-5]
14) Дослідження працездатності резонансного перетворювача LLC для застосування в електромобілях [05014-1-05014-6]
15) Покращене виробництво термохромних плівок діоксиду ванадію на основі штучного інтелекту [05015-1-05015-6]
16) Контрольоване осадження тонких плівок ZnO методом спінінгового покриття: вплив швидкості спінінгу на мікроструктуру та прозорість плівки [05016-1-05016-8]
17) p-i-n фотодіод із захисним кільцем p+ [05018-1-05018-6]
18) Вплив ультразвукової нанокристалічної модифікації поверхні на мікротвердість та механічні властивості на розтяг сталі 316L, отриманої методом Laser Powder Bed Fusion [05019-1-05019-10]
19) Мікроелектронний стимулятор зорових нервів [05020-1-05020-5]
20) Спіновий обмін d-f взаємодії в імпедансному спектрі [05021-1-05021-7]
21) Плазмонні явища у металевій нанокришці [05022-1-05022-10]
22) Вплив електромагнітного та оптичного випромінювання на фізичні та біологічні системи [05023-1-05023-4]
23) Реалізація трифазного Віденського випрямляча для застосувань постійного навантаження з використанням багатоканальної широтно-імпульсної модуляції [05024-1-05024-5]
24) Фізичні та прикладні аспекти наноматеріалів і тонких плівок у нових комунікаційних технологіях [05025-1-05025-5]
25) Аналіз продуктивності підвищувального перетворювача з використанням модельного прогнозуючого контролера [05026-1-05026-5]
26) Охолоджувальна здатність потрійних нанорідин під впливом магнітного поля [05027-1-05027-5]
27) Стабілізація дискретних лінійних систем у скінченному часі з урахуванням змінної затримки з використанням нової нерівності підсумовування [05028-1-05028-6]
28) Космологічна модель хмарних струн Біанкі III типу з об'ємною в'язкістю у загальній теорії відносності [05029-1-05029-3]
29) Ефективне видалення важких металів та органічних барвників з водних розчинів за допомогою оксиду графену, пов'язаного з марганцем: дослідження адсорбції в пакетному режимі [05030-1-05030-5]
30) Самоізольована дводіапазонна MIMO-антена для покращеного рознесення у ISM-діапазоні та для бездротового застосування [05031-1-05031-5]
31) Оптимізація планування поточного цеху для енергоефективності та сталого розвитку у виробництві напівпровідників: порівняльне дослідження алгоритмів NEH та PIG_NEH [05032-1-05032-5]
32) Багаторезонансна штучна магнітна провідна ударна монопольна антена для WBAN застосувань [05033-1-05033-5]
33) Сегментація уражень шкіри за допомогою Double U-Net Framework для покращеного вилучення ознак [05034-1-05034-5]
34) Мікросмужкова патч-антена з виїмчастими кутами для покращеної багатодіапазонної продуктивності [05035-1-05035-5]
35) Модель машинного навчання на основі штучного інтелекту для класифікації напружень у тонкоплівкових матеріалах [05036-1-05036-6]
36) Використання штучного інтелекту для прогнозування електронних структур у наночастинках [05037-1-05037-6]
37) Розробка нового методу оптимізації для оцінки поверхневих каналів на основі тонкоплівкової технології [05038-1-05038-5]
38) Експериментальні дослідження для вивчення впливу легування Ca2+, Dy3+ на структурні та оптичні властивості НЧ ZnO [05039-1-05039-6]
