Покращений підсилювач малої потужності з використанням техніки відновлення рівня за технологією 32 нм
| Автори | Divya , Neha Goel , Renu Rani, Hashmat Usmani |
| Афіліація |
Department of ECE, Raj Kumar Goel Institute of Technology, Ghaziabad, India |
| Е-mail | divyaa.dutt13@gmail.com |
| Випуск | Том 17, Рік 2025, Номер 1 |
| Дати | Одержано 12 грудня 2024; у відредагованій формі 16 лютого 2025; опубліковано online 27 лютого 2025 |
| Цитування | Divya, Neha Goel, Renu Rani, Hashmat Usmani, Ж. нано- електрон. фіз. 17 № 1, 01019 (2025) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.17(1).01019 |
| PACS Number(s) | 85.40._e |
| Ключові слова | Підсилювач чутливості, Відновлення рівня, Транзистор в режимі сну, Затримка (3) , Струм (78) , Температура (40) . |
| Анотація |
Підсилювачі чутливості (SA) є важливими в периферійних схемах статичної пам’яті з довільним доступом (SRAM). Вони підвищують швидкість роботи, мінімізують енергоспоживання та скорочують час доступу. У цьому документі представлено модифікований і вдосконалений підсилювач чутливості в режимі напруги з подвійним перемикачем відновлення рівня (DSLR-VMSA). Робоча напруга 1,8 В і технологічний вузол 32 нм використовувалися для моделювання конструкції, що демонструє чудову продуктивність DSLRA-SA. Примітно, що ця вдосконалена схема забезпечує споживання електроенергії 6,7 мкВт, що вдвічі менше, ніж у звичайного підсилювача фіксації напруги з крос-зв’язком (CCVLSA). Показники енергії та затримки також демонструють помітні покращення. Дослідження включає поглиблений аналіз, такий як аналіз розмірів і температури, а також оцінки впливу транзисторів в режимі сну, щоб підтвердити покращену продуктивність SA. Включення транзисторів в модифіковану конструкцію додатково зменшує потужність, затримку та споживання енергії, значно підвищуючи загальну продуктивність. Результати підкреслюють придатність і перевагу вдосконаленої SA, особливо для додатків CMOS SRAM з низьким енергоспоживанням. |
|
Перелік цитувань |
Інші статті цього номера
1) Особливості електронної структури карбіду TiC та нітриду VN, підданих механохімічному впливу в складі еквімолярної суміші TiC-VN [01001-1-01001-7]2) Вплив шарів пасивації SiNx/SiO2 на розсіяне поле поверхні в кремнієвих пластинах n-типу [01002-1-01002-7]
3) Виготовлення та характеристика наноструктурованих тонких плівок NiO та NiO:Cu при різних концентраціях міді [01003-1-01003-8]
4) Оптимізація умов різання для металевих поверхонь легованої сталі 50CrNi3Mn за допомогою дизайну Box-Behnken, ANOVA та функції бажаності (Box-ANOVA-DF) [01004-1-01004-6]
5) Оптимізовані електромагнітні решітки Е-подібної мікросмужкової патч-антени з повітряним проміжком для бездротового зв’язку [01005-1-01005-5]
6) Ультразвукова сенсорна система для автономного паркування [01006-1-01006-5]
7) Дослідження електрофізичних процесів у кремнієвому сонячному елементі з багатьма поверхневими наногетеропереходами [01007-1-01007-5]
8) Дослідження електропровідності та спектрів комбінаційного розсіювання наночастинок CdSe, опромінених CO2-лазером [01008-1-01008-4]
9) Структура, морфологія та мультифероїчні властивості наночастинок Bi0.2La0.8 – xAlxFeO3 (x 0.2, 0.4, 0.6 & 0.8) [01009-1-01009-6]
10) Плоска MIMO-антена з кількома овалами на гнучкій підкладці для 5G застосунків [01010-1-01010-6]
11) Структурні моделі та процеси переносу заряду у гранульованих нанонапівпровідниках [01011-1-01011-5]
12) Моделювання терагерцового квантового каскадного лазера поверхневого випромінювання на основі генерації різної частоти [01012-1-01012-6]
13) Покращення фізико-технічних характеристик тонкоплівкових сонячних елементів при їх модифікації плазмонними наночастинками [01013-1-01013-8]
14) Аналіз і моделювання нового неперіодичного метаматеріального резонатора (HC-SRR) форми H-C для багатодіапазонних застосувань [01014-1-01014-5]
15) Електрохімічний синтез цинк оксиду в присутності поверхнево-активної речовини FARMACOAT [01015-1-01015-5]
16) Автоматизоване програмування мікро- та одноелектронних наносистем [01016-1-01016-6]
17) Зміни електронної структури вюрцитного твердого розчину Mn:ZnSeS, зумовлені вакансіями атомів сірки [01017-1-01017-6]
18) Вплив температури ванни на морфологію, склад і корозійну стійкість покриттів з оксиду церію, електроосаджених на цинк [01018-1-01018-5]
19) Перспективні технології у водному транспорті: розроблення і впровадження грибостійких та екологічно чистих епоксидних нанокомпозитів [01020-1-01020-7]
20) Характеристики джерела синхронних потоків УФ-випромінювання та наночастинок цинку, перспективного для біомедичної інженерії [01021-1-01021-6]
21) Відбиття та поглинання двошарового пористого кремнію [01022-1-01022-6]
22) Вплив наночастинок броміду нікелю на оптичні та теплові властивості полістиролу [01023-1-01023-6]
23) Вплив електрохімічного нікелювання на структуру, склад та жаростійкість хромоалітованої сталі 45 [01024-1-01024-9]
24) Структурно-морфологічні властивості нанопористих вуглецевих матеріалів, отриманих з біомаси [01025-1-01025-6]
25) Асимптотична теорія спрямованого транспорту зважених феромагнітних наночастинок [01026-1-01026-5]
26) Теплоізоляційні властивості червоного шламу як функціонального наповнювача для полімерних композитів [01027-1-01027-6]
27) Стимульоване ультразвуком виготовлення нанокомпозитів графен/ZnO з прискореним фотовідгуком в ультрафіолетовому діапазоні світла [01028-1-01028-4]
28) Захоплення радіочастотної енергії за допомогою компактної надширокосмугової патч-антени [01029-1-01029-6]
29) Визначення ділянок на поверхні оптичних обтічників різної геометричної форми, що піддаються максимальним термоударним впливам [01030-1-01030-7]
