Вплив шарів пасивації SiNx/SiO2 на розсіяне поле поверхні в кремнієвих пластинах n-типу
| Автори | B. Labdelli1 , A. Boucheham1 , L. Benharrat1 , A. Djelloul1 , N. Chahinez1, M. Alloun2, S.Y. Lamri2 |
| Афіліація |
1Centre de Recherche en Technologie des Semi-Conducteurs pour l’Energétique ‘CRTSE’, Alger, Algérie 2École Nationale Polytechnique Département de Métallurgie, 16200 Alger, Algeria |
| Е-mail | boutaleb200574@yahoo.fr |
| Випуск | Том 17, Рік 2025, Номер 1 |
| Дати | Одержано 03 грудня 2024; у відредагованій формі 12 лютого 2025; опубліковано online 27 лютого 2025 |
| Цитування | B. Labdelli, A. Boucheham, L. Benharrat, та ін., Ж. нано- електрон. фіз. 17 № 1, 01002 (2025) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.17(1).01002 |
| PACS Number(s) | 82.65. + r, 81.15.Gh, 61.72.Cc, 61.72.uf, 07.60. – j |
| Ключові слова | SiNx/SiO2, PECVD (7) , RTP, Монокристалічний кремній n-типу, QSSPC. |
| Анотація |
У роботі представлені результати досліджень властивостей пасивації пакету плівок нітриду кремнію (SiNx) поверх діоксиду кремнію (SiO2) на кремнієвих пластинах n-типу з метою вивчення його впливу на поле передньої поверхні (FSF) у сонячних елементах PERT. Кремнієві пластини пройшли ідентичний процес термічного окислення протягом 30 хвилин при 850 °C (10 нм) в печі для окислення. Матеріали SiNx були нанесені за допомогою плазмово-посиленого хімічного осадження з парової фази (PECVD) на кремнієву підкладку n-типу, нітрид кремнію, де регулювали співвідношення газу-попередника (R = NH3/SiN4), потім використовували швидку термічну обробку (RTP) спільного спалювання при температурі 750 °C протягом 60 с. Де дифузії фосфору проводяться з використанням POCl3 як джерела допанту при температурі 820 °C протягом 15 хвилин у трубчастій печі. Показник відбиття показує, що подвійні шари плівок SiN/SiO2 у сонячних елементах забезпечують ефект антивідблиску, а хороша пасивація випромінювачів призводить до поліпшених електричних характеристик. Це було підтверджено за допомогою квазістаціонарної фотопровідності (QSSPC) Sinton WCT 120 із використанням n+/n/n+ симетричних зразків тривалості життя. Шари SiNx, нанесені на SiO2, демонструють ефективні характеристики пасивації об’єму та поверхні. |
|
Перелік цитувань |
Інші статті цього номера
1) Особливості електронної структури карбіду TiC та нітриду VN, підданих механохімічному впливу в складі еквімолярної суміші TiC-VN [01001-1-01001-7]2) Виготовлення та характеристика наноструктурованих тонких плівок NiO та NiO:Cu при різних концентраціях міді [01003-1-01003-8]
3) Оптимізація умов різання для металевих поверхонь легованої сталі 50CrNi3Mn за допомогою дизайну Box-Behnken, ANOVA та функції бажаності (Box-ANOVA-DF) [01004-1-01004-6]
4) Оптимізовані електромагнітні решітки Е-подібної мікросмужкової патч-антени з повітряним проміжком для бездротового зв’язку [01005-1-01005-5]
5) Ультразвукова сенсорна система для автономного паркування [01006-1-01006-5]
6) Дослідження електрофізичних процесів у кремнієвому сонячному елементі з багатьма поверхневими наногетеропереходами [01007-1-01007-5]
7) Дослідження електропровідності та спектрів комбінаційного розсіювання наночастинок CdSe, опромінених CO2-лазером [01008-1-01008-4]
8) Структура, морфологія та мультифероїчні властивості наночастинок Bi0.2La0.8 – xAlxFeO3 (x 0.2, 0.4, 0.6 & 0.8) [01009-1-01009-6]
9) Плоска MIMO-антена з кількома овалами на гнучкій підкладці для 5G застосунків [01010-1-01010-6]
10) Структурні моделі та процеси переносу заряду у гранульованих нанонапівпровідниках [01011-1-01011-5]
11) Моделювання терагерцового квантового каскадного лазера поверхневого випромінювання на основі генерації різної частоти [01012-1-01012-6]
12) Покращення фізико-технічних характеристик тонкоплівкових сонячних елементів при їх модифікації плазмонними наночастинками [01013-1-01013-8]
13) Аналіз і моделювання нового неперіодичного метаматеріального резонатора (HC-SRR) форми H-C для багатодіапазонних застосувань [01014-1-01014-5]
14) Електрохімічний синтез цинк оксиду в присутності поверхнево-активної речовини FARMACOAT [01015-1-01015-5]
15) Автоматизоване програмування мікро- та одноелектронних наносистем [01016-1-01016-6]
16) Зміни електронної структури вюрцитного твердого розчину Mn:ZnSeS, зумовлені вакансіями атомів сірки [01017-1-01017-6]
17) Вплив температури ванни на морфологію, склад і корозійну стійкість покриттів з оксиду церію, електроосаджених на цинк [01018-1-01018-5]
18) Покращений підсилювач малої потужності з використанням техніки відновлення рівня за технологією 32 нм [01019-1-01019-5]
19) Перспективні технології у водному транспорті: розроблення і впровадження грибостійких та екологічно чистих епоксидних нанокомпозитів [01020-1-01020-7]
20) Характеристики джерела синхронних потоків УФ-випромінювання та наночастинок цинку, перспективного для біомедичної інженерії [01021-1-01021-6]
21) Відбиття та поглинання двошарового пористого кремнію [01022-1-01022-6]
22) Вплив наночастинок броміду нікелю на оптичні та теплові властивості полістиролу [01023-1-01023-6]
23) Вплив електрохімічного нікелювання на структуру, склад та жаростійкість хромоалітованої сталі 45 [01024-1-01024-9]
24) Структурно-морфологічні властивості нанопористих вуглецевих матеріалів, отриманих з біомаси [01025-1-01025-6]
25) Асимптотична теорія спрямованого транспорту зважених феромагнітних наночастинок [01026-1-01026-5]
26) Теплоізоляційні властивості червоного шламу як функціонального наповнювача для полімерних композитів [01027-1-01027-6]
27) Стимульоване ультразвуком виготовлення нанокомпозитів графен/ZnO з прискореним фотовідгуком в ультрафіолетовому діапазоні світла [01028-1-01028-4]
28) Захоплення радіочастотної енергії за допомогою компактної надширокосмугової патч-антени [01029-1-01029-6]
29) Визначення ділянок на поверхні оптичних обтічників різної геометричної форми, що піддаються максимальним термоударним впливам [01030-1-01030-7]
