Автори | В.Ф. Онищенко , Л.А. Карачевцева |
Афіліація |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 03028 Київ, Україна |
Е-mail | onyshchenkovf@isp.kiev.ua |
Випуск | Том 17, Рік 2025, Номер 1 |
Дати | Одержано 14 січня 2025; у відредагованій формі 15 лютого 2025; опубліковано online 27 лютого 2025 |
Цитування | В.Ф. Онищенко, Л.А. Карачевцева, Ж. нано- електрон. фіз. 17 № 1, 01022 (2025) |
DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.17(1).01022 |
PACS Number(s) | 78.20. – e |
Ключові слова | Відбиття (23) , Пропускання (21) , Двошаровий пористий кремній. |
Анотація |
Розраховано відбиття та поглинання двошарового пористого кремнію. Двошаровий пористий кремній має відбиття менше за одношаровий пористий кремній та монокристал кремнію. Відбиття двошарового пористого кремнію зменшується до певної величини, але потім зростає, коли об’ємна частка пор першого шару пористого кремнію зростає. Об’ємна частка пор першого шару пористого кремнію більша за об’ємну частку пор другого шару пористого кремнію. Шари пористого кремнію розглядаються як ефективні середовища. Найменше відбиття двошарового макропористого кремнію знаходиться оптимізацією об’ємних часток пор кожного шару пористого кремнію. Пояснюється зменшення відбиття двошарового пористого кремнію в порівнянні з відбиттям пористого кремнію з одним шаром макропор. Відбиття двошарового пористого кремнію перевищує відбиття одношарового пористий кремній та монокристалу кремнію, коли об’ємна частка пор першого шару пористого кремнію мала, а другого шару пористого кремнію велика. Поглинання двошарового пористого кремнію з оптимізованими об’ємними частками пор дорівнює 0,88. |
Перелік цитувань |