Дослідження електрофізичних процесів у кремнієвому сонячному елементі з багатьма поверхневими наногетеропереходами

Автори M.A. Askarov1,2, E.Z. Imamov3, Kh.N. Karimov3
Афіліація

1Karakalpak State University named after Berdakh, 230112, Nukus, Uzbekistan

2Tashkent Institute of Chemical Technology, 100011, Tashkent, Uzbekistan

3Tashkent University of Information Technologies named after Muhammad al-Khwarizmi, 100084, Tashkent, Uzbekistan

Е-mail asqarovm@list.ru
Випуск Том 17, Рік 2025, Номер 1
Дати Одержано 20 грудня 2024; у відредагованій формі 18 лютого 2025; опубліковано online 27 лютого 2025
Цитування M.A. Askarov, E.Z. Imamov, Kh.N. Karimov, Ж. нано- електрон. фіз. 17 № 1, 01007 (2025)
DOI https://doi.org/10.21272/jnep.17(1).01007
PACS Number(s) 73.50.Pz, 73.63.Bd, 84.60.Jt
Ключові слова Енергія (64) , Фотоелемент (2) , Фотострум (6) , Наногетероперехід, Структура (227) , Некристалічний (2) , Ефективність (34) .
Анотація

На основі досліджень різних електричних проявів і властивостей некристалічного кремнію і кристалічних халькогенідів свинцю в нанорозмірному стані вперше зроблено висновок про мож-ливість створення на їх основі високоефективного сонячного елемента. Продемонстровано, що явища розмноження носіїв і генерації мультиекситонів відіграють значну роль у забезпеченні високої ефективності, завдяки чому можливе значне зниження втрат енергії, пов'язаних з нагріванням сонячного елемента. Визначено залежність ККД сонячного елемента від властиво-стей матеріалів його компонентів. Показано особливості формування контактного поля сонячного елемента та розраховано його електричні параметри. Розраховано внесок поглинання високоча-стотних фотонів в ефективність сонячної батареї.

Перелік цитувань