Структурні моделі та процеси переносу заряду у гранульованих нанонапівпровідниках

Автори Lutfiddin Olimov
Афіліація

Andijan University of Economics and Pedagogy, Andizhan, Uzbekistan

Е-mail olimov1266@gmail.com
Випуск Том 17, Рік 2025, Номер 1
Дати Одержано 16 листопада 2024; у відредагованій формі 17 лютого 2025; опубліковано online 27 лютого 2025
Цитування Lutfiddin Olimov, Ж. нано- електрон. фіз. 17 № 1, 01011 (2025)
DOI https://doi.org/10.21272/jnep.17(1).01011
PACS Number(s) 74.81.Bd, 61.72.Mm, 73.63.Bd, 85.35. – p, 61.46.Df, 65.80. – g, 82.60.Qr, 81.07.Wx, 73.63. – b
Ключові слова Гранульовані нанонапівпровідники, Процеси перенесення заряду, Частинки (95) , Міжчастинкові межі.
Анотація

Відомо, що фізичні властивості гранульованих напівпровідників, які виникають за певних умов, залежать від їх розміру або дефектів на їх поверхні, а їх утворення залежить від методів отримання гранульованих напівпровідників. У роботі представлені структурні моделі зернистих напівпровідників і процеси переносу заряду в них. Дослідження показують, що на практиці гранульовані напівпровідникові частинки можуть бути розташовані в ряд або поруч. У першому випадку процес перенесення заряду від першої частинки до другої здійснюється через утворені між ними міжчасткові межі. У цьому випадку з'явиться J-й струм. Зі збільшенням температури в областях міжчасткових меж послідовно виникають локалізовані пастки з рівнем енергії Ein. Збільшення кількості зарядів (Qi), захоплених локалізованими пастками, призводить до збільшення висоти потенційного бар’єру (φ), що, у свою чергу, призводить до зменшення електропровідності. У другому випадку частинки розташовані поруч, і процеси перенесення заряду відбуваються одночасно, як і в першому випадку, уздовж суміжних міжчастинкових граничних ділянок. Процес перенесення заряду відбувається в основному вздовж міжчастинкових ділянок, розташованих поруч.

Перелік цитувань