Автори | А. Надточій1 , А. Подолян1 , О. Коротченков1 , О. Оберемок2 , О. Косуля2 , Б. Романюк2 |
Афіліація |
1Фізичний факультет, Київський національний університет імені Тараса Шевченка, 01601 Київ, Україна 2Інститут Фізики напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова НАН України, 03028 Київ, Україна |
Е-mail | artem1976@knu.ua |
Випуск | Том 17, Рік 2025, Номер 1 |
Дати | Одержано 10 січня 2025; у відредагованій формі 18 лютого 2025; опубліковано online 27 лютого 2025 |
Цитування | А. Надточій, А. Подолян, О. Коротченков, та ін., Ж. нано- електрон. фіз. 17 № 1, 01028 (2025) |
DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.17(1).01028 |
PACS Number(s) | 73.50.Pz, 72.20.Jv |
Ключові слова | Поверхнева фото-Е.Р.С, Оксид цинку (23) , Релаксація фотоструму. |
Анотація |
Осадження графенових нанопластинок за допомогою ультразвуку на поверхню нанострижнів ZnO з розчину графен-тетрагідрофурану дозволяє збільшити величину фотоструму в ZnO, освітленому світлом з довжиною хвилі 275 нм, і прискорити перехідні процеси фотоструму при імпульсному освітленні. Для опису спостережуваного явища запропоновано спрощену модель, засновану на формуванні межі поділу графен/ZnO. Отримані дані пояснюються посиленою інжєкцією фотогенерованих електронів у графенові нанопластинки, що супроводжується значно зниженою концентрацією атомів кисню, адсорбованих на поверхні нанострижнів ZnO. Результат може бути використаний для виготовлення швидких УФ фотодетекторів на основі ZnO. |
Перелік цитувань |