Фотоелектричні властивості гетеропереходу Mn2O3/n-InSe
| Автори | І.Г. Ткачук1 , І.Г. Орлецький2, В.І. Іванов1 , З.Д. Ковалюк1 , A.В. Заслонкін1, В.В. Нетяга1 |
| Приналежність |
1Інститут проблем матеріалознавства ім. І.М. Францевича НАН України, Чернівецьке відділення, вул. І. Вільде, 5, 58001 Чернівці, Україна 2Чернівецький національний університет ім. Юрія Федьковича, вул. Коцюбинського, 2, 58012 Чернівці, Україна |
| Е-mail | ivan.tkachuk.1993@gmail.com |
| Випуск | Том 15, Рік 2023, Номер 2 |
| Дати | Одержано 28 лютого 2023; у відредагованій формі 15 квітня 2023; опубліковано online 27 квітня 2023 |
| Посилання | І.Г. Ткачук, І.Г. Орлецький, В.І. Іванов та ін., Ж. нано- електрон. фіз. 15 № 2, 02022 (2023) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.15(2).02022 |
| PACS Number(s) | 73.40. – c, 78.66. – w |
| Ключові слова | Селенід Індію (11) , Mn2O3 (3) , Гетероструктури (5) , Вольт-амперні характеристики (11) , Фоточутливість (6) . |
| Анотація |
Методом низькотемпературного спрей-піролізу виготовлено фоточутливі гетеропереходи Mn2O3/n-InSe. На нагріту підкладку з шаруватого кристалу n-InSe розпилювався водний розчин відповідного складу. В результаті чого на його поверхі утворювалась тонка плівка Mn2O3. Використання шаруватих напівпровідників дозволяє отримувати якісні інтерфейси, навіть при значній розбіжності параметрів кристалічних граток контактуючих матеріалів. Фронтальний шар з широкозонного напівпровідника Mn2O3 є прозорим в області максимального поглинання світла у InSe. Це дозволяє ефективно експлуатувати фотоелектричні властивості останнього. Проведено дослідження фотоелектричних та оптичних властивостей отриманого гетеропереходу, побудовано відповідні графічні залежності: вольт-амперні характеристики та диференційний опір при різних температурах, температурна залежність висоти потенційного бар’єру, спектральна залежність відносної квантової ефективності в інтервалі енергій фотонів 1.2÷3.2 eV. Запропоновано теоретичні моделі, що описують отримані результати. На основі аналізу температурних залежностей прямих і зворотних гілок вольт-амперних характеристик визначено енергетичні параметри гетеропереходу. Проведено оцінку величини послідовного та шунтуючого опорів. Визначені механізми формування прямого та зворотного струмів крізь енергетичний бар’єр Mn2O3/n-InSe. Ключові словаs: Селенід Індію, Mn2O3, Гетероструктури, Вольт-амперні характеристики, Фоточутливість. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Органічний польовий транзистор на основі адаптивної системи з нейро-нечітким виводом [02001-1-02001-9]2) Термодинамічне дослідження портландцементу, що містить багатостінні вуглецеві нанотрубки [02002-1-02002-6]
3) Синтез і характеристика кількашарового відновленого та модифікованого методом Хаммера нанолиста оксиду графену [02003-1-02003-3]
4) Розробка оптимізованого поглинаючого шару Cu2ZnSnS4, створеного SILAR методом [02004-1-02004-5]
5) Вивчення впливу високої температури на статичні характеристики 14 нм TG SOI N FinFET [02005-1-02005-5]
6) Поверхнево-бар’єрні CdTe діоди для фотовольтаїки [02006-1-02006-5]
7) Аналіз продуктивності включення прихованого металевого шару в безперехідний багатоканальний польовий транзистор [02007-1-02007-4]
8) Прецизійна хаотична лазерна генерація [02008-1-02008-5]
9) Хімічне осадження плівок CdS з водного розчину, що містить триетаноламін [02009-1-02009-5]
10) Вимірювання високої та низької перехресної поляризації в мініатюрній надширокосмуговій компактній антенній решітці для багатоцільових РЛС [02010-1-02010-5]
11) Вплив дробової похідної за часом на профілі зовнішньої дифузії під час дегазації тонкої пластини у вакуумі [02011-1-02011-4]
12) Низьковольтний симетричний двозатворний органічний польовий транзистор [02012-1-02012-6]
13) Воднева обробка поверхневого шару золотої плівки на склі [02013-1-02013-5]
14) Ab initio дослідження пружних властивостей твердого розчину CdSe1 – xSx [02014-1-02014-7]
15) Дослідження та проектування патч-антени 5G міліметрового діапазону з резонансною частотою 60 ГГц [02015-1-02015-6]
16) Обчислювання фотоелектричних характеристик сонячних елементів CdS/Si: ефект антиблікових шарів [02016-1-02016-4]
17) Наночастинки ZnO, синтезовані за допомогою екстракту з листя Terminalia catappa та його характеристики [02017-1-02017-3]
18) Структурні та оптичні властивості тонких плівок Ba(Zr0.3Ti0.7)O3 та Ba(Zr0.5Ti0.5)O3, отриманих золь-гель методом [02018-1-02018-4]
19) Характеристики Suns-Voc кремнієвої сонячної батареї: експериментальне та симуляційне дослідження [02019-1-02019-5]
20) Дослідження Li-Al феритів методами ядерного магнітного резонансу, UV спектроскопії і мессбауерівської спектроскопії [02020-1-02020-9]
21) Комплексне дослідження оптичних і магнітних властивостей нанопорошків (In1 – xDyx)2O3, отриманих методом твердофазної реакції [02021-1-02021-7]
22) New Fractional Wavelet with Compact Support and Its Application to Signal Denoising [02023-1-02023-5]
23) The Charge Transfer for Nb(V)/Nb(IV) and Ta(V)/Ta(IV) Redox Couple in Electrode Surface: Experimental and Calculation Methods [02024-1-02024-3]
24) Покращена продуктивність зі зниженням токсичності сонячної батареї CIGS із використанням ультратонкого шару BaSi2 BSF [02025-1-02025-5]
25) Impact of Annealing Temperature on Surface Reactivity of ZnO Nanostructured Thin Films Deposited on Aluminum Substrate [02026-1-02026-4]
26) Ультразвуковий метод визначення швидкості кровотоку: фізичні основи та векторна візуалізація [02027-1-02027-4]
27) Мас-спектрометричне дослідження хімічного складу газового середовища у зоні проведення електроіскрового легування [02028-1-02028-4]
28) Дифракція природного світла на безмежній ґратці металевих стрічок [02029-1-02029-3]
29) Атомістичне декорування Ti2C максену срібними наночастинками [02030-1-02030-7]
30) Фізичні та технологічні принципи обробки сталі лазерним випромінюванням УФ-діапазону [02031-1-02031-4]
