Поверхнево-бар’єрні CdTe діоди для фотовольтаїки

Автори Тетяна Мазур , Мирослав Мазур , Мар’ян Галущак
Приналежність

Івано-Франківський національний технічний університет нафти і газу, вул. Карпатська, 15, 76019 Івано-Франківськ, Україна

Е-mail tetiana.mazur@nung.edu.ua
Випуск Том 15, Рік 2023, Номер 2
Дати Одержано 01 лютого 2023; у відредагованій формі 19 квітня 2023; опубліковано online 27 квітня 2023
Посилання Тетяна Мазур, Мирослав Мазур, Мар’ян Галущак, Ж. нано- електрон. фіз. 15 № 2, 02006 (2023)
DOI https://doi.org/10.21272/jnep.15(2).02006
PACS Number(s) 61.43.Gt, 68.37.Ps, 78.30.Fs, 78.55. – m
Ключові слова Поверхнево-бар’єрний діод, CdTe (15) , Струм короткого замикання, Напруга холостого ходу (2) , Квантова ефективність (3) .
Анотація

В даній роботі проведено порівняльний аналіз застосування в енергетиці напівпровідникових сонячних елементів на основі монокристалічного, полікристалічного й аморфного кремнію (Si), а також телуриду кадмію (CdTe). Показано, що переваги тонкоплівкові технології й самого CdTe, як прямозонного напівпровідника, відкривають перспективу широкомасштабного виробництва конкурентоспроможних CdTe сонячних модулів (батарей). Описується технологія виготовлення підкладок, нанесення на пластинки індієвого омічного контакту, піддавання частини підкладок ряду додаткових обробок у водяній суспензії лужних металів, зокрема Li – CdTe:Li та проведення досліджень на них, а також на хімічно травлених підкладках, які не пройшли ніяких додаткових обробок і умовно позначені CdTe. Вивчаються можливості застосування для фотоперетворювачів приладів на основі монокристалічного CdTe, які називаються поверхнево-бар’єрними діодами (ПБД). Обговорюються технологічні досягнення, які призводять до змін фізико-хімічних властивостей поверхонь монокристалічних n-CdTe підкладок (їх основних оптичних, електричних та фотоелектричних параметрів, а також характеристик контактів метал-напівпровідник на базі монокристалічного телуриду кадмію). Аналізуючи властивості об'єктів досліджень слід відмітити, що модифікація поверхні впливає не тільки на величину висоти потенціального бар'єру, але також істотно змінює характер протікання електричних та фотоелектричних процесів, а морфологія поверхні підкладок CdTe:Li залишається подібною немодифікованим, хоча величина ПБД на їх основі помітно вище. Також встановлено, що швидкість поверхневої рекомбінації ПБД на базі підкладинок з поверхневою наноструктурою на два і один порядок менше, ніж в структурах на основі базових підкладинок і оброблених в суспензії солей лужних металів відповідно. Модифікація підкладок призводить до збільшення ефективності сонячних елементів (СЕ), причому найбільша ефективність фотоперетворення СЕ спостерігається для ПБД на базі підкладок з поверхневою наноструктурою і становить 9 % при температурі 300 К за умови освітлення АМ2. Розглядаються способи використання технологій, запропонованих у роботі, для створення поверхнево-бар’єрних фотоелементів на основі тонких плівок CdTe.

Перелік посилань