Покращена продуктивність зі зниженням токсичності сонячної батареї CIGS із використанням ультратонкого шару BaSi2 BSF
| Автори | Km. Kanchan, Anupam Sahu, Shivangi Yadav |
| Афіліація |
Department of Electronics and Communication Engineering, Madan Mohan Malaviya University of Technology Gorakhpur, India |
| Е-mail | kanchanjaiswal933@gmail.com |
| Випуск | Том 15, Рік 2023, Номер 2 |
| Дати | Одержано 03 березня 2023; у відредагованій формі 18 квітня 2023; опубліковано online 27 квітня 2023 |
| Цитування | Km. Kanchan, Anupam Sahu, Shivangi Yadav, Ж. нано- електрон. фіз. 15 № 2, 02025 (2023) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.15(2).02025 |
| PACS Number(s) | 88.40.jm |
| Ключові слова | CIGS (11) , Cd0.6Zn0.4S, ZnSe (12) , Тонкоплівковий соняний елемент, Ефективність перетворення (3) , SCAPS-1D (22) . |
| Анотація |
У цій статті представлено тонкоплівковий сонячний елемент (TFSC) на основі поглинаючого шару міді-індія-галію-диселеніду (CIGS) і недорогого ультратонкого BaSi2 Back Surface Field (BSF) із каркасом Al/SnO2F/буферний шар/CIGS/BaSi2/Mo/підкладка були запропоновані. Щоб підвищити ефективність і зменшити токсичність, Cd0.6Zn0.4S (сплав CdS і ZnS) та ZnSe були використані як відповідні буферні шари замість звичайних токсичних буферних шарів CdS. Запропонований TFSC також повинен бути економічно ефективним, тому товщину шару CIGS було оптимізовано (варіюється від 0,1-1 мкм). З буферними шарами Cd0.6Zn0.4S and ZnSe запропонований TFSC досягає максимальної ефективності перетворення (CE) 28,11 % і 27,72 % відповідно для оптимізованої товщини CIGS 0,8 мкм і шару BaSi2 BSF 0.3 мкм.Крім того, запропонований TFSC був досліджений на зміну щільності дефектів поглинаючого шару CIGS. Крім того, результати, отримані для запропонованого TFSC, показують покращення продуктивності порівняно з раніше зареєстрованим TFSC на основі CdS. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Органічний польовий транзистор на основі адаптивної системи з нейро-нечітким виводом [02001-1-02001-9]2) Термодинамічне дослідження портландцементу, що містить багатостінні вуглецеві нанотрубки [02002-1-02002-6]
3) Синтез і характеристика кількашарового відновленого та модифікованого методом Хаммера нанолиста оксиду графену [02003-1-02003-3]
4) Розробка оптимізованого поглинаючого шару Cu2ZnSnS4, створеного SILAR методом [02004-1-02004-5]
5) Вивчення впливу високої температури на статичні характеристики 14 нм TG SOI N FinFET [02005-1-02005-5]
6) Поверхнево-бар’єрні CdTe діоди для фотовольтаїки [02006-1-02006-5]
7) Аналіз продуктивності включення прихованого металевого шару в безперехідний багатоканальний польовий транзистор [02007-1-02007-4]
8) Прецизійна хаотична лазерна генерація [02008-1-02008-5]
9) Хімічне осадження плівок CdS з водного розчину, що містить триетаноламін [02009-1-02009-5]
10) Вимірювання високої та низької перехресної поляризації в мініатюрній надширокосмуговій компактній антенній решітці для багатоцільових РЛС [02010-1-02010-5]
11) Вплив дробової похідної за часом на профілі зовнішньої дифузії під час дегазації тонкої пластини у вакуумі [02011-1-02011-4]
12) Низьковольтний симетричний двозатворний органічний польовий транзистор [02012-1-02012-6]
13) Воднева обробка поверхневого шару золотої плівки на склі [02013-1-02013-5]
14) Ab initio дослідження пружних властивостей твердого розчину CdSe1 – xSx [02014-1-02014-7]
15) Дослідження та проектування патч-антени 5G міліметрового діапазону з резонансною частотою 60 ГГц [02015-1-02015-6]
16) Обчислювання фотоелектричних характеристик сонячних елементів CdS/Si: ефект антиблікових шарів [02016-1-02016-4]
17) Наночастинки ZnO, синтезовані за допомогою екстракту з листя Terminalia catappa та його характеристики [02017-1-02017-3]
18) Структурні та оптичні властивості тонких плівок Ba(Zr0.3Ti0.7)O3 та Ba(Zr0.5Ti0.5)O3, отриманих золь-гель методом [02018-1-02018-4]
19) Характеристики Suns-Voc кремнієвої сонячної батареї: експериментальне та симуляційне дослідження [02019-1-02019-5]
20) Дослідження Li-Al феритів методами ядерного магнітного резонансу, UV спектроскопії і мессбауерівської спектроскопії [02020-1-02020-9]
21) Комплексне дослідження оптичних і магнітних властивостей нанопорошків (In1 – xDyx)2O3, отриманих методом твердофазної реакції [02021-1-02021-7]
22) Фотоелектричні властивості гетеропереходу Mn2O3/n-InSe [02022-1-02022-5]
23) New Fractional Wavelet with Compact Support and Its Application to Signal Denoising [02023-1-02023-5]
24) The Charge Transfer for Nb(V)/Nb(IV) and Ta(V)/Ta(IV) Redox Couple in Electrode Surface: Experimental and Calculation Methods [02024-1-02024-3]
25) Impact of Annealing Temperature on Surface Reactivity of ZnO Nanostructured Thin Films Deposited on Aluminum Substrate [02026-1-02026-4]
26) Ультразвуковий метод визначення швидкості кровотоку: фізичні основи та векторна візуалізація [02027-1-02027-4]
27) Мас-спектрометричне дослідження хімічного складу газового середовища у зоні проведення електроіскрового легування [02028-1-02028-4]
28) Дифракція природного світла на безмежній ґратці металевих стрічок [02029-1-02029-3]
29) Атомістичне декорування Ti2C максену срібними наночастинками [02030-1-02030-7]
30) Фізичні та технологічні принципи обробки сталі лазерним випромінюванням УФ-діапазону [02031-1-02031-4]
