Автори | А.П. Онанко1 , В.В. Курилюк1 , Ю.А. Онанко2 , А.М. Курилюк1 , Д.В. Чарний2 , О.П. Дмитренко1 , М.П. Куліш1 , T.M. Пінчук-Ругаль1 , А.А. Кузьмич3 |
Афіліація |
1Київський національний університет імені Тараса Шевченка, вул. Володимирська 64/13, 01601 Київ, Україна 2Інститут водних проблем і меліорації, вул. Васильківська 37, 03022 Київ, Україна 3Національний університет водного господарства та природокористування, вул. Соборна 11, 33000 Рівне, Україна |
Е-mail | |
Випуск | Том 14, Рік 2022, Номер 6 |
Дати | Одержано 22 серпня 2022; у відредагованій формі 23 грудня 2022; опубліковано online 27 грудня 2022 |
Цитування | А.П. Онанко, В.В. Курилюк, Ю.А. Онанко, та ін., Ж. нано- електрон. фіз. 14 № 6, 06029 (2022) |
DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.14(6).06029 |
PACS Number(s) | 82.33.Ln, 82.70.Gg, 83.80.Kn |
Ключові слова | Механічна спектроскопія, Релаксаційний механізм, Підкладка (6) , Міграція атомів, Внутрішнє тертя (4) . |
Анотація |
Розроблена методика, сконструйована та виготовлена установка для збудження та реєстрації затухаючих згинних резонансних коливань в SiO2/Si дископодібних підкладках товщиною hS = 300÷500∙103 нм та діаметром D = 60 ÷ 100∙106 нм з метою вимірювання структурно-чутливого внутрішнього тертя (ВТ) Q – 1. Розроблена методика неруйнуючого контролю інтегральної густини структурних дефектів nд та глибини порушеного шару hпш у дископодібних напівпровідникових підкладках. Вимірювання фону ВТ Q – 10 на гармонійних частотах f0, f2 дозволило експериментально визначити вузлові лінії дисків, що коливаються. Це дозволило вносити поправки до теоретичних розрахунків знаходження цих вузлових ліній з урахуванням лінійних розмірів дисків та способу їх кріплення. Досліджено температурний спектр ВТ Q – 1(Т) в SiO2/Si дископодібних підкладках після їх рентгенівського та електронного опромінення. В процесі вимірювань було встановлено, що відпал структурних дефектів Si змінює форму температурного спектру ВТ Q – 1(Т). Піки ВТ Q – 1М, що утворюються точковими дефектами, можна було спостерігати при умові, коли підкладка Si нагрівалася зі швидкістю V = ΔT/Δt ≤ 0.1 K/с. Це дозволило визначити енергію активації H переорієнтації анізотропних комплексів радіаційних дефектів. Встановлення стабільності параметрів фону ВТ Q – 10 дає можливість визначити радіаційну стійкість напівпровідникових підкладок та виробів на їх основі. Запропонована методика може використовуватись як неруйнуючий метод контролю дефектності кристалічної структури напівпровідникових підкладок, що застосовуються для потреб мікроелектроніки. |
Перелік посилань |