Механізми генерації струму в діодах Шотткі графен/p-CdTe

Автори І.П. Козярський1, М.І. Ілащук1, І.Г. Орлецький1 , Л.А. Миронюк1,2, Д.В. Миронюк1,2, Е.В. Майструк1, Д.П. Козярський1, В.В. Стрельчук3
Приналежність

1Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича, вул. Коцюбинського, 2, 58002 Чернівці, Україна

2Інститут проблем матеріалознавства імені І.М. Францевича НАН України, вул. Кржижановського, 3, 03142 Київ, Україна

3Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, пр. Науки, 45, 03028 Київ, Україна

Е-mail i.koziarskyi@chnu.edu.ua
Випуск Том 14, Рік 2022, Номер 6
Дати Одержано 03 жовтня 2022; у відредагованій формі 20 грудня 2022; опубліковано online 27 грудня 2022
Посилання І.П. Козярський, М.І. Ілащук, І.Г. Орлецький, та ін., Ж. нано- електрон. фіз. 14 № 6, 06001 (2022)
DOI https://doi.org/10.21272/jnep.14(6).06001
PACS Number(s) 73.61.Le, 81.15.Lm
Ключові слова Графен (35) , Діод Шотткі (5) , CdTe (15) , Механізми генерації струму.
Анотація

Діоди Шотткі графен/p-CdTe були отримані на підкладках p-CdTe розпиленням водних розчинів полівінілпіролідону (PVP, (C6H9NO)n), які містять частинки багатошарового графену, механічно відлущені з графіту. Діодні властивості отриманих поверхневих бар’єрних структур графен/p-CdTe визначалися енергетичним бар’єром qφk = 0,8 еВ, який формується в приконтактній області p-CdTe. Проаналізовано температурну залежність ВАХ та встановлено динаміку зміни висоти бар’єру з температурою та основні механізми генерації струму в досліджуваних діодах під дією прямої та зворотної напруг. В області прямого зміщення при V < 0,2 В і зворотного зміщення при – 0,5 В < V через діод протікають рекомбінаційно-генераційні струми. Зворотний струм зумовлений процесами генерації, а прямий – рекомбінації в збідненій на основні носії заряду області p-CdTe. При вищих, як прямих, так і зворотних напругах, формування струму відбувається за рахунок тунелювання носіїв заряду через потенціальний бар’єр електричного переходу.

Перелік посилань