Особливості сегрегації включень та мікроструктура зливків кремнію, отриманих електронно-променевим рафінуванням металургійного кремнію

Автори В.O. Осокін1 , Я.A. Стельмах1 , Ю.A. Курапов1 , П.O. Шпак2
Приналежність

1Інститут електрозварювання ім. Є.О. Патона НАНУ, вул. Казимира Малевича, 11, 03150 Київ, Україна

2Інститут вуглецевих наноматеріалів, вул. Хмельницьке шосе 2, офіс 110, 21036 Вінниця, Україна

Е-mail kist2002@ukr.net
Випуск Том 14, Рік 2022, Номер 6
Дати Одержано 29 жовтня 2022; у відредагованій формі 22 грудня 2022; опубліковано online 27 грудня 2022
Посилання В.O. Осокін, Я.A. Стельмах та ін., Ж. нано- електрон. фіз. 14 № 6, 06012 (2022)
DOI https://doi.org/10.21272/jnep.14(6).06012
PACS Number(s) 81.20, 64.75.Qr
Ключові слова Рафінування, Структура (212) , Включення (6) , Домішки (18) , Сегрегація (3) , Коагуляція (2) , Металургійний кремній покращеної якості, Електронно-променеве переплавляння.
Анотація

На сьогодні кремній сонячної чистоти (SG-Si) залишається головним матеріалом для виготовлення фотоелектричних перетворювачів (ФЕП), які широко використовуються у відновлювальній енергетиці. Підвищення ефективності ФЕП при зниженні собівартості виробництва та посиленні екологічних вимог є актуальною задачею для прикладної науки й розвитку технологій. Рішення цієї проблеми пов'язано у тому числі з методами вакуумного (VP) та окислювального (OP) рафінування під час електронно-променевого переплаву (ЕВМ) металургійного кремнію (MG-Si). У роботі досліджено вплив VP та ОP на мікроструктуру зливків кремнію, отриманих електронно-променевим рафінуванням. При цьому експериментально встановлено, що структура зливків не залежить від виду використаного рафінування VP/ОP при ЕВМ та визначається виключно технологічними/теплофізичними умовами їх тверднення. Структура отриманих зливків складалась переважно із стовбчастих кристалітів, головна вісь яких є перпендикулярною/нормальною до поверхні кристалізації. В отриманих зливках покращеного металургійного кремнію (UMG-Si), отриманого ЕВМ, відзначається помітна сегрегація включень/домішок із збільшенням їх кількості в напрямку до центру вільної поверхні розплаву, який тверднув/кристалізувався останнім. При цьому відзначено чутливість розмірів включень до використаного способу рафінування металургійного кремнію VP/ОP, на відміну від розмірів кристалітів. У зливках кремнію, отриманих електронно-променевим рафінуванням, підтверджена відсутність сегрегації домішок/включень до границь зерен, незалежно від обраного способу рафінування (VP/ОP). Аналіз хімічного складу включень в отриманих зливках підтверджує наявність ефекту «спадковості» – переважна більшість включень являють собою автономні одноелементні фази залишкових домішкових елементів та малокомонентні мікровключення зі співвідношенням елементів їх хімічного складу, подібним до таких у вихідному MG-Si.

Перелік посилань