Кристалічна структура нанокристалів ZnxCd1-xS, отриманих шляхом саморозповсюджуваного високотемпературного синтезу
| Автори | А.В. Коваленко, Є.Г. Плахтій, О.В. Хмеленко |
| Приналежність |
Дніпровський національний університет імені Олеся Гончара, пр. Гагаріна, 72, 49010 Дніпро, Україна |
| Е-mail | |
| Випуск | Том 14, Рік 2022, Номер 1 |
| Дати | Одержано 12 квітня 2021; у відредагованій формі 23 лютого 2022; опубліковано online 28 лютого 2022 |
| Посилання | А.В. Коваленко, Є.Г. Плахтій, О.В. Хмеленко, Ж. нано- електрон. фіз. 14 № 1, 01017 (2022) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.14(1).01017 |
| PACS Number(s) | 81.20.Ka, 76.30. – v, 61.05.cp |
| Ключові слова | Нанокристали ZnxCd1-xS, Сульфід цинку (8) , Сульфід кадмію (10) , Саморозповсюджуваний високотемпературний синтез, Рентгеноструктурний аналіз (6) , Спектри ЕПР (3) , Кристалічна структура (19) . |
| Анотація |
Нанокристали ZnxCd1-xS були отримані методом саморозповсюджуваного високотемпературного синтезу. Синтез проводили в повітряному середовищі за атмосферного тиску. Нам вдалося синтезувати нанокристали, близькі до CdS (0≤x<0,2), а також близькі до ZnS (0,8≤x≤1), змінюючи співвідношення Zn і Cd з 0 до 1 з кроком 0,1 у реальному продукті. Їх розміри визначали за методом Шеррера і знаходилися в межах 40÷60±5нм. Нанокристали ZnxCd1-xS усіх складів характеризувались змішаною кристалічною структурою; максимальна частка кубічної фази характерна для складів, близьких до ZnS, а мінімальна – для складів, близьких до CdS. Ступені мікродеформації кристалічної решітки нанокристалів ZnxCd1-xS були в межах 1,05·104÷3,97·103; густину дислокацій визначали в межах 7,91·1010÷3,1·1011. На основі аналізу спектрів ЕПР було показано, що при зміні локального оточення іонів Mn2+ із збільшенням параметра x константа надтонкої структури ЕПР іонів Mn2+ стрибкоподібно зменшувалася від значення А=7,00÷7,06мТ до значення А = 6,84 мТ. Наявність лінії ЕПР іонів Cr+ у неосвітлених нанокристалах ZnS та Zn0,8Cd0,2S може побічно вказувати на провідність n-типу отриманих зразків. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Вплив дози імплантованих іонів дейтерію на мікроструктуру і наномеханічні властивості кремнію [01001-1-01001-6]2) Супрамолекулярний клатрат GaSe(β-CD(J2)) ієрархічної архітектури: властивості та застосування [01002-1-01002-5]
3) Дослідження структурних та електронних властивостей фази вюрциту з використанням теорії функціоналу щільності [01003-1-01003-5]
4) Турбідиметричний моніторинг розділення фаз у водних розчинах термореактивних полімерів [01004-1-01004-4]
5) Застосування гармонічного аналізу та методу головних компонент до розрізнення адсорбатів за допомогою газочутливої гетероструктури ITO/наноструктурований TiO2 [01005-1-01005-5]
6) Компактна конструкція несиметричної UWB антени з двома режекторними смугами для додатків WiMAX [01006-1-01006-5]
7) Майже ідеальний метаматеріальний поглинач з TE поляризацією, що заряджається трикутними розрізними кільцевими резонаторами для додатків і операцій X-діапазону [01007-1-01007-5]
8) Оцінка продуктивності модифікованого безперехідного багатозатворного транзистора із вбудованим каналом [01008-1-01008-5]
9) Структурна, механічна та корозійна поведінка композитних покриттів: вплив густини струму [01009-1-01009-5]
10) Результати перерахунку ефективної рентгенівської характеристичної температури в її дійсне значення [01010-1-01010-5]
11) Розмірні ефекти в магніторезистивних властивостях у тришарових плівках [01011-1-01011-5]
12) Визначення показника заломлення та безмаркерне детектування з використанням структурованого плазмонного датчика з овальним резонатором [01012-1-01012-5]
13) Випробування твердості за Віккерсом сталевих труб, зварених високочастотною індукцією [01013-1-01013-4]
14) Взаємодія важких дірок з власними акцепторними дефектами в CdTe: ab initio розрахунок [01014-1-01014-5]
15) Проектування та аналіз нової фрактальної компактної антени для надширокосмугових застосувань [01015-1-01015-5]
16) Мікрохвильові електродинамічні характеристики керамічних матеріалів [01016-1-01016-4]
17) Розширене дослідження позиційно-залежного багатоканального GAA MOSFET та його впливу на характеристики пристрою [01018-1-01018-4]
18) Мікросмужкова антена з трьома режекторними смугами з використанням планарного масиву послідовних елементів 2x2 для системи зв'язку 5G [01019-1-01019-5]
19) Електрохімічні властивості гібридних суперконденсаторів, сформованих на основі вуглецю та перовскітних матеріалів типу ABO3 [01020-1-01020-6]
20) Осадження наночастинок платини на поверхню кремнію гальванічним заміщенням в середовищі DMSO [01021-1-01021-5]
21) Поширення ультракоротких оптичних імпульсів в анізотропному оптичному середовищі з вуглецевими нанотрубками за наявності змінного електричного поля [01022-1-01022-4]
22) p-i-n фотодіод на довжині хвилі 1064 нм із низьким рівнем впливу периферії на темнові струми [01023-1-01023-4]
23) Електричні та температурні характеристики транзисторів з каналом у вигляді вуглецевої нанотрубки [01024-1-01024-5]
24) Експерименти із молекулярним механізмом та структурою інтерфейсу чистих і легованих полімерних нанокомпозитів, що використовуються в мікроелектроніці [01025-1-01025-5]
25) Порівняльний -дифракційний аналіз напруженого стану вольфрамової тонкої стрічки та магнетронно напилених вольфрамових покриттів [01026-1-01026-5]
26) Покращений діод Ганна мікронних розмірів на основі варізонного GaPAs – GaInAs [01027-1-01027-5]
27) Структурні, оптичні та електричні властивості нанопорошку rGO@SnO2,отриманого методом хімічного співосадження [01028-1-01028-4]
28) Особливості генерації шуму в діодах на основі нітридних сполук з варізонним шаром [01029-1-01029-5]
29) Механічно активований політетрафторетилен: морфологія та супрамолекулярна структура [01030-1-01030-5]
30) Застосування ефекту Комптона для вирішення задач фізики конденсованого стану [01031-1-01031-7]
31) Використання ортогональних поліномів Лежандра для фільтрації зашумлених сигналів на обмеженому інтервалі в просторі координат [01032-1-01032-5]
32) Порівняння впливу ZnO та TiO2 на характеристики перовскітних сонячних елементів за допомогою програмного пакету SCAPS-1D [01033-1-01033-5]
33) Ab Initio дослідження електронних та оптичних властивостей ZnO та BeO: розрахунки з перших принципів [01034-1-01034-4]
34) Метод часткових областей в задачі прийому звуку резонатором Гельмгольця [01035-1-01035-7]
