Розширене дослідження позиційно-залежного багатоканального GAA MOSFET та його впливу на характеристики пристрою
| Автори | Krutideepa Bhol, Umakanta Nanda |
| Афіліація |
School of Electronics Engineering, VIT-AP University, Amaravati, Andhra Pradesh 522237, India |
| Е-mail | uk_nanda@yahoo.co.in |
| Випуск | Том 14, Рік 2022, Номер 1 |
| Дати | Одержано 14 січня 2022; у відредагованій формі 20 лютого 2022; опубліковано online 28 лютого 2022 |
| Цитування | Krutideepa Bhol, Umakanta Nanda, Ж. нано- електрон. фіз. 14 № 1, 01018 (2022) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.14(1).01018 |
| PACS Number(s) | 85.30.Tv, 85.30.De |
| Ключові слова | GAA (28) , High-k (14) , Струм витоку (3) , Підпорогове коливання (7) , Квантовий (22) . |
| Анотація |
У роботі проведено симуляційне дослідження багатоканального польового транзистора з горизонтальним розташуванням каналів та круговим затвором (GAA MOSFET) з розрахунком розділення каналів. Моделювання виконується у низько-технологічних вузлах з урахуванням квантового ефекту. Ізолятор, який використовується в розглянутій моделі, є high-k діелектриком, що дозволяє зменшити масштаб пристрою. Детально досліджуються розділення кремнієвих каналів та його вплив на характеристики пристрою. Отримані таким чином характеристики, а саме струм стоку (ID), порогова напруга (Vth), крутизна (gm) та коефіцієнт перемикання (Ion/Ioff), порівнюються для різних розділень каналів. Крім того, детально вивчається струм витоку та пов'язаний з ним короткоканальний ефект, такий як підпорогове коливання (SS), та його залежність від розділення каналів. Покращене на 28,9 % значення струму включення при SS, рівному 70,34 мВ/дек, досягається для розділення каналів в 10 нм. Однак коефіцієнт перемикання 9,13e+08 отримано для розділення в 6 нм, що порівняно вище, ніж для розділення в 9 і 10 нм. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Вплив дози імплантованих іонів дейтерію на мікроструктуру і наномеханічні властивості кремнію [01001-1-01001-6]2) Супрамолекулярний клатрат GaSe(β-CD(J2)) ієрархічної архітектури: властивості та застосування [01002-1-01002-5]
3) Дослідження структурних та електронних властивостей фази вюрциту з використанням теорії функціоналу щільності [01003-1-01003-5]
4) Турбідиметричний моніторинг розділення фаз у водних розчинах термореактивних полімерів [01004-1-01004-4]
5) Застосування гармонічного аналізу та методу головних компонент до розрізнення адсорбатів за допомогою газочутливої гетероструктури ITO/наноструктурований TiO2 [01005-1-01005-5]
6) Компактна конструкція несиметричної UWB антени з двома режекторними смугами для додатків WiMAX [01006-1-01006-5]
7) Майже ідеальний метаматеріальний поглинач з TE поляризацією, що заряджається трикутними розрізними кільцевими резонаторами для додатків і операцій X-діапазону [01007-1-01007-5]
8) Оцінка продуктивності модифікованого безперехідного багатозатворного транзистора із вбудованим каналом [01008-1-01008-5]
9) Структурна, механічна та корозійна поведінка композитних покриттів: вплив густини струму [01009-1-01009-5]
10) Результати перерахунку ефективної рентгенівської характеристичної температури в її дійсне значення [01010-1-01010-5]
11) Розмірні ефекти в магніторезистивних властивостях у тришарових плівках [01011-1-01011-5]
12) Визначення показника заломлення та безмаркерне детектування з використанням структурованого плазмонного датчика з овальним резонатором [01012-1-01012-5]
13) Випробування твердості за Віккерсом сталевих труб, зварених високочастотною індукцією [01013-1-01013-4]
14) Взаємодія важких дірок з власними акцепторними дефектами в CdTe: ab initio розрахунок [01014-1-01014-5]
15) Проектування та аналіз нової фрактальної компактної антени для надширокосмугових застосувань [01015-1-01015-5]
16) Мікрохвильові електродинамічні характеристики керамічних матеріалів [01016-1-01016-4]
17) Кристалічна структура нанокристалів ZnxCd1-xS, отриманих шляхом саморозповсюджуваного високотемпературного синтезу [01017-1-01017-5]
18) Мікросмужкова антена з трьома режекторними смугами з використанням планарного масиву послідовних елементів 2x2 для системи зв'язку 5G [01019-1-01019-5]
19) Електрохімічні властивості гібридних суперконденсаторів, сформованих на основі вуглецю та перовскітних матеріалів типу ABO3 [01020-1-01020-6]
20) Осадження наночастинок платини на поверхню кремнію гальванічним заміщенням в середовищі DMSO [01021-1-01021-5]
21) Поширення ультракоротких оптичних імпульсів в анізотропному оптичному середовищі з вуглецевими нанотрубками за наявності змінного електричного поля [01022-1-01022-4]
22) p-i-n фотодіод на довжині хвилі 1064 нм із низьким рівнем впливу периферії на темнові струми [01023-1-01023-4]
23) Електричні та температурні характеристики транзисторів з каналом у вигляді вуглецевої нанотрубки [01024-1-01024-5]
24) Експерименти із молекулярним механізмом та структурою інтерфейсу чистих і легованих полімерних нанокомпозитів, що використовуються в мікроелектроніці [01025-1-01025-5]
25) Порівняльний -дифракційний аналіз напруженого стану вольфрамової тонкої стрічки та магнетронно напилених вольфрамових покриттів [01026-1-01026-5]
26) Покращений діод Ганна мікронних розмірів на основі варізонного GaPAs – GaInAs [01027-1-01027-5]
27) Структурні, оптичні та електричні властивості нанопорошку rGO@SnO2,отриманого методом хімічного співосадження [01028-1-01028-4]
28) Особливості генерації шуму в діодах на основі нітридних сполук з варізонним шаром [01029-1-01029-5]
29) Механічно активований політетрафторетилен: морфологія та супрамолекулярна структура [01030-1-01030-5]
30) Застосування ефекту Комптона для вирішення задач фізики конденсованого стану [01031-1-01031-7]
31) Використання ортогональних поліномів Лежандра для фільтрації зашумлених сигналів на обмеженому інтервалі в просторі координат [01032-1-01032-5]
32) Порівняння впливу ZnO та TiO2 на характеристики перовскітних сонячних елементів за допомогою програмного пакету SCAPS-1D [01033-1-01033-5]
33) Ab Initio дослідження електронних та оптичних властивостей ZnO та BeO: розрахунки з перших принципів [01034-1-01034-4]
34) Метод часткових областей в задачі прийому звуку резонатором Гельмгольця [01035-1-01035-7]
