p-i-n фотодіод на довжині хвилі 1064 нм із низьким рівнем впливу периферії на темнові струми
| Автори | М.С. Кукурудзяк |
| Приналежність |
ЦКБ «Ритм», вул. Головна, 244, 58032 Чернівці, Україна |
| Е-mail | mykola.kukurudzyak@gmail.com |
| Випуск | Том 14, Рік 2022, Номер 1 |
| Дати | Одержано 04 січня 2022; у відредагованій формі 20 лютого 2022; опубліковано online 28 лютого 2022 |
| Посилання | М.С. Кукурудзяк, Ж. нано- електрон. фіз. 14 № 1, 01023 (2022) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.14(1).01023 |
| PACS Number(s) | 85.60.Dw, 89.20.Bb |
| Ключові слова | Фотодіод (5) , Кремній (82) , Темновий струм (5) , Охоронне кільце, Фоточутлвий елемент, Периферія, Чутливість (22) . |
| Анотація |
В процесі проведення досліджень помічено проблему неконтрольованого зростання рівня темнового струму охоронного кільця фотодіодів, що проявлялось як за температури Т = 293 К, так і (значною мірою) при випробуванні приладів за підвищеної температури (Т = 358 К). У статті представлено результати розробки p-i-n фотодіода на основі високоомного кремнію р-типу провідності з підвищеною чутливістю та пониженим рівнем темнового струму охоронного кільця на довжині хвилі 1064 нм. У пропонованій конструкції фотодіода зменшено товщину периферійного оксиду кристалу для зниження впливу дислокаційної складової струму та зарядових станів на зворотні характеристики. Для реалізації розробленої конструкції приладу використовується двохстадійна дифузія фосфору. Після дифузії (загонки) фосфора знімалося фосфоросилікатне скло і проводилася додаткова фотолітографія, під час якої стравлювався весь шар периферійного оксиду та частини окислу між ОК та ФЧЕ. На другій стадії дифузії фосфора (розгонцi) вирощувався просвітлюючий оксид товщиною 190-220 нм на фоточутливих площадках і на периферії кристалу. Фоточутливі площадки, охоронне кільце та периферійна частина кристалу відмежовувались оксидом товщиною 650-700 нм, вирощеним на першій операції. Виготовлення фотодіодів виконувалося з використанням таких режимів технологічних процесів, як і у серійному виробництві, а їхні параметри порівнювались із приладами, виготовленими в стандартній конструкції. Аналіз показав, що фотодіоди запропонованої конструкції характеризуються нижчими та стабільнішими, ніж серійні прилади, темновими струмами ОК та ФЧЕ, причому не тільки за кімнатної температури, але й за температури 358 К. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Вплив дози імплантованих іонів дейтерію на мікроструктуру і наномеханічні властивості кремнію [01001-1-01001-6]2) Супрамолекулярний клатрат GaSe(β-CD(J2)) ієрархічної архітектури: властивості та застосування [01002-1-01002-5]
3) Дослідження структурних та електронних властивостей фази вюрциту з використанням теорії функціоналу щільності [01003-1-01003-5]
4) Турбідиметричний моніторинг розділення фаз у водних розчинах термореактивних полімерів [01004-1-01004-4]
5) Застосування гармонічного аналізу та методу головних компонент до розрізнення адсорбатів за допомогою газочутливої гетероструктури ITO/наноструктурований TiO2 [01005-1-01005-5]
6) Компактна конструкція несиметричної UWB антени з двома режекторними смугами для додатків WiMAX [01006-1-01006-5]
7) Майже ідеальний метаматеріальний поглинач з TE поляризацією, що заряджається трикутними розрізними кільцевими резонаторами для додатків і операцій X-діапазону [01007-1-01007-5]
8) Оцінка продуктивності модифікованого безперехідного багатозатворного транзистора із вбудованим каналом [01008-1-01008-5]
9) Структурна, механічна та корозійна поведінка композитних покриттів: вплив густини струму [01009-1-01009-5]
10) Результати перерахунку ефективної рентгенівської характеристичної температури в її дійсне значення [01010-1-01010-5]
11) Розмірні ефекти в магніторезистивних властивостях у тришарових плівках [01011-1-01011-5]
12) Визначення показника заломлення та безмаркерне детектування з використанням структурованого плазмонного датчика з овальним резонатором [01012-1-01012-5]
13) Випробування твердості за Віккерсом сталевих труб, зварених високочастотною індукцією [01013-1-01013-4]
14) Взаємодія важких дірок з власними акцепторними дефектами в CdTe: ab initio розрахунок [01014-1-01014-5]
15) Проектування та аналіз нової фрактальної компактної антени для надширокосмугових застосувань [01015-1-01015-5]
16) Мікрохвильові електродинамічні характеристики керамічних матеріалів [01016-1-01016-4]
17) Кристалічна структура нанокристалів ZnxCd1-xS, отриманих шляхом саморозповсюджуваного високотемпературного синтезу [01017-1-01017-5]
18) Розширене дослідження позиційно-залежного багатоканального GAA MOSFET та його впливу на характеристики пристрою [01018-1-01018-4]
19) Мікросмужкова антена з трьома режекторними смугами з використанням планарного масиву послідовних елементів 2x2 для системи зв'язку 5G [01019-1-01019-5]
20) Електрохімічні властивості гібридних суперконденсаторів, сформованих на основі вуглецю та перовскітних матеріалів типу ABO3 [01020-1-01020-6]
21) Осадження наночастинок платини на поверхню кремнію гальванічним заміщенням в середовищі DMSO [01021-1-01021-5]
22) Поширення ультракоротких оптичних імпульсів в анізотропному оптичному середовищі з вуглецевими нанотрубками за наявності змінного електричного поля [01022-1-01022-4]
23) Електричні та температурні характеристики транзисторів з каналом у вигляді вуглецевої нанотрубки [01024-1-01024-5]
24) Експерименти із молекулярним механізмом та структурою інтерфейсу чистих і легованих полімерних нанокомпозитів, що використовуються в мікроелектроніці [01025-1-01025-5]
25) Порівняльний -дифракційний аналіз напруженого стану вольфрамової тонкої стрічки та магнетронно напилених вольфрамових покриттів [01026-1-01026-5]
26) Покращений діод Ганна мікронних розмірів на основі варізонного GaPAs – GaInAs [01027-1-01027-5]
27) Структурні, оптичні та електричні властивості нанопорошку rGO@SnO2,отриманого методом хімічного співосадження [01028-1-01028-4]
28) Особливості генерації шуму в діодах на основі нітридних сполук з варізонним шаром [01029-1-01029-5]
29) Механічно активований політетрафторетилен: морфологія та супрамолекулярна структура [01030-1-01030-5]
30) Застосування ефекту Комптона для вирішення задач фізики конденсованого стану [01031-1-01031-7]
31) Використання ортогональних поліномів Лежандра для фільтрації зашумлених сигналів на обмеженому інтервалі в просторі координат [01032-1-01032-5]
32) Порівняння впливу ZnO та TiO2 на характеристики перовскітних сонячних елементів за допомогою програмного пакету SCAPS-1D [01033-1-01033-5]
33) Ab Initio дослідження електронних та оптичних властивостей ZnO та BeO: розрахунки з перших принципів [01034-1-01034-4]
34) Метод часткових областей в задачі прийому звуку резонатором Гельмгольця [01035-1-01035-7]
