Особливості генерації шуму в діодах на основі нітридних сполук з варізонним шаром

Автори К.Г. Приходько1, С.В. Плаксін2
Приналежність

1Харківський національний університет імені В.Н. Каразіна, площа Свободи, 4, 61077 Харків, Україна

2Інститут транспортних систем і технологій «Трансмаг» НАН України, вул. Писаржевського, 5, 49005 Дніпро, Україна

Е-mail kyrylo.prykhodko@karazin.ua
Випуск Том 14, Рік 2022, Номер 1
Дати Одержано 28 грудня 2021; у відредагованій формі 21 лютого 2022; опубліковано online 28 лютого 2022
Посилання К.Г. Приходько, С.В. Плаксін, Ж. нано- електрон. фіз. 14 № 1, 01029 (2022)
DOI https://doi.org/10.21272/jnep.14(1).01029
PACS Number(s) 85.30.Fg, 73.40.Kp, 73.40. – c
Ключові слова Катодний статичний домен, Варізонний шар (2) , Ударна іонізація (5) , Генерація шуму, Розсіяння (13) , Спектральна щільність потужності шуму.
Анотація

Діоди з варізонним шаром із статичним доменом сильного поля розглядаються як можливе джерело шуму для сучасних застосувань, які використовують частоти терагерцового діапазону. Діоди являють собою двоконтактну n+–n-–n–n+ структуру, яка містить катодний варізонний шар із енергетичним зазором, що зростає від катодного контакту до початку n-області. Розглянуто діоди на основі GaN та AlN відповідно із зазорами на основі InzGa1-zN та InzAl1-zN. Завдяки використанню варізонного шару з вузькозонним матеріалом на катоді досягається локалізація сильного електричного поля та низьке значення порогу ударної іонізації. Моделювання діодів було виконано багаточастинковим методом Монте-Карло. Генерація шуму досліджується шляхом числового аналізу часових вибірок електричного струму в часовій області. Досліджено вплив механізмів розсіювання, що діють на носії заряду, на шумові властивості діода. Аналізується щільність потужності спектрального шуму (NPSD). Виявлено, що максимальна NPSD спостерігається в діодах GaN з шаром InzGa1-zN. Величина NPSD залежить від розмірів як n– області (на фіксованій довжині діода), так і положення варізонного шару відносно кінця області з високим опором (n–). Встановлено, що розсіювання на полярних фононах та розсіювання на сплаві є основними механізмами, які впливають на шумові властивості діодів. Показано, що діоди демонструють області у напрузі зміщення, в яких залежність NPSD від напруги є лінійною, а величина NPSD змінюється більше ніж на порядок.

Перелік посилань