Розмірні ефекти в магніторезистивних властивостях у тришарових плівках
| Автори | Ю.М. Шабельник1, Д.І. Салтиков2, Н.І. Шумакова1, Л.В. Дехтярук3 , І.О. Шпетний1, Д.В. Овечкін1, А.М. Чорноус1 , Ю.О. Шкурдода1 |
| Афіліація |
1Сумський державний університет, вул. Римського-Корсакова, 2, 40007 Суми, Україна 2Сумський державний педагогічний університет імені А.С. Макаренка, вул. Роменська, 87, 40002 Суми, Україна 3Харківський національний університет будівництва та архітектури вул. Сумська, 40, 61002 Харків, Україна |
| Е-mail | |
| Випуск | Том 14, Рік 2022, Номер 1 |
| Дати | Одержано 16 листопада 2021; у відредагованій формі 21 лютого 2022; опубліковано online 28 лютого 2022 |
| Цитування | Ю.М. Шабельник, Д.І. Салтиков, Н.І. Шумакова, Ж. нано- електрон. фіз. 14 № 1, 01011 (2022) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.14(1).01011 |
| PACS Number(s) | 75.47.De, 75.70.Cn, 84.37. + q |
| Ключові слова | Розмірний ефект (4) , Магніторезистивне відношення (2) , Формула Дієни, Шунтування опору. |
| Анотація |
Експериментально і теоретично з використанням узагальнених формул Дієни [1, 2] досліджені розмірні ефекти в магніторезистивних властивостях тришарових магнітовпорядкованих плівках FeхСо1–х/Сu/FeхСо1–х отриманих методом пошарової конденсації металів з наступною термообробкою в інтервалі температур 300÷550 К. Показано, що у випадку, коли товщина покриваючого шару значно менша (більша) товщини базового шару числове значення магніторезистивного відношення мізерно мале внаслідок шунтуванням опору накривного шару опорами базового шару та немагнітного прошарку (шунтуванням опорів базового шару та немагнітного прошарку опором верхнього магнітного шару). Якщо ж товщини базового і покриваючого шарів однакова, то величина набуває максимального значення в силу відсутності ефекту шунтування. У разі збільшення товщини немагнітного прошарку за умови, що товщини базового та магнітного шарів металу не змінюються, магніторезистивне відношення монотонно зменшується зі збільшенням товщини спейсера. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Вплив дози імплантованих іонів дейтерію на мікроструктуру і наномеханічні властивості кремнію [01001-1-01001-6]2) Супрамолекулярний клатрат GaSe(β-CD(J2)) ієрархічної архітектури: властивості та застосування [01002-1-01002-5]
3) Дослідження структурних та електронних властивостей фази вюрциту з використанням теорії функціоналу щільності [01003-1-01003-5]
4) Турбідиметричний моніторинг розділення фаз у водних розчинах термореактивних полімерів [01004-1-01004-4]
5) Застосування гармонічного аналізу та методу головних компонент до розрізнення адсорбатів за допомогою газочутливої гетероструктури ITO/наноструктурований TiO2 [01005-1-01005-5]
6) Компактна конструкція несиметричної UWB антени з двома режекторними смугами для додатків WiMAX [01006-1-01006-5]
7) Майже ідеальний метаматеріальний поглинач з TE поляризацією, що заряджається трикутними розрізними кільцевими резонаторами для додатків і операцій X-діапазону [01007-1-01007-5]
8) Оцінка продуктивності модифікованого безперехідного багатозатворного транзистора із вбудованим каналом [01008-1-01008-5]
9) Структурна, механічна та корозійна поведінка композитних покриттів: вплив густини струму [01009-1-01009-5]
10) Результати перерахунку ефективної рентгенівської характеристичної температури в її дійсне значення [01010-1-01010-5]
11) Визначення показника заломлення та безмаркерне детектування з використанням структурованого плазмонного датчика з овальним резонатором [01012-1-01012-5]
12) Випробування твердості за Віккерсом сталевих труб, зварених високочастотною індукцією [01013-1-01013-4]
13) Взаємодія важких дірок з власними акцепторними дефектами в CdTe: ab initio розрахунок [01014-1-01014-5]
14) Проектування та аналіз нової фрактальної компактної антени для надширокосмугових застосувань [01015-1-01015-5]
15) Мікрохвильові електродинамічні характеристики керамічних матеріалів [01016-1-01016-4]
16) Кристалічна структура нанокристалів ZnxCd1-xS, отриманих шляхом саморозповсюджуваного високотемпературного синтезу [01017-1-01017-5]
17) Розширене дослідження позиційно-залежного багатоканального GAA MOSFET та його впливу на характеристики пристрою [01018-1-01018-4]
18) Мікросмужкова антена з трьома режекторними смугами з використанням планарного масиву послідовних елементів 2x2 для системи зв'язку 5G [01019-1-01019-5]
19) Електрохімічні властивості гібридних суперконденсаторів, сформованих на основі вуглецю та перовскітних матеріалів типу ABO3 [01020-1-01020-6]
20) Осадження наночастинок платини на поверхню кремнію гальванічним заміщенням в середовищі DMSO [01021-1-01021-5]
21) Поширення ультракоротких оптичних імпульсів в анізотропному оптичному середовищі з вуглецевими нанотрубками за наявності змінного електричного поля [01022-1-01022-4]
22) p-i-n фотодіод на довжині хвилі 1064 нм із низьким рівнем впливу периферії на темнові струми [01023-1-01023-4]
23) Електричні та температурні характеристики транзисторів з каналом у вигляді вуглецевої нанотрубки [01024-1-01024-5]
24) Експерименти із молекулярним механізмом та структурою інтерфейсу чистих і легованих полімерних нанокомпозитів, що використовуються в мікроелектроніці [01025-1-01025-5]
25) Порівняльний -дифракційний аналіз напруженого стану вольфрамової тонкої стрічки та магнетронно напилених вольфрамових покриттів [01026-1-01026-5]
26) Покращений діод Ганна мікронних розмірів на основі варізонного GaPAs – GaInAs [01027-1-01027-5]
27) Структурні, оптичні та електричні властивості нанопорошку rGO@SnO2,отриманого методом хімічного співосадження [01028-1-01028-4]
28) Особливості генерації шуму в діодах на основі нітридних сполук з варізонним шаром [01029-1-01029-5]
29) Механічно активований політетрафторетилен: морфологія та супрамолекулярна структура [01030-1-01030-5]
30) Застосування ефекту Комптона для вирішення задач фізики конденсованого стану [01031-1-01031-7]
31) Використання ортогональних поліномів Лежандра для фільтрації зашумлених сигналів на обмеженому інтервалі в просторі координат [01032-1-01032-5]
32) Порівняння впливу ZnO та TiO2 на характеристики перовскітних сонячних елементів за допомогою програмного пакету SCAPS-1D [01033-1-01033-5]
33) Ab Initio дослідження електронних та оптичних властивостей ZnO та BeO: розрахунки з перших принципів [01034-1-01034-4]
34) Метод часткових областей в задачі прийому звуку резонатором Гельмгольця [01035-1-01035-7]
