Аналіз безперехідного транзистора на основі нанодротів з гетеропереходом, нітридом металу та подвійним металевим затвором
| Автори | S. Ashok Kumar , J. Charles Pravin |
| Приналежність |
Department of Electronics and Communication Engineering, Kalasalingam Academy of Research and Education, Krishnankoil, TamilNadu, India |
| Е-mail | jcharlespravin@gmail.com |
| Випуск | Том 13, Рік 2021, Номер 5 |
| Дати | Одержано 21 серпня 2021; у відредагованій формі 20 жовтня 2021; опубліковано online 25 жовтня 2021 |
| Посилання | S. Ashok Kumar, J. Charles Pravin, Ж. нано- електрон. фіз. 13 № 5, 05014 (2021) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.13(5).05014 |
| PACS Number(s) | 85.30.Tv |
| Ключові слова | Безперехідний тризатворний, Двоканальний, TiN (97) , DMG (2) , Карбід кремнію (SiC). |
| Анотація |
У роботі зосереджено увагу на характеристиках безперехідного (JL) багатоканального SOI транзистора на основі нанодротів. Його було проаналізовано під впливом різних деформацій для покращення продуктивності. Замість одного каналу, за допомогою концепції Multi Bridge Channel (MBC), два канали були включені в JL структуру нанодротів. Крім того, для вдосконалення JL пристрою було використано три методи. Перший – концепція подвійного металевого затвору (DMG), другий – гетероперехід (карбід кремнію (SiC) використано як матеріал стоку/витоку), і третій – нітрид металу. За допомогою цих трьох методів було збільшено мобільність, а також керуючий струм. Порівняння вольт-амперних (I-V) характеристик було проведено між DMG та одинарним металевим затвором, DMG та одинарним метал-нітридним затвором за допомогою комп'ютерного симулятора Sentaurus Technology Computer Aided Design (TCAD). Результати було відкалібровано з використанням фізичних моделей, таких як залежна від температури модель транспорту носіїв (дрейфова дифузія), модель градієнта густини, модель мобільності та рекомбінаційна модель Шоклі-Ріда-Холла. Інтеграція гетеропереходу в DMG та одинарний метал-нітридний затвор покращила продуктивність обох пристроїв, але останній показав на 6 % кращу продуктивність, ніж DMG з гетеропереходом. У всіх пристроях коефіцієнт підпорогових коливань (SS) складає майже 60 мВ дек – 1, що є майже ідеальним значенням. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Аналіз профілю піків рентгенівської дифракційної картини наноструктури оксиду цинку [05001-1-05001-4]2) Фоточутливі гетероструктури n-Zn0.5Cd0.5O/p-InSe, виготовлені методом магнетронного розпилення [05002-1-05002-4]
3) Дослідження умов осадження тонких плівок міді з продуктів деструкції електродів перенапруженого високовольтного розряду в аргоні високого тиску [05003-1-05003-7]
4) Вплив температури відпалу на структуру та властивості феритів вісмута [05004-1-05004-7]
5) Сітчаста метаповерхня як ультра тонка чвертьхвильова пластинка [05005-1-05005-5]
6) Розпад домішкових кластерів атомів нікелю та кобальту в кремнії під впливом тиску [05006-1-05006-4]
7) Просторові розподіли станів 3p54s атомів аргону в плазмі високочастотного магнетронного розпилення з радіаційною моделлю зіткнень [05007-1-05007-9]
8) Вплив температури підкладки і вмісту магнію на розвиток морфології та люмінесценцію плівок ZnO:Mg [05008-1-05008-6]
9) Механізми релаксації електронного збудження триазидо-S-триазину [05009-1-05009-5]
10) Моделювання теплових явищ у біологічних тканинах, викликаних поверхневим плазмонним резонансом у метал-графенових наночастинках [05010-1-05010-7]
11) Практичні аспекти отримання наноструктурних композитних NaCl-Fe плівок способом EB-PVD на підкладках, що обертаються [05011-1-05011-6]
12) Ультра-мініатюрна антена для надширокосмугових застосувань [05012-1-05012-4]
13) Вплив high-k діелектричних матеріалів на короткоканальні ефекти в тризатворних SOI FinFETs [05013-1-05013-6]
14) Структурне та морфологічне дослідження наноструктури CuO, яка осаджується водорозчинним нітрат-гемі(пентагідратом) міді (II) та NaOH як реагентами [05015-1-05015-4]
15) Аналіз характеристик I-V-T сонячних елементів на основі перовскіту CH3NH3PbBr3 [05016-1-05016-4]
16) Особливості непружних та пружних характеристик Si та SiO2/Si структур [05017-1-05017-5]
17) Тонка плівка CuO, виготовлена методом золь-гелю: характеристики для застосування в пристроях [05018-1-05018-5]
18) Експериментальний метод кількісної оцінки струмів витоку сонячних елементів за залежностями густини струму від напруги [05019-1-05019-4]
19) Одновісна модель теплового балансу сонячного колектора [05020-1-05020-5]
20) Динаміка перетворення малих ГЦК кристалів у ікосаедричні наночастинки [05021-1-05021-5]
21) Моделювання процесів в електронному газі методом Particle-in-cell [05022-1-05022-5]
22) Метод хвильових матриць для моделювання поляризаторів із діафрагмами. Чисельні результати [05023-1-05023-6]
23) Метод математичного синтезу хвилеводних поляризаторів із діафрагмами [05024-1-05024-6]
24) Ab initio дослідження електронних, магнітних та оптичних властивостей шпінелі CuRh2O4: розрахунок з перших принципів [05025-1-05025-5]
25) Епоксидні нанокомпозити з підвищеною гідроабразивною зносостійкістю для використання у транспортних засобах [05026-1-05026-5]
26) Електронна структура кристала ZnS, легованого одним або двома атомами перехідного металу (Cr, Fe) [05027-1-05027-5]
27) Модифікація целюлози наночастинками : від жому цукрової тростини до антимікробного композиту [05028-1-05028-5]
28) Радіаційна функціоналізація плівок поліетиленгліколю з багатостінними вуглецевими нанотрубками [05029-1-05029-5]
29) Застосування автодинного сенсора з підвищеною лінійністю перетворення для реєстрації широкосмугових мультиплетних спектрів ядерного квадрупольного резонансу [05030-1-05030-5]
30) Структура та механічні характеристики катодів з MAX фази Ti2AlC та осаджених іонно-плазмових покриттів [05031-1-05031-7]
31) Гідрохімічний синтез плівкових твердих розчинів HgS1 – xSex [05032-1-05032-5]
32) Технологічні аспекти формування енергоефективних фотоелектричних перетворювачів сонячної енергії [05033-1-05033-6]
33) Оптична й фотокаталітична активність нанокомпозитів ПАН/TiO2 з наночастинками анатаза і Р25 [05034-1-05034-6]
34) Приготування та характеризація вуглецево-кремнієвих гібридних наноструктур [05035-1-05035-5]
35) Дослідження покращених електрохімічних властивостей нанокомпозиту графен/Fe2O3 [05036-1-05036-5]
36) Кристали InSe, отримані стехіометричним плавленням, для застосування в оптоелектронних пристроях [05037-1-05037-5]
37) Волоконний лазер на основі фазових пластин з електронним управлінням [05038-1-05038-6]
38) Створення прототипу багатофункціонального віддаленого робота присутності для фізичних досліджень у електроніці [05039-1-05039-4]
