Аналіз профілю піків рентгенівської дифракційної картини наноструктури оксиду цинку
| Автори | Sajal Sahu1, Pijus Kanti Samanta2 |
| Афіліація |
1Department of Physics, Ramchandrapur Raisuddin High School, Purba Medinipur, West Bengal, India 2Department of Physics (UG & PG), Prabhat Kumar College, Contai, Purba Medinipur, West Bengal, India |
| Е-mail | pijush.samanta@gmail.com |
| Випуск | Том 13, Рік 2021, Номер 5 |
| Дати | Одержано 16 квітня 2021; у відредагованій формі 20 жовтня 2021; опубліковано online 25 жовтня 2021 |
| Цитування | Sajal Sahu, Pijus Kanti Samanta, Ж. нано- електрон. фіз. 13 № 5, 05001 (2021) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.13(5).05001 |
| PACS Number(s) | 61.46. + w, 61.46.Df, 61.82.Rx |
| Ключові слова | Кристалічний (14) , Зерно (13) , Деформація (36) , Анізотропія (19) . |
| Анотація |
Рентгенівська дифракція є важливим інструментом для аналізу кристалічної структури будь-якого кристалічного матеріалу. За допомогою відповідного аналізу піків рентгенівської дифракції можна визначити розмір кристалітів та мікронапруження. Також можуть бути визначені інші параметри, такі як анізотропія росту, кристалічність, густина дислокацій та питома площа поверхні. У роботі вивчалася рентгенівська дифракційна картина нанострижнів ZnO. Розмір кристалітів і деформацію розраховували для всіх піків дифракційної картини. Середнє значення розміру кристалітів становило 47,7 нм. Для різних кристалографічних площин деформація була різною. Використовуючи стандартну формулу, були розраховані параметри решітки структури вюрциту, які виявились рівними a b 3,2467 Å та c 5,2004 Å. Підготовлений зразок має дуже велику середню питому площу поверхні 2,26×105 см2г – 1. Інтенсивність різних дифракційних піків різна, що свідчить про анізотропний ріст кристала. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Фоточутливі гетероструктури n-Zn0.5Cd0.5O/p-InSe, виготовлені методом магнетронного розпилення [05002-1-05002-4]2) Дослідження умов осадження тонких плівок міді з продуктів деструкції електродів перенапруженого високовольтного розряду в аргоні високого тиску [05003-1-05003-7]
3) Вплив температури відпалу на структуру та властивості феритів вісмута [05004-1-05004-7]
4) Сітчаста метаповерхня як ультра тонка чвертьхвильова пластинка [05005-1-05005-5]
5) Розпад домішкових кластерів атомів нікелю та кобальту в кремнії під впливом тиску [05006-1-05006-4]
6) Просторові розподіли станів 3p54s атомів аргону в плазмі високочастотного магнетронного розпилення з радіаційною моделлю зіткнень [05007-1-05007-9]
7) Вплив температури підкладки і вмісту магнію на розвиток морфології та люмінесценцію плівок ZnO:Mg [05008-1-05008-6]
8) Механізми релаксації електронного збудження триазидо-S-триазину [05009-1-05009-5]
9) Моделювання теплових явищ у біологічних тканинах, викликаних поверхневим плазмонним резонансом у метал-графенових наночастинках [05010-1-05010-7]
10) Практичні аспекти отримання наноструктурних композитних NaCl-Fe плівок способом EB-PVD на підкладках, що обертаються [05011-1-05011-6]
11) Ультра-мініатюрна антена для надширокосмугових застосувань [05012-1-05012-4]
12) Вплив high-k діелектричних матеріалів на короткоканальні ефекти в тризатворних SOI FinFETs [05013-1-05013-6]
13) Аналіз безперехідного транзистора на основі нанодротів з гетеропереходом, нітридом металу та подвійним металевим затвором [05014-1-05014-4]
14) Структурне та морфологічне дослідження наноструктури CuO, яка осаджується водорозчинним нітрат-гемі(пентагідратом) міді (II) та NaOH як реагентами [05015-1-05015-4]
15) Аналіз характеристик I-V-T сонячних елементів на основі перовскіту CH3NH3PbBr3 [05016-1-05016-4]
16) Особливості непружних та пружних характеристик Si та SiO2/Si структур [05017-1-05017-5]
17) Тонка плівка CuO, виготовлена методом золь-гелю: характеристики для застосування в пристроях [05018-1-05018-5]
18) Експериментальний метод кількісної оцінки струмів витоку сонячних елементів за залежностями густини струму від напруги [05019-1-05019-4]
19) Одновісна модель теплового балансу сонячного колектора [05020-1-05020-5]
20) Динаміка перетворення малих ГЦК кристалів у ікосаедричні наночастинки [05021-1-05021-5]
21) Моделювання процесів в електронному газі методом Particle-in-cell [05022-1-05022-5]
22) Метод хвильових матриць для моделювання поляризаторів із діафрагмами. Чисельні результати [05023-1-05023-6]
23) Метод математичного синтезу хвилеводних поляризаторів із діафрагмами [05024-1-05024-6]
24) Ab initio дослідження електронних, магнітних та оптичних властивостей шпінелі CuRh2O4: розрахунок з перших принципів [05025-1-05025-5]
25) Епоксидні нанокомпозити з підвищеною гідроабразивною зносостійкістю для використання у транспортних засобах [05026-1-05026-5]
26) Електронна структура кристала ZnS, легованого одним або двома атомами перехідного металу (Cr, Fe) [05027-1-05027-5]
27) Модифікація целюлози наночастинками : від жому цукрової тростини до антимікробного композиту [05028-1-05028-5]
28) Радіаційна функціоналізація плівок поліетиленгліколю з багатостінними вуглецевими нанотрубками [05029-1-05029-5]
29) Застосування автодинного сенсора з підвищеною лінійністю перетворення для реєстрації широкосмугових мультиплетних спектрів ядерного квадрупольного резонансу [05030-1-05030-5]
30) Структура та механічні характеристики катодів з MAX фази Ti2AlC та осаджених іонно-плазмових покриттів [05031-1-05031-7]
31) Гідрохімічний синтез плівкових твердих розчинів HgS1 – xSex [05032-1-05032-5]
32) Технологічні аспекти формування енергоефективних фотоелектричних перетворювачів сонячної енергії [05033-1-05033-6]
33) Оптична й фотокаталітична активність нанокомпозитів ПАН/TiO2 з наночастинками анатаза і Р25 [05034-1-05034-6]
34) Приготування та характеризація вуглецево-кремнієвих гібридних наноструктур [05035-1-05035-5]
35) Дослідження покращених електрохімічних властивостей нанокомпозиту графен/Fe2O3 [05036-1-05036-5]
36) Кристали InSe, отримані стехіометричним плавленням, для застосування в оптоелектронних пристроях [05037-1-05037-5]
37) Волоконний лазер на основі фазових пластин з електронним управлінням [05038-1-05038-6]
38) Створення прототипу багатофункціонального віддаленого робота присутності для фізичних досліджень у електроніці [05039-1-05039-4]
